二維材料的問題，透過圖書和論文來找解法和答案更準確安心。 我們找到下列線上看、影評和彩蛋懶人包

二維化合物的吸附特性

為了解決二維材料的問題，作者琚偉偉 這樣論述：

本書是作者近年來在對二維化合物材料的電子結構、磁特性以及相變的研究基礎上撰寫而成的，系統地介紹了吸附、摻雜、缺陷等調控方法對二維MoS2和InSe材料的電子性質及磁特性的影響。   全書共分七章，前兩章介紹了相關材料的研究背景及理論方法。第3章介紹了Au團簇吸附對非缺陷和缺陷單層MoS2結構、電子性質的影響，第4章介紹了反位缺陷對單層MoS2電子和磁學性質的影響，第5章介紹了非金屬原子吸附對缺陷單層MoS2磁學性質的影響，第6章介紹了3d過渡金屬原子吸附對單層InSe電學和磁學性質的影響，第7章介紹了小分子吸附對單層InSe電學和磁學性質的影響。   本書可供相關低維材料領域的科技工作者參考，

也可作為高等院校相關專業的本科生和研究生的參考書。 第1章緒論/ 001 1.1單層二硫化鉬(MoS2) 研究進展/ 001 1.1.1石墨烯/ 001 1.1.2二硫化鉬(MoS2)/ 002 1.1.3單層MoS2缺陷吸附摻雜研究/ 005 1.2單層硒化銦(InSe) 研究進展/ 007 1.2.1InSe簡介/ 007 1.2.2InSe電子結構及性質/ 008 參考文獻/ 009 第2章理論方法/ 015 2.1能帶理論的三大近似/ 015 2.1.1絕熱近似/ 016 2.1.2單電子近似(密度泛函理論)/ 017 2.1.3週期性

勢場近似(布洛赫定理)/ 020 2.2勢與波函數的處理/ 021 2.2.1平面波方法/ 022 2.2.2原子軌道線性組合法/ 023 2.2.3贗勢方法/ 024 2.2.4投影綴加波法/ 025 2.3Kohn-Sham方程的自洽求解/ 026 參考文獻/ 027 第3章Au團簇吸附對非缺陷和缺陷單層MoS2結構和電子性質的影響/ 029 3.1概述/ 030 3.2計算模型和方法/ 031 3.3結構及電子性質/ 033 3.3.1Aun團簇吸附于非缺陷單層MoS2/ 033 3.3.2Au團簇在單S空位MoS2上的吸附/ 038 3.3.3Au團簇在

反位缺陷MoS2上的吸附/ 043 參考文獻/ 047 第4章反位缺陷對單層MoS2電子和磁學性質的影響/ 051 4.1概述/ 051 4.2計算方法和模型/ 052 4.3電子及磁學性質/ 054 4.3.1反位元缺陷MoS2的電子性質/ 054 4.3.23d過渡金屬原子吸附對反位元缺陷MoS2的電子及磁學性質的影響/ 056 參考文獻/ 060 第5章非金屬原子吸附對缺陷單層MoS2磁學性質的影響/ 063 5.1概述/ 063 5.2計算模型和方法/ 064 5.3吸附位置及磁學性質/ 065 5.3.1非金屬原子的吸附位置/ 065 5.3.2非

金屬原子吸附對MoS2磁學及電子性質的影響/ 066 參考文獻/ 071 第6章3d過渡金屬原子吸附對單層InSe電學和磁學性質的影響/ 074 6.1概述/ 074 6.2計算模型和方法/ 076 6.3穩定性、電學及磁學性質/ 077 6.3.1幾何結構和穩定性/ 077 6.3.2電子結構/ 079 6.3.3磁性/ 079 6.3.4能帶結構/ 084 參考文獻/ 087 第7章小分子吸附對單層InSe電學和磁學性質的影響/ 091 7.1概述/ 091 7.2計算模型和方法/ 093 7.3吸附對電學及磁學性質的影響/ 094 7.3.1CO吸附

/ 094 7.3.2H2O吸附/ 096 7.3.3NH3吸附/ 097 7.3.4N2吸附/ 098 7.3.5NO2吸附/ 099 7.3.6NO吸附/ 101 7.3.7O2吸附/ 102 參考文獻/ 103 作為二維材料的典型代表，石墨烯已被廣泛研究。然而，由於石墨烯的零帶隙特征，難以應用於半導體電子器件，人們開始把目光轉向其他具有帶隙的二維材料。過渡金屬硫化物，以MoS2為代表，體材料為間接帶隙，而單層結構則為直接帶隙。大多數二維過渡金屬硫化物的帶隙在1～2eV之間，在光電子器件、太陽能器件的製備中具有廣闊的應用前景，因此對二維過渡金屬硫化物的電子

