單晶矽太陽能電池的問題，透過圖書和論文來找解法和答案更準確安心。 我們找到下列線上看、影評和彩蛋懶人包

圖解光電半導體元件

為了解決單晶矽太陽能電池的問題，作者李朱育,李敏鴻,李勝偉,柯文政,段生振,陳念波 這樣論述：

　　本書包含了光電半導體元件之基本原理、元件應用與未來展望，內容涵蓋了四種主要光電科技應用，包含：光電感測元件、固態照明系統、顯示系統、太陽光電系統等，這幾項光電科技都與我們日常生活息息相關。本書之目的主要提供初次接觸光電科技領域讀者使用，也適合當作學習光電科技的基礎。

單晶矽太陽能電池進入發燒排行的影片

氧化銦錫對具氧化鉬電洞選擇性接觸層及鋁背表面電場之單晶矽太陽能電池光電特性研究

為了解決單晶矽太陽能電池的問題，作者趙晉得 這樣論述：

本論文研究氧化銦錫對具氧化鉬電洞選擇性接觸層及鋁背表面電場之單晶矽太陽能電池光電特性研究，藉由導入透明導電材料氧化銦錫作為串接太陽能電池之介面電極，首先將氧化銦錫以濺鍍的方式沉積在具鋁背表面電場之太陽能電池之正面，其改變參數為濺鍍功率、時間及濺鍍工作壓力，接著透過霍爾效應分析儀、紫外光/可見光/近紅外光分光光譜儀、熱電子型場發射掃描式電子顯微鏡及紫外光光電子光譜儀探討氧化銦錫的薄膜特性，進一步，亦將氧化銦錫以濺鍍的方式沉積在具蒸鍍氧化鉬電洞選擇性接觸層之太陽能電池之正面，探討其對元件的光電特性之影響。 實驗結果顯示，在濺鍍功率固定時，光電轉換效率隨著濺鍍時間增加而下降，當濺鍍功率從50

W變動至60 W時，以55 W濺鍍功率其光電轉換效率衰減較小，接著在55 W的濺鍍功率下，探討濺鍍工作壓力的影響，實驗結果顯示，當工作壓力在 7 mTorr時，其光電轉換效率衰減最小，只有-2.44%。經由分光光譜儀檢測，ITO薄膜穿透率其結果為最高可達95%，且透過霍爾效應分析儀可以得知當濺鍍功率為55 W搭配30分鐘條件下，且工作壓力為7 mTorr時其移動率最高為88.2 cm2/Vs，電阻率為0.777 mΩ·cm，光電轉換效率衰減最小，經由熱場發射掃描式電子顯微鏡可得知氧化銦錫薄膜厚度變化為25-100 nm，從紫外光光電子光譜儀量測結果得知氧化銦錫功函數為3.99 eV。接續實驗

為濺鍍氧化銦錫在具蒸鍍氧化鉬電洞選擇性接觸層之太陽能電池之正面，其實驗結果顯示，其特性變化趨勢與具Al背電極之網印式太陽能電池相同，綜合上述實驗可得知，當具氧化鉬電洞選擇性接觸層之單晶矽太陽能電池的表面濺鍍71 nm的氧化銦錫時，其開路電壓為639 mV、短路電流為39.35 mA/cm2、串聯電阻為1.65Ω·cm、填充因子為81.43%與光電轉換效率可達20.50%。

光電系統與應用

為了解決單晶矽太陽能電池的問題，作者林奇鋒,林宸生,張文陽 這樣論述：

　　本書為教育部顧問室「半導體與光電產業先進設備人才培育計畫」之成果，包含了光電系統之基本原理、架構與發展、應用及趨勢，各章節主題條列如下：第一章太陽能與光電半導體基礎理論、第二章半導體概念與能帶、第三章光電半導體元件種類、第四章位置編碼器、第五章雷射干涉儀、第六章感測元件（光電、溫度、磁性、速度）、第七章光學影像系統元件、第八章太陽電池元件的原理與應用（矽晶太陽電池，化合物太陽電池，染料及有機太陽電池）、第九章材料科技在太陽光電的應用發展、第十章LED 原理及驅動電路設計、第十一章散熱設計及電路規劃、第十二章LED 照明燈具應用；各章節內容分明，清楚完整。 　　本書可作為大專院校專業課程

