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單晶矽太陽能電池結構的問題，透過圖書和論文來找解法和答案更準確安心。 我們找到下列線上看、影評和彩蛋懶人包
單晶矽太陽能電池結構的問題，我們搜遍了碩博士論文和台灣出版的書籍，推薦洪敏雄,王木琴,許志雄,蔡明雄,呂英治,方冠榮,盧陽明寫的 工程材料科學(第三版) 和林明獻 的 太陽電池技術入門(第五版)都 可以從中找到所需的評價。
另外網站行政院原子能委員會委託研究計畫研究報告也說明：五、NIP 結構太陽能電池在不同光波長下之特性比較…………17. 六、太陽能電池元件之結構優化…………………………………21 ... 目前低溫薄膜太陽能電池的轉換效率仍然低於單晶矽太陽能電.
這兩本書分別來自全華圖書 和全華圖書所出版 。
國立虎尾科技大學 光電與材料科技研究所 鄭錦隆所指導 吳柏宏的 藉由雷射技術增強高效率射極穿孔式單晶矽太陽能電池之光電特性研究 （2014），提出單晶矽太陽能電池結構關鍵因素是什麼，來自於雷射、射極穿孔、單晶矽太陽能電池、光電特性。
而第二篇論文國立雲林科技大學 機械工程系 劉建惟、蕭育仁所指導 徐忠鴻的 光激發螢光奈米材料對於交指背電極(100)單晶矽太陽能電池應用之研究 （2014），提出因為有 交指式背接觸太陽能電池、結晶矽太陽能電池、頻譜下轉移螢光粉、熱分解法、YVO4: Eu3+、YVO4: Bi3+, Eu3+、(Y, Gd)VO4: Eu3+的重點而找出了 單晶矽太陽能電池結構的解答。
最後網站第五章單晶矽及多晶矽太陽能電池則補充：單晶矽 及多晶矽太陽能電池. 5-1 單晶矽及多晶矽太陽能電池的發展及其演進. 5-2 單晶矽及多晶矽太陽能電池的基本結構及其特 性. 5-3 單晶矽及多晶矽太陽能電池的製程 ...
工程材料科學(第三版)
為了解決單晶矽太陽能電池結構 的問題，作者洪敏雄,王木琴,許志雄,蔡明雄,呂英治,方冠榮,盧陽明 這樣論述：
本書的作者都是目前在各大學任教的老師，我們依個人的專長，分別負責相關章節的撰寫，因此可以對材料科學基本的理論與應用作最適當的詮釋，適合大一、大二同學作為材料入門的教科書，而對工程材料有興趣的在職工程師們也可以作為自修參考之用。 本書的內容與一般材料科學概論最大的不同與特色，是本書的規劃與撰寫係針對台灣的讀者之需求，尤其與台灣近年來高科技產業發展與材料人才的專長需要相呼應，對電子、光電及奈米科技發展所需的材料知識都有深入淺出的介紹。 本書內容涵蓋的範圍很廣，從最基本的材料中原子鍵結與晶體構造與缺陷談起，逐步擴展到相圖，相變化現象的介紹，再談到材料的變形與破壞、
材料的強化、加工與應用，目的在為讀者打下材料科學深厚的基礎。而在工程材料上，對鋼鐵材料的冶煉，輕金屬的加工製造、陶瓷與高分子材料之特性，都作了詳細的介紹，尤其對熱門的光電、電子、奈米科技等更加入了作者的研究心得與工作經驗。 材料科學目前全世界都很熱門，台灣材料人才更是不足，我們希望本書對培養高科技材料人才有所助益，對產業技術的升級，貢獻綿薄之力。 本書特色 1.本書的規劃與撰寫係針對台灣的讀者之需求，尤其與台灣近年來高科技產業發展與材料人才的專長需要相呼應，對金屬、陶瓷、高分子、電子、光電及奈米科技發展所需的材料知識都有深入淺出的介紹。 2.本書內容涵蓋的範圍很廣，從最基本
的材料中原子鍵結與晶體構造與缺陷談起，逐步擴展到相圖、相變化現象的介紹，再談到材料的變形與破壞、材料的強化、加工與應用，目的在為讀者打下材料科學深厚的基礎。 3.工程材料上，對鋼鐵材料的冶煉，輕金屬的加工製造、陶瓷與高分子材料之特性，都作了詳細的介紹，尤其對熱門的電子、光電、奈米科技等更加入了作者的研究心得與工作經驗。 4.本書對材料科學基本的理論與應用作了最適當的詮釋，對工程材料有興趣的在職工程師們也可以作為自修參考之用。
藉由雷射技術增強高效率射極穿孔式單晶矽太陽能電池之光電特性研究
為了解決單晶矽太陽能電池結構 的問題，作者吳柏宏 這樣論述：
本研究中探討使用的Nd：YAG固態雷射，其波長為1064nm、頻率為30kHz及雕刻速度為800 mm/min，藉由調整雷射參數，包括不同的雷射功率、雷射孔洞間距、雷射孔洞寬度及雷射圖案等條件以雕刻出不同密度與大小之雷射孔洞，接著搭配氫氧化鉀 (KOH) 鹼性蝕刻液的濃度及時間等參數移除孔洞周圍之損傷，並以掃描型電子顯微鏡 (SEM) 觀測孔洞大小、形貌變化及損傷殘留情況。同時，當施行銀電極歐姆接觸擴散後在晶片銀電極及鋁電極部分會產生同質擴散，若繼續進行元件製程，則會影響其原件之光電特性，為了改善此現象，將利用雷射移除鋁電極磷擴散部分，接著搭配氫氧化鉀 (KOH) 鹼性蝕刻液的濃度及時間等參
