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這兩本書分別來自PCuSER電腦人文化 和麥田所出版 。

長庚大學 電子工程學系 王哲麒所指導 廖欽祥的 氨電漿處理在穿隧氧化層應用於奈米金非揮發性記憶體之研究 (2013),提出快穿 NP 推薦關鍵因素是什麼,來自於非揮發性記憶體、奈米金非揮發性記憶體、氨電漿。

而第二篇論文長庚大學 生物醫學研究所 黃榮棋所指導 楊智軫的 離子通道對大鼠視叉上核神經元興奮性調控的離子機制 (2009),提出因為有 離子通道的重點而找出了 快穿 NP 推薦的解答。

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接下來讓我們看這些論文和書籍都說些什麼吧:

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廁所裡的哲學課:每天14分鐘,跟著蘇格拉底、笛卡兒、尼采等13位世界哲人,秒懂100個最經典的哲學思維【二版】

為了解決快穿 NP 推薦的問題,作者AdamFletcher 這樣論述:

經典哲學,精彩再現 ◎13大哲學家+100堂這輩子一定要搞懂的哲學思辨課,現正開課中! ◎奧地利哲學家+英國幽默作家聯手合作,每天14分鐘,幫助你快速掌握哲學史的大小事 ◎哲學家學派、主張、名言、軼事一把抓,完整圖解,一看就懂! 誰適合讀這本書? □每天都會蹲馬桶的人 □想聽起來很聰明的人  □想了解哲學到底是什麼的人 □想透過哲學,解開人生疑問的人 □學生、上班族、家庭主婦、無業者 平均來說,我們每天會花14分鐘蹲馬桶,既然如此,何不善用蹲馬桶的寶貴時間,學點真正有用的東西? 哲學是一個很有趣的學科,但是大家常被各種學派及理論搞得昏頭轉向,這邊一個尼采,那邊一個康德,還有蘇格拉底…

…究竟該聽誰的? 倫敦禿頭男+奧地利哲學家決定聯手合作,盡一己之力普渡眾生!兩人從古今中外兩千多年的歷史中,選出13位世界哲人,設計出100堂課,用白話文解釋你這輩子一定得搞清楚的哲學思維,帶領大家打開哲學的大門。 ★精選課程預告 哲學到底是什麼? 哲學家的樣貌 柏拉圖和蘇格拉底的關係? 哪位哲學家強調小確幸的重要性? 尼采的「超人」說,到底在說什麼? 「我思故我在」真正的意涵是? 何謂「邪惡的平庸性」? 當蘇格拉底化身為專欄作家…… 所謂的「斯多葛學派」是什麼意思?電影裡有哪些名人是此派擁護者? ★本書特色 【13大哲學家,完整收錄】 蘇格拉底 柏拉圖   亞里斯多德 奧里略 伊比鳩

魯 孔子 笛卡兒 休謨 康德 馬克思 尼采 維根斯坦 波普爾   【100堂最經典的哲學思維】 哲學的目的 柏拉圖的洞穴說 蘇格拉底反詰法 漢娜.鄂蘭的主要思想 沙特的自由詛咒說 明希豪森三重困境的真理 蓋提爾難題 特修斯之船的哲學悖論 傅柯的知識考古學 何謂海德格的「此有」? 斯多葛派名人堂 糞便的多元哲學觀 如何確定我們不是活在電腦程式裡 如何在兩週內失去靈魂…… 【隨書附綠】 13大哲學家檔案+哲學家的廁所平面圖 各大哲學學派解說(白話版) 哲學家名言(另附反諷版) 哲學期末考(附解答) 結業證書(已加蓋認證章) 各界好評 祁立峰(中興大學中文系副教授) 耿一偉(導演/策展人) 凌

性傑(作家 ) 厭世哲學家(高中教師) 冀劍制(華梵大學哲學系教授) 螺螄拜恩(暢銷作家) 使用警語:「如廁時閱讀請慎重考慮,有50%的讀者笑死在馬桶上;49%的讀者欲罷不能,坐太久而得痔瘡!」──螺絲拜恩(暢銷書人氣作家) 「這本書跟市面上『淺顯易懂』的哲學入門書大不相同,如果只是在上廁所時讀,也未免太可惜了(而且會便秘吧)!所以我建議大家在通勤時或睡前閱讀,提升自己的思辨能力!也適合匆忙的上班族或學生!」──厭世哲學家(高中教師) 「上廁所的十四分鐘,讓讀者深入淺出理解哲學題目、流派、主張和名言,這大概就是莊子說的『道在尿溺』的深度示範了吧!」──祁立峰(中興大學中文系副教授) 「

