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國立中興大學 材料科學與工程學系所 武東星所指導 鐘義閔的 矽單晶棒製程之缺陷改善與其對少數載子壽命之影響 （2020），提出太阳能發電英文關鍵因素是什麼，來自於少數載子壽命、晶體原生顆粒、氧化疊差、掃描式電子顯微鏡。

而第二篇論文國立高雄科技大學 電機工程系 卓胡誼所指導 劉聖軍的 太陽能電池於不同程度陰影影響下的特性研究 （2020），提出因為有 太陽能電池、部分遮蔽、旁路二極體的重點而找出了 太阳能發電英文的解答。

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接下來讓我們看這些論文和書籍都說些什麼吧：

除了太阳能發電英文，大家也想知道這些：

矽單晶棒製程之缺陷改善與其對少數載子壽命之影響

為了解決太阳能發電英文的問題，作者鐘義閔 這樣論述：

由於半導體晶體是藉由載子的移動進而衍生的發電、發光、發熱等電子元件，且對於太陽能電池的光電轉換效率有直接性的影響，因此少數載子壽命於矽晶體中成為一項重要的檢驗指標。本篇論文是使用直拉式單晶矽長晶爐產出之晶棒，由文獻提到拉速對氧有重要之影響，因為矽晶格中的晶格空位與插入型原子缺陷左右著氧析出物的行為，所以於實驗製程中控制不同的爐體壓力與堝轉條件取得不同間隙氧濃度試片，而許多的微缺陷透過拉速的影響與液體變固體的項變化過程中產生，取下之試片使用Secco蝕刻與高溫濕氧流程，針對晶體原生顆粒與氧化疊差這兩項影響較大的微缺陷進行探討，並利用掃描式電子顯微鏡的形貌確認，接著使用電子顯微鏡對缺陷數量進行計

算，同步觀察缺陷與少數載子壽命的關聯性。由於時間與成本以及繁瑣的長晶製程條件，搭配缺陷蝕刻對載子壽命的分析，整體而言是許多不同複合機制所產生的結果，最後實驗結果表明，影響少數載子壽命的主要因子為氧析出物，首先改善製程中使氧含量變高之因素後，再行降低拉速的製程條件來改善晶體原生顆粒所形成之缺陷，能有效達到少數載子壽命的提升，綜合不同拉速與氧濃度所形成的缺陷對少數載子壽命的影響，此次最優實驗條件的少數載子壽命比其他條件的平均值增加約8倍，有助於未來太陽能電池矽基板的改善方向。

太陽能電池於不同程度陰影影響下的特性研究

為了解決太阳能發電英文的問題，作者劉聖軍 這樣論述：

近年各國對太陽光電的應用逐漸增加，但鑑於太陽光電受陰影影響下的發電效率下降極為嚴重，而過往有關太陽能電池陰影影響的研究文獻，多數是以太陽能電池被完全遮蔽下做探討，但實際應用時所遭遇的陰影狀況，並不單只有完全遮蔽之狀況，故本研究使用特性相近的4片太陽能電池，以四片串聯或二串二並兩種常見的連接方式，在其中一片太陽能電池上施加不同強度的陰影，以研究部分遮蔽對整體特性的影響，並研究有無裝設旁路二極體的實際特性差異。由研究結果可見：二串二並的連接方式，當有局部陰影出現時，若單以最大功率點做觀察，則是否裝設旁路二極體並無顯著的差異。四片串聯連接時，若太陽能陣列上的局部陰影較輕微，則旁路二極體的裝設並無明

顯效果；但如果陰影影響增強，旁路二極體的裝設則將有明顯的發電維持效果。

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