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黑馬飆股操作攻防術：阿文師的快速致富指南

為了解決大中mosfet的問題，作者連乾文 這樣論述：

　　你真的希望每年賺20%？ 　　還是希望一年賺3倍？   　　如果你一年可以存20萬，一年賺20%，才4萬，有很了不起嗎？有許多股票一年可以漲個好幾倍。你為什麼不試圖去掌握他們？本書告訴你那裡有最好的機會找到一年可以賺好幾倍的股票。買進他們，漲了賺到，沒有漲，持有一檔好股，其實也不錯。退可攻，退可守。 會大漲的股票通常出現在以下地方，本書用大量的案例告訴你，讓你身歷其境，你好像親眼看到樓起、樓塌。   　　特定熱門的產業：有些產業的產值，每年以20%的速度成長，阿文師以他的經驗提出未來幾年被看好的產業及公司，讓你不霧裡看花；高市占而技術突破的公司；跌到谷底而找到第二春的公司；受政府政策推

升的公司；受原物料波動影響的企業。   　　市場上有許多明日之星事後被證明是誤判的例子，他們的錯誤在那，有3個觀察的重點：產品續航力！主力客戶穩固度！關鍵技術能否被主流市場接受？   　　你找到對眼的標的，如果對股票進行評價，很簡單，用本益比和股價淨值比找到合理的價格。 　　當你買進股票，你千萬不可以放著不理，如何觀察它是否在軌道上運行？很簡單看營益率、股東權益報酬率的變化。 　　本書是最「明確」的飆股找尋指南。讓大幅提升你資產一年暴增三倍的機會。   本書特色               　　        　　用實際案例，讓你鑑往知來 　　有一個人向老師學玉的鑑定，老師要他握著一塊玉，然後

天南地北談個沒完，那人敢怒不敢言，想不到天天如此，連續幾個月。有一天他又去上課，老師還是拿一塊「玉」給他握著，他大叫，這不是玉。一個飆股的形成，成因萬端。透過大量案例學習是最好的方法。你也許年紀正輕，來不及趕上許多經典的飆股，但是阿文師在市場上30年了，他詳細的紀錄了許多股票的大起大落。利用他的經驗，你也可以「摸」出飆股的感覺。   　　精準預測！讓你避免盲目跟風！ 　　一個產業如果每年產值成長達20%以上，那所屬的公司自然容易營收、獲利快速成長，而股價也會因為展望佳而出現噴出的現象。只是你怎知一切會依劇本演出。有很多公司，原本被看好，但是看他樓起，看他樓塌，投資他沒有賺到，反而高點套牢。作者

依據他的經驗，指出未來最被看好的產業：雲端產業人工智能、第五代移動通信世代（5G）通訊產業、全螢幕手機概念股、生物辨識產業包括指紋辨識及人臉辨識、真無線藍芽（TWS）產業⋯⋯。而也說明每個產業發展的關鍵。讓你不至於盲目跟風。   專家推薦   　　非凡電視台波浪大師　林隆炫 　　非凡電視台總監　金淼 　　群益期貨董事長　孫天山 　　永豐期貨董事長　葉黃杞 　　萬寶投顧投資總監　蔡明彰 　　品豐大中華投顧董事長　蔡豐勝

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低環路電流與寬範圍輸入三階相移轉換器之研製

為了解決大中mosfet的問題，作者陳琨顗 這樣論述：

目綠摘要 iABSTRACT ii誌謝 iii目綠 iv表目錄 viii圖目錄 ix符號說明 xv第一章 緒論 11.1研究背景及動機 11.2研究內容 31.3論文大綱 5第二章 交換式電源轉換器原理與相關技術 62.1硬性切換技術 62.2柔性切換技術 62.3半橋轉換器介紹 72.4 半橋LLC諧振轉換器簡介 82.5 交流開關控制技術[6] 10第三章 三階相移轉換器簡介 123.1全橋相移轉換器 123.2三階相移轉換器 143.2.1三階相移轉換器工作模式 153.2.2工作模式一(t0～t1) 163.2.3工作模式二(t1～t2)

163.2.4工作模式三(t2～t3) 173.2.5工作模式四(t3～t4) 173.2.6工作模式五(t4～t5) 183.2.7工作模式六(t5～t6) 18第四章 改善環路電流具寬輸入電壓三階相移轉換器動作原理分析 194.1電路架構介紹 194.2大中抽模式動作原理分析 224.2.1大中抽模式工作模式一(t0～t1) 244.2.2大中抽模式工作模式二(t1～t2) 254.2.3大中抽模式工作模式三(t2～t3) 274.2.4大中抽模式工作模式四(t3～t4) 284.2.5大中抽模式工作模式五(t4～t5) 294.2.6大中抽模式工作模式六(t5～

t6) 314.3小中抽模式動作原理分析 324.3.1小中抽模式工作模式一(t0～t1) 344.3.2小中抽模式工作模式二(t1～t2) 354.3.3小中抽模式工作模式三(t2～t3) 374.3.4小中抽模式工作模式四(t3～t4) 384.3.5小中抽模式工作模式五(t4～t5) 404.3.6小中抽模式工作模式六(t5～t6) 41第五章 電路元件設計及分析 435.1電路控制設計 435.1.1相移控制IC介紹 445.1.2閘極驅動IC介紹 455.1.3電壓回授介紹 465.2元件設計 485.2.1三階相移轉換器變壓器T1設計 485.2.2諧