妙言妙語!許多地方點中了哲學問題的核心笑穴。」──冀劍制(華梵大學哲學系教授) 「這本書把哲學講得很幽默,很有創意。莊子說道在屎溺間,讓你不想走出廁所的,一定是最偉大的。」──耿一偉(導演/策展人) 「為真實尋求真理,你這輩子必須至少懷疑一切一次。」──笛卡兒 「兼具知性與娛樂!是我讀過最好玩、最好笑的書。等不及讀第二次了!」──亞馬遜讀者五顆星推薦 「我已經學哲學八年了,所以我很好奇這本書會怎麼在廁所裡教哲學。作者巧妙的結合幽默與哲學學說,讓人耳目一新!喜歡大笑和哲學的人都應該買這本書,我超推薦!」──亞馬遜讀者二號(也是五顆星推薦) 【編輯私心推薦】 打開這本書,你將發現豐富又好

玩的哲學知識,除此之外,你還可以走進偉大哲學家如柏拉圖、尼采的廁所。在這100堂課裡,作者細心整理了哲學家的生平、軼事、名言,還順便教你如何分辨真理與智慧。如果你在廁所裡待得夠久的話,還可以知道我們究竟是不是活在電腦程式裡?根據笛卡兒的二元論,殭屍到底存不存在?如果想放鬆一下,此書也有哲學賓果、生命超市情境題、人生彩券可供消遣。 (此書非常適合喜歡思考人生大哉問、初入哲學殿堂的讀者) 使用警語:「如廁時閱讀請慎重考慮,有50%的讀者笑死在馬桶上;49%的讀者欲罷不能,坐太久而得痔瘡!」──螺絲拜恩(暢銷書人氣作家) 

氨電漿處理在穿隧氧化層應用於奈米金非揮發性記憶體之研究

為了解決快穿 NP 推薦的問題,作者廖欽祥 這樣論述:

指導教授推薦書論文口試委員會審定書致謝…………………………………………………………………..iii摘要………………………………………………………………….ivAbstract……………………………………………………………..vi目錄………………………………………………………………......viii圖目錄……………………………………………………………..xi表目錄……………………………………………………………...xviii第一章:簡介……………………………………………………......1 1.1背景……………………………………………………..........1 1.2半導體奈米

晶體記憶體………………………………..........3 1.3金屬奈米晶體記憶體………………………………...............4 1.4電漿處理與能帶工程………………………………...............4 1.5研究動機……………………………….......................................4 1.6論文架構……………………………….......................................5第二章:利用快速熱退火與化學沈澱塗抹方式製作奈米今非揮發性記憶體之材料分析與電性探討比較………………........

........................12 2.1簡介……………………………………………………........12 2.2實驗………………………………………………………...13 2.2.1材料分析片的製程………………………………….14 2.2.2電性分析試片的製程……………………………….14 2.3結果與討論………………………………………………...15 2.3.1物性上的分析……………………………………….15 2.3.2電性上的分析……………………………………….16 2.3.3元件模擬

模型建立………………………………….18 2.4本章總結………………………………………………........20第三章:利用氨電漿處理在穿歲氧化層上改善奈米金微粒非揮發性記憶體之電子寫入能力……………………………………….............42 3.1簡介………………………………………................................42 3.2實驗………………………………………................................42 3.2.1材料分析製程步驟…………………............................

..43 3.2.2電性分析製程與模擬步驟…………..............................43 3.3結果與討論………………………………................................44 3.3.1材料分析…………………………...................................44 3.3.2電性分析…………………………...................................45 3.4本章總結………………………….............................

..................47第四章:結論與未來展望………………...............................................70 4.1結論………………………………………................................70 4.2未來展望…………………………………................................71參考文獻…………………………………...............................................72附錄…..…………………………………..............