數移除雷射後損傷，進一步探討雷射損傷效應。鑽孔實驗結果顯示，當雷射功率於30 %時，單晶矽晶片被雷射擊穿並有適當的孔洞大小，接著鹼性蝕刻條件在KOH濃度為30%，溫度為83度及蝕刻時間為6分鐘時可將孔洞周圍之損傷完全去除，並有適當完整的孔洞形貌。移除磷擴散實驗結果顯示，當雷射功率於3%時，雷射速度百分比100%，間距5μm為移除最佳參數，配合鹼性蝕刻條件在KOH濃度為5%，溫度為83度及蝕刻時間為10分鐘時可完全移除鋁電極磷擴散部分，而元件可以得到最好的轉換效率為8.05%，Voc為575mV，Jsc為27.3mA/cm2。
太陽電池技術入門(第五版)
為了解決單晶矽太陽能電池結構 的問題，作者林明獻 這樣論述：
近年來，環保意識抬頭，全球皆積極研發使用潔淨的再生能源，以減輕傳統發電方式所產生之污染問題。使得太陽能產業得以被重視，也成為未來能源的趨勢。 本書作者以多年的經驗由淺入深的對於太陽能電池做詳細的解說，對於太陽光電產業與歷史演進及基本理論做簡單的介紹，使讀者有整體的概念，並分別針對多晶矽原料、單晶矽晶片和多晶矽晶片等原料之製造技術做介紹。對於所有矽基太陽電池的製造技術做說明，包含結晶矽太陽電池、薄膜型結晶矽太陽電池和非晶矽太陽電池等。本書對目前轉換效率最高並用在太空領域的太陽電池III-V族化合物太陽電池之製造技術 、 CdTe化合物太陽電池製造技術、CIS和CIG
S太陽電池製造技術、染料敏化太陽電池之製造技術，這些不同的太陽電池介紹其各有的特色。最後將太陽光電系統與應用做簡單的說明，使讀者可以融會貫通並應用於生活上。本書適用於從事太陽電池產業之工程人員及學術研究者所或是有興趣的人士閱讀。 本書特色 1.本書為一本介紹各種太陽電池之製造方法、原料製作及產品應用之入門參考書籍。 2.本書輔以生動的彩色插圖，可以幫助讀者對太陽電池製程與理論之理解與吸收程度。 3.本書不僅為從事太陽電池產業之工程人員及學術研究者所必備之參考書籍，且非常適合非理工背景之一般讀者之研讀。
光激發螢光奈米材料對於交指背電極(100)單晶矽太陽能電池應用之研究
為了解決單晶矽太陽能電池結構 的問題，作者徐忠鴻 這樣論述：
本論文為主要製作交指式背接觸單晶矽(100)太陽能電池及其光伏特性分析。由於交指式背接觸太陽能電池的p型與n型射極金屬電極皆製作於電池背面，該結構電池照光面具有一絕佳之光捕捉能力，因此可大為減少入射光的反射損失。若於IBCSC吸光面塗佈稀土元素Eu3+(銪)奈米螢光粉體，利用下轉移機制，選用適當發光材料吸收轉換效率較低的短波長光子後，再放射轉換效率較高的長波長光子供電池利用，即可改善紫外及藍光區域的外部量子轉換效率。 本研論文之研究主題包含有: (1)使用高少數載子壽命(>/=1000us) N-type單晶太陽能矽晶片(Solar Wafer)、矽晶圓清洗與損傷層去除(Saw
Damage Removal)、不同糙化時間與抗反射率比較、n+ FSF(Front-Side Field)熱擴散與p+/n+片電阻與IC wafer比較，以及接觸孔洞及開孔率效率分析; (2)使用N-type半導體矽晶圓(IC Wafer)製作交指背電極(100)單晶矽太陽能電池，於不同厚度之金屬導電層對該電池效率之影響與分析; (3)以熱裂解方式合成Host:Eu3+螢光體，並運用光學儀器探討各螢光粉體於不同濃度、合成溫度、反應時間以及結晶度等特性分析。本實驗以熱裂解方式合成Host:Eu3+螢光體有Y2O3:Eu3+、YVO4:Eu3+、(Y, Gd)VO4:Eu3+、YVO4:Bi3
+, Eu3+。 將合成好螢光粉體塗佈於太陽能電池照光上表面，並比較光譜轉換效率、外部量子效率以及吸收光譜之量測與分析。最後，應用於交指背電極(100)單晶矽太陽能電池並做特性分析。而塗佈方式有兩種; (一)以旋塗方式，(二)噴塗方式塗佈螢光體於太陽能電池上表面之，其最佳濃度為5mg/mL、體積為0.16mL。研究結果顯示，以熱分解法所合成之奈米YVO4: 5% Eu3+、YVO4: Bi3+, 5% Eu3+,、(Y, Gd)VO4: 5%Eu3+螢光體塗佈後，太陽能電池之效率可分別提升高0.3%、0.8%、0.7%，電流密度分別增加0.8、1.5、1.9mA/cm2。