振電感LR1設計 545.2.3半橋LLC諧振式轉換器設計 545.2.4功率開關元件設計 615.2.5整流二極體設計 635.2.6 輸出二極體D7設計 655.2.7 輸出濾波電感設計 665.2.8 輸出電容設計 665.2.9 交流功率開關選擇 67第六章 損耗分析與效率預估 696.1功率開關損耗 696.2三階相移變壓器損耗 696.3半橋LLC轉換器變壓器損耗 716.4諧振電感LR1、LR2損耗 726.5輸出濾波電感損耗 756.6整流二極體損耗 766.7交流開關損耗 776.8轉換器效率預估 77第七章 模擬與實驗結果 797.1 電

路實作規格 797.2 PSIM模擬波形結果 827.3 電路實測波形結果 96第八章 結論與未來展望 1078.1 結論 1078.2 未來展望 107參考文獻 109

SPICE電子電路模擬(五版)

為了解決大中mosfet的問題，作者張文清 這樣論述：

　　SPICE(Simulation Program with Integrated Circuit Emphasis)已經成為微電子領域中，電腦輔助電路分析的標準工具。目前在世界各地，包括北美、台灣、中國、南韓和日本，許多IC設計工程師均以SPICE從事電路分析、設計、模擬和驗證等工作。使用本書可使所學的微電子知識與市場結合、增加職場競爭力。 　　本書榮獲美國柏克萊加州大學IC設計證照學程推薦之中文參考用書；證照學程中的英文版教材係由本書改編而成。因此對於大中華區半導體業界專業人士而言，如果希望在IC設計領域進修並取得國際頂尖一流大學–柏克萊加大–IC設計證照(Certificate)，

使用本工具書將大幅提升學習成效。本書同時為台灣數所國立大學以及中國上海交通大學推薦作為教授微電子及數位與類比積體電路的參考用書。 作者簡介 張文清 Vincent Chang 　　學歷　　台灣大學電機工程博士　　美國南加州大學 (University of Southern California) 企業管理碩士(MBA) 　　經歷　　台灣淡江大學電機工程系副教授　　台灣國防部統一通信指揮部教官　　台灣考試院國家考試典試委員　　台灣億兆科技(股)技術總監 　　現職　　美國柏克萊加州大學IC設計證照-首席主講　　中國上海交通大學密西根學院-企業關係總監　　美國加州Knowledge Master,

Inc. -創辦人 　　著作　　出版14本微電子領域教科書　　發表40篇國際期刊和會議論文 　　張文清博士目前擔任美國柏克萊加州大學IC設計證照首席主講以及中國上海交通大學密西根學院企業關係總監，同時也是美國專業網路線上教育公司Knowledge Master Inc. 的創辦人。他在台灣任職電機工程副教授十年，在微電子、半導體、類比、以及混合信號IC設計領域有20年以上的豐富教學經驗。在台灣、美國、中國、包括加州大學柏克萊分校、加州大學聖地牙哥分校、IEEE 教育學程、以及上海交通大學培育超過三萬名工程師和學生。 　　Knowledge Master獨創的網路中英雙語教學模式榮獲柏克萊加州

大學採用。2007年至今，他協助柏克萊加州大學發展先進網路教學及雙語IC 設計證照， 並獲得柏克萊加大工學院教授和亞太區及美國主要半導體產業領袖的支持。台灣聯電名譽副董事長宣明智表示，這項"獨步全球的柏克萊半導體IC 設計學程，為專業網路教育樹立新的高標準"。台積電副董事長曾繁城博士則認為 "柏克萊IC 設計學程橫跨美國、台灣、和中國，提供在職人士創新的國英雙語發音教學" 。目前攻讀證照學程的專業人士及學生來自全美各州、台灣、中國、印度、英國、德國、義大利、以色列及世界各地。 　　2010年至今，他致力於協助中國上海交通大學密西根學院發展企業合作，包括主辦美國柯惠醫療(Covidien) 的企

業創新和領導力培訓課程 (Innovation Insight, 2011-2013)。同時主持多項創新計劃，合作跨國企業包括奇異(General Electric) 、惠普(Hewlett Packard)、 英特爾(Intel)、西門子(Siemens)、國家儀器(National Instruments)、飛利浦(Philips)、都福(Dover)。 　　張博士出版14本微電子領域教科書，發表40篇國際期刊和會議論文。