....................................76 附錄1:Image J軟體介紹……….....................................................76附錄2:計算出奈米顆粒數量、大小、密度及覆蓋率……..76附錄3:Image J分析出的結果貢獻…............................................77附錄4:總結…………………………..............................................77圖1-1浮動閘極非揮發性記憶體結構圖……………………

……….7圖1-2電子從浮動閘極藉由缺陷漏出示意圖……………………….7圖1-3 Gd2O3結晶(crystal)與非結晶(amorphous)結構圖…………...8圖1-4金奈米晶體結構圖…………………………………………….8圖1-5利用高介電值氧化層堆疊改善穿隧氧化層………………….9圖1-6利用高介值氧化層取代二氧化矽作為阻隔氧化層………….9圖1-7 SONOS非揮發性記憶體結構圖……………………………...10圖1-8 奈米晶體非揮發性記憶體結構圖…………………………....10圖1-9穿隧式電子顯微鏡(TEM)之奈米矽晶體記憶體……………..11圖1-10金屬奈米晶體形成機制圖……

……………………………...11圖2-1利用快速熱退火製程奈米金微粒流程圖…………………….21圖2-2利用化學沈積塗抹製成奈米金微粒流程圖………………….21圖2-3掃描式電子顯微鏡(SEM)之Self-assembled(SA)奈米金微粒之分析圖…………………………………………………………………....22圖2-4掃描式電子顯微鏡(SEM)之Suspension-coated(SC)奈米金微粒之分析圖………………………………………………………………....22圖2-5 SA與SC之奈米金微粒密度比較………………………….....23圖2-6 SA與SC之奈米金微粒直徑大小分布…………………

….....23圖2-7紫外光光電子能譜儀(UPS)之奈米金分析………………….....24圖2-8(a)紫外光光電子能譜儀(UPS)之奈米金/二氧化矽(SA)分析......24圖2-8(b)紫外光光電子能譜儀(UPS)之奈米金/二氧化矽(SC)分析.......25圖2-9 SA奈米金微粒非揮發性記憶體元件能帶圖………………....25圖2-10 SC奈米金微粒非揮發性記憶體元件能帶圖…………….......26圖2-11穿隧式電子顯微鏡之奈米金微粒記憶體結構圖(SA)…….....26圖2-12 EDX元素分析圖(SA/SC)……………………………………..27圖2-13 SA電子寫入之

電容-電壓圖……………………………….....27圖2-14 SC電子寫入之電容-電壓圖. ………………………………....28圖2-15 SA與SC電子寫入速度比較………………………………....28圖2-16 SA電子抹除電壓為-8V之電容-電壓圖……………………..29圖2-17 SA電子抹除電壓為-10V之電容-電壓圖………………….....29圖2-18 SA電子抹除電壓為-12V之電容-電壓圖………………….....30圖2-19 SC電子抹除電壓為-12V之電容-電壓圖…………………….30圖2-20 SC電子抹除電壓為-14V之電容-電壓圖…………………….31圖2-21 SC

電子抹除電壓為-16V之電容-電壓圖…………………….31圖2-22 SA與SC電子抹除速度比較圖……………………………....32圖2-23 SA與SC室溫(25oC)下電子儲存能力………………………..32圖2-24 SA與SC 55oC下電子儲存能力圖…………………………...33圖2-25 SA與SC 85oC下電子儲存能力圖…………………………...33圖2-26 SA與SC資料儲存能力對溫度之活化能比較……………....34圖2-27 SA元件物理能帶與漏電機制示意圖………………………..34圖2-28 SC元件物理能帶與漏電機制示意圖………………………...35圖2-29模擬奈米

金微粒非揮發性記憶體結構圖(a)SA(b)SC………...35圖2-30模擬SA電子寫入的電容-電壓圖(線:模擬,點:量測)…..36圖2-31模擬SC電子寫入的電容-電壓圖(線:模擬,點:量測)…....36圖2-32模擬SA電子存入奈米金微粒後的電場分布圖……………..37圖2-33模擬SC電子存入奈米金微粒後的電場分布圖……………...37圖2-34模擬SA與SC電子寫入速度比較圖(線:模擬,點:量測)..38圖2-35模擬SA電子抹除電壓為-8V之電容-電壓圖(線:模擬,點:量測)……………………………………………………………………….38圖2-36模擬SA電子抹除電壓為-10V之電容