及磁性質進行調控成為研究熱點。 最近，Ⅲ-Ⅵ族化合物因其優異的性能吸引了眾多研究者的注意。除了擁有二維過渡金屬硫化物的優越性能，例如超高表面體積比、與柔性器件的高度相容性等，二維Ⅲ-Ⅵ族化合物還有優於二維過渡金屬硫化物的性能，比如高載流子遷移率、p型電子行為、高電荷密度等，這些卓越的性能使二維Ⅲ-Ⅵ族化合物也成為納米電子學領域的熱點材料。 本書首先介紹了二維過渡金屬硫化物和Ⅲ-Ⅵ族化合物的研究背景，然後對計算中用到的相關理論基礎做了介紹。後面的章節主要介紹了筆者近年來的研究結果，主要包括不同種類的缺陷對單層MoS2性質的影響，小團簇以及各種雜質原子在單層MoS2表面的吸附；過渡金屬原子以及

各種小分子的吸附對二維Ⅲ-Ⅵ族化合物InSe結構、電學和磁學性質的影響等。 本書是筆者近年來對二維MoS2和InSe材料體系的電子結構和磁性質的研究基礎上撰寫而成的。 本書的相關研究和分析工作得到了河南科技大學的大力支持。本書的出版得到了國家自然科學基金(61874160，11404096)、河南省高等學校青年骨幹教師培養計畫(2017GGJS067)、河南科技大學博士科研啟動基金的資助。在此表示深深的感謝。 本書在撰寫過程中參考的相關文獻，已在每章後列出，在此，對相關學者表示衷心的感謝。由於筆者水準有限，書中難免存在不當之處，敬請專家學者和讀者批評指正。 琚偉偉 2019年6月

二維材料進入發燒排行的影片

二維過渡金屬二硫屬化物及其異質結構之光學研究

為了解決二維材料的問題，作者許浩哲 這樣論述：

過去幾年，二維材料在光電元件中展現出新的光電特性，使其成為未來光電元件的新星。單層二維材料具有發光效率極高的優點，後續衍生出二維材料異質結構。在我們之前的研究中，我們探索了TMD單層及其異質結構的光學特性。在這些工作中，通過機械剝離法從散裝材料中獲得二維TMD，為了獲得大尺寸的單層，採用了所謂的金輔助剝離。雖然發現金輔助剝離法可用於製備大面積單層，但在金沉積過程中，單層表面會被金原子或製造過程中使用的化學物質損壞。表面降解在異質結構的製備中更為關鍵，我們無法從金輔助剝離法製備的TMD 異質結構中獲得對於層間激子一個完整並且深入的理解。在這項工作中，我們使用了一種利用PDMS的典型且更簡單的剝

離方法，並最大限度地減少了化學過程，以確保兩個TMD單層堆疊的清潔表面，並顯著改善了TMD異質結構的層間相互作用。在此兩種單層表面乾淨以及角度正確的堆疊下，我們的成就在於觀察到二硒化鉬與二硒化鎢的異構物層間激子低溫下自旋軌道分裂，然後在100-150K時量子效應消失產生相變，以及觀察到二硫化鎢與二硒化鎢的異構物層間激子，此異構物在2018年以前有許多團隊進行嘗試，然而皆未觀察到層間激子，我們常溫下也並未觀察到層間激子，然而進行低溫量測下我們發現了層間激子，其具有相當低的束縛能，解釋了為何常溫下無法觀測。這項工作幫助我們更深入地了解單層材料和TMD異質結構的靜態和動態特性。

石墨烯及相關二維材料顯微結構表徵

為了解決二維材料的問題，作者孫立濤 等 這樣論述：

《石墨烯及相關二維材料顯微結構表徵》詳細介紹了電子衍射、高分辨透射電子顯微術、掃描透射電子顯微術、能譜分析、原位透射電子顯微術、掃描電子顯微術、低能電子顯微術、掃描探針顯微術在石墨烯、氮化硼、過渡金屬硫族化合物等二維材料顯微結構表徵方面的應用，既可作為掌握電子顯微分析技術的自學用書，也可作為石墨烯等二維材料原子結構研究的前沿讀本。 本書可作為材料、物理、化學、微電子等專業科研人員的參考書，也可供高等院校高年級本科生、研究生及科研人員參考和閱讀。 孫立濤，東南大學電子科學與工程學院，副院長，教授，現任東南大學電子科學與工程學院副院長(主持工作)、教授、博導，國家傑出青年基金獲得者，教