應用於第五代行動通訊毫米波系統之相位陣列系統與接收機電路元件之研製

為了解決大中mosfet的問題，作者陳俊年 這樣論述：

本論文之研究主題為應用於第五代行動通訊毫米波系統之相位陣列系統與接收機電路元件之研製。本論文之內容主要分為三個部分。 本論文之第一部分的研究為38-GHz毫米波相位陣列發射機與接收機系統的研製。毫米波晶片設計的部分，以65奈米互補式金屬氧化物半導體製程 (65-nm CMOS) 實現發射機與接收機波束成型電路晶片，以及升頻與降頻電路晶片；以0.15微米砷化鎵假晶高電子遷移率電晶體半導體製程 (0.15-μm GaAs pHEMT) 實現功率放大器與低雜訊放大器晶片。毫米波系統整合部分，以設計完成的毫米波晶片以及邊緣輻射毫米波天線整合於RO4003高頻印刷電路板 (print circu

it board, PCB) 上，實現八路相位陣列發射機以及四路相位陣列接收機子系統模組。並利用此發射機與接收機子系統模組，以垂直疊合的方式實現三十二路相位陣列發射機系統以及十六路相位陣列接收機系統。根據發射機與接收機系統在38-GHz的量測結果，此三十二路相位陣列發射機系統在輸出功率1-dB功率壓縮點 (OP1dB) 的等效全向輻射功率 (equivalent isotropic radiated power, EIRP) 為47.5 dBm；十六路相位陣列接收機系統的輸出功率1-dB功率壓縮點為-4 dBm。此發射機與接收機系統皆支援水平方向 (azimuth) ±60°與垂直方向 (el

evation) ±30°的波束掃描。將此發射機與接收機系統進行四象限振幅調變(quadrature amplitude modulation, QAM) 載波無線對傳測試，於20公尺的傳輸距離可實現 64 QAM/400 M-BR (2.4 Gbps)，256 QAM/200 M-BR (1.6 Gbps)，512 QAM/100 M-BR (0.9 Gbps) 的高速傳輸。與文獻比較，此相位陣列系統的表現相當具有競爭力。 本論文之第二部分的研究為以65奈米互補式金屬氧化物半導體製程實現35-39 GHz線性化差動同相與正交分量 (differential I/Q) 接收機晶片，應用於

第五代行動通訊之毫米波相位陣列系統。本接收機使用多閘級電晶體線性器 (multi-gate transistor, MGTR) 與分割式疊接電晶體線性器 (splitting cascode transistors, SCTR) 分別整合於低雜訊放大器與降頻混頻器，以大幅壓抑三階交互調變訊號功率 (third-order intermodulation power, IM3)，進而提升接收機的1-dB功率壓縮點 (P1dB)，三階截斷點(IP3)以及三階交互調變訊號拒斥比 (third-harmonic rejection ratio，RR3)。根據此接收機晶片在38-GHz的量測結果，在線性

器關閉與開啟的條件下比較，IP1dB提升6 dB，OP1dB提升2.4 dB (IP1dB由 -19 dBm 提升至-13 dBm，OP1dB 由-1.6 dBm提升至0.8 dBm)。根據雙調測試 (two-tone test)，IM3功率降低20-31 dB；IIP3提升13 dB，OIP3提升9.4 dB (IIP3由-11 dBm提升至2 dBm，OIP3由7.4 dBm提升至16.8 dBm)；RR3 小於-40 dBc時的最大中頻(IF)輸出功率提升7 dB (由-12 dBm提升至-5 dBm)，於-30 dBc時的最大中頻輸出功率提升3 dB (由-3 dBm提升至-2 dBm

)。四象限振幅調變載波解調測試實驗結果，在較大的射頻與中頻功率操作時，四象限振幅調變載波的星座圖 (constellation diagram) 在線性器關閉的條件下呈現完全失真 (無法判別)，但在線性器開啟的條件下即回復成良好的星座圖。與文獻比較，本接收機具有良好的IP1dB，OIP3 數值；卓越的IM3功率壓抑能力使IP1dB，IP3，RR3大幅提升。此線性化接收機滿足第五代行動通訊毫米波相位陣列系統的高線性需求。 本論文之第三部分的研究為以0.1微米砷化鎵假晶高電子遷移率電晶體半導體製程實現之寬頻降頻混頻器。此降頻混頻器使用被動式冷偏壓 (cold-bias) 電晶體的電路設計實現

射頻與中頻寬頻的降頻能力。此部分發表兩組毫米波降頻混頻器，第一組為具有高的LO-to-RF隔離度 (isolation) 的單端輸入 (single-ended) 寬頻降頻混頻器，操作頻率為RF 34-53 GHz與IF 4-12 GHz，並應用天文望遠鏡毫米波系統。此降頻器以電容-電感串聯共振電路實現良好的LO-to-RF隔離度，以克服傳統單端輸入混頻器具有較低LO-to-RF隔離度的問題。第二組為應用於5G K/Ka 全頻帶的單平衡 (single balanced) 寬頻降頻混頻器，操作頻率為RF 20-43 GHz與IF 0.1-6 GHz，並具有8-15 Gbps的數位調變訊號降頻能

力。