教材，適用於光電、電子、電機、 機械、材料、化工等理工科系之教科書，同時亦適合一般想瞭解光電知識的大眾閱讀。同時可提供企業中現職從事策略管理、或是新事業開發、業務、行銷、研究、企劃等人員作為參考，或給有興趣學習與研究的學生深入理解與認識光電科技。 本書特色 　　．本書為教育部顧問室「半導體與光電產業先進設備人才培育計畫」之成果。　　．包含了光電系統之基本原理、架構、發展、應用及趨勢，章節清楚完整。　　．可作為大專院校專業課程教材，適用於光電、電子、電機、 機械、材料、化工等理工科系之教科書，同時亦適合一般想瞭解光電知識的大眾閱讀。 作者簡介 林奇鋒 　　現職：聯合大學光電工程學系助理教授　　學

歷：國立台灣大學光電工程學研究所博士 林宸生　　　　現職：逢甲大學自動控制系特聘教授　　學歷：中央大學光電博士 張文陽 　　現職：虎尾科技大學機械與電腦輔助工程系助理教授　　學歷：國立成功大學工程科學所博士 王永成 　　現職：雲林科技大學機械工程系暨產業精密機械研究所副教授　　學歷：德國伊棉瑙工科大學工學博士 陳進益 　　現職：虎尾科技大學機械與電腦輔助工程系助理教授　　學歷：國立台灣科技大學電機所博士 李昆益 　　現職：中華科技大學電機系教授 　　學歷：　　大同大學電機工程博士　　俄羅斯 VNIISIMS 國家半導體材料研究所   進修藍寶石長晶技術 陳坤煌 　　現職：逢甲大學電機工程系教

授　　學歷：國立交通大學光電所博士 李孝貽 　　現職：高雄應用科技大學電機工程系教授　　學歷：國立中央大學光電博士

應用於串接太陽能電池之氧化銦錫與負型矽介面特性提升研究

為了解決單晶矽太陽能電池的問題，作者廖偉程 這樣論述：

本研究論文探討應用於串接太陽能電池之氧化銦錫與負型矽介面特性提升研究，由於氧化銦錫與負型矽的功函數差，使得氧化銦錫與負型矽介面間存在著較高的蕭基能障，因此造成很大的串聯電阻，故本研究擬導入各種金屬於氧化銦錫與負型矽介面降低串聯電阻，導入的金屬有銦、銀、鋁與鋁 /氟化鋰堆疊層，首先，透過 Transfer Length Method (TLM)量測技術，探討各種金屬對接觸電阻的影響，金屬厚度效應亦同時探討，接著利用逆偏電容 -電壓量測及順偏電流 -電壓量測，計算各種介面的蕭基能障高度，最後將前述實驗的最佳參數導入單晶 矽太陽能電池元件，透過不同參數的調整，比較太陽能電池的各種光電特性如光電轉換

效率、開路電壓、短路電流、填充因子與串聯電阻等。實驗結果顯示，對於各種金屬導入氧化銦錫與負型矽介面，金屬鋁 /氟化鋰堆疊層與負型矽介面的結構下，其氟化鋰與金屬鋁厚度分別為 3 nm與 200 nm，負型矽片電阻為123.98  /sq，可得到最佳的接觸電阻為 9.76 × 10-4  -cm2，蕭基能障高度實驗結果顯示當導入氟化鋰與金屬鋁於氧化銦錫與負型矽介面時其蕭基能障高度降為 0.423 eV，最後將各種最佳參數導入太陽能電池的製作， 實驗結果顯示，在金屬銀 /氧化銦錫 /堆疊層與負型矽介面結構下，其光電轉換效率為 11.57 %、開路電壓為 588 mV、短路電流為 28.5 mA/

cm2、填充因子為 68.88 %及串聯電阻為 4.06  -cm2。當導入金屬銀於氧化銦錫與負型矽介面時，其光電轉換效率最佳增加至 13.26 %、開路電壓為 607 mV、短路電流為28.92 mA/cm2、填充因子為 76.12 %及串聯電阻為 2.3  -cm2。