育部長江學者特聘教授，科技部「中青年科技創新領軍人才」。兼任MEMS教育部重點實驗室副主任，東南大學-FEI納皮米中心主任，東南大學-江南石墨烯研究院優選碳材料應用聯合研發中心主任。 長期從事新型納米材料製備、表徵與應用方面的研究工作；基於原位動態電子顯微學技術，發展了多種從原子尺度上直接開展各種實驗的新技術與新方法。成果發表于SCI文章150余篇(其中Science 2篇, Nature及子刊9篇)。申請中國專利70余項，授權30余項，轉讓許可4項，做靠前會議邀請報告50余次。目前任《電子器件》雜誌主編，江蘇省真空學會秘書長，美國IEEE納米技術委員會南京分會主席，歐洲科學基金會專家評

審委員會委員，中國電子顯微學會常務理事，中國石墨烯產業技術創新戰略聯盟標準化委員會副主任，江蘇省石墨烯產業技術創新戰略聯盟副秘書長，歐盟10億歐元「石墨烯旗艦項目」評審專家。曾獲「江蘇省十大青年科技之星」、石墨烯標準化傑出貢獻獎、指導學生團隊獲國家小平科技創新團隊等。

二維材料於邏輯元件與記憶體內運算應用

為了解決二維材料的問題，作者鍾昀晏 這樣論述：

半導體產業在過去半個世紀不斷地發展，塊材材料逐漸面臨電晶體微縮的物理極限，因此我們開始尋找替代方案。由於二維材料天生的原子級材料厚度與其可抑制短通道效應能力，被視為半導體產業極具未來發展性材料。此篇論文為研究二維材料二硫化鉬的N型通道元件之製作技術與其材料的特性與應用。首先，我們使用二階段硫化製程所製備的二硫化鉬沉積高介電材料並使用X-射線能譜儀（XPS）與光致發光譜（PL）進行分析，量測二硫化鉬與四種高介電材料的能帶對準，參考以往製程經驗，可結論二氧化鉿是有潛力介電層材料在二硫化鉬上，並作為我們後續元件的主要閘極介電層。接著使用二階段硫化法製作鈮（Nb）摻雜的二硫化鉬，Ｐ型的鈮摻雜可提升載

子摻雜濃度用以降低金半介面的接觸電阻，透過不同製程方式製作頂部接觸和邊緣接觸的兩種金半介面結構，傳輸線模型(TLM)分析顯示出，邊緣接觸結構比頂部接觸結構的接觸電阻率低了兩個數量級以上，並藉由數值疊代方式得知層間電阻率是導致頂部接觸結構有較高接觸電阻率主因，並指出邊緣接觸之金半介面在二維材料元件的潛在優勢。在電晶體研究上，我們使用化學氣相沉積（CVD）合成的二硫化鉬成功製作出單層Ｎ型通道元件，將此電晶體與記憶體元件相結合，用雙閘極結構將讀（read）與寫（write）分成上下兩個獨立控制的閘極，並輸入適當脈衝訊號以改變儲存在電荷儲存層的載子量，藉由本體效應（Body effect）獲得足夠大的

記憶區間（Memory window），可擁有高導電度比（GMAX/GMIN = 50）與低非線性度（Non-linearity= -0.8/-0.3）和非對稱性（Asymmetry = 0.5），展示出了二維材料在類神經突觸元件記憶體內運算應用上的可能性。除了與記憶體元件結合外，我們亦展示二維材料電晶體作為邏輯閘的應用，將需要至少兩個傳統矽基元件才可表現的邏輯閘特性，可於單一二維材料電晶體上展現出來，並在兩種邏輯閘（NAND/NOR）特性作切換，二維材料的可折疊特性亦具有潛力於電晶體密度提升。我們進一步使用電子束微影系統製作奈米等級短通道元件，首先使用金屬輔助化學氣相沉積 (Metal-as

sisted CVD)方式合成出高品質的二維材料二硫化鎢 (WS2)，並成功製作次臨界擺幅（Subthreshold Swing, S.S.）約為97 mV/dec.且高達106的電流開關比（ION/IOFF ratio）的40奈米通道長度二硫化鎢Ｐ型通道電晶體，其電特性與文獻上的二硫化鉬N型通道電晶體可說是相當，可作為互補式場效電晶體。另一方面，深入了解二維材料其材料特性後，可知在厚度縮薄仍可保持極高的機械強度，有潛力作為奈米片電晶體的通道材料。故於論文最後我們針對如何透過對元件製作優化提供了些許建議。