-電壓圖(線:模擬,點:量測)…………………………………………………………………….39圖2-37模擬SA電子抹除電壓為-12V之電容-電壓圖(線:模擬,點:量測)…………………………………………………………………….39圖2-38模擬SC電子抹除電壓為-12V之電容-電壓圖(線:模擬,點:量測) ……………………………………………………………………40圖2-39模擬SC電子抹除電壓為-14V之電容-電壓圖(線:模擬,點:量測) ……………………………………………………………………40圖2-40模擬SC電子抹除電壓為-16V之電容-電壓圖(線:模擬,點:量測) …………………………………………

…………………………41圖2-41模擬SA與SC電子抹除速度比較圖(線:模擬,點:量測)...41圖3-1(a)過濾系統架設於PECVD腔體(b)兩層互補的石英板有效降低電漿傷害示意圖…………………………………………………………...49圖3-2掃描式電子顯微鏡之無氨氣電漿處理奈米金微粒材料分析…50圖3-3掃描式電子顯微鏡之一分鐘氨氣電漿處理奈米金微粒分析…50圖3-4掃描式電子顯微鏡之三分鐘氨氣電漿處理奈米金微粒分析…51圖3-5掃描式電子顯微鏡之五分鐘氨氣電漿處理奈米金微粒分析…51圖3-6比較不同電漿時間處理下之奈米金微粒大小分布……………52圖3-7比較不同電漿時間處理下之奈米金微粒

在氧化層上的密度…52圖3-8 X射線光電子能譜儀之1分鐘電漿處理穿隧氧化層表面分析..53圖3-9 X射線光電子能譜儀之1分鐘電漿處理穿隧氧化層深度1nm分析…………………………………………………………...........................53圖3-10 X射線光電子能譜儀之1分鐘電漿處理穿隧氧化層深度2nm分析…………………………………………………………......................54圖3-11 X射線光電子能譜儀之1分鐘電漿處理穿隧氧化層深度3nm分析…………………………………………………………......................54圖3-12 X

射線光電子能譜儀之3分鐘電漿處理穿隧氧化層表面分析…………………………………………………………...........................55圖3-13 X射線光電子能譜儀之3分鐘電漿處理穿隧氧化層深度1nm分析………………………………………………………...........................55圖3-14 X射線光電子能譜儀之3分鐘電漿處理穿隧氧化層深度2nm分析………………………………………………………...........................56圖3-15 X射線光電子能譜儀之3分鐘電漿處理穿隧氧化層深度3nm分析…………………………………………………

……...........................56圖3-16 X射線光電子能譜儀之5分鐘電漿處理穿隧氧化層表面分析…………………………………………………………...........................57圖3-17 X射線光電子能譜儀之5分鐘電漿處理穿隧氧化層深度1nm分析………………………………………………………...........................57圖3-18 X射線光電子能譜儀之5分鐘電漿處理穿隧氧化層深度2nm分析………………………………………………………...........................58圖3-19 X射線光電子能譜儀之

5分鐘電漿處理穿隧氧化層深度3nm分析………………………………………………………...........................58圖3-20電漿處理時間1min、3min、5min的SiN與SiO比例深度分布圖………………………………………………………………………...59圖3-21氨氣電漿處理在穿隧氧化層上後奈米金微粒非揮發性記憶體元件結構圖……………………………………………………………...59圖3-22不同氨氣電漿處理時間之F-N tunneling電流密度-電壓圖…60圖3-23模擬不同氨氣電漿處理時間之F-N tunneling電流密度-電壓圖(線)………………. ……………

………………………………………..60圖3-24模擬不同氨氣電漿處理時間之F-N tunneling能障(線)……...61圖3-25為經過氨氣電漿處理之奈米金微粒非揮發性記憶體結構圖..62圖3-26一分鐘氨氣電漿處理之奈米金微粒非揮發性記憶體結構圖..62圖3-27三分鐘氨氣電漿處理之奈米金微粒非揮發性記憶體結構圖..63圖3-28五分鐘氨氣電漿處理之奈米金微粒非揮發性記憶體結構圖..63圖3-29一分鐘氨氣電漿處理後電子寫入速度電容-電壓圖………….64圖3-30三分鐘氨氣電漿處理後電子寫入速度電容-電壓圖………….64圖3-31五分鐘氨氣電漿處理後電子寫入速度電容-電壓圖………….65

圖3-32寫入電壓為10V之電子寫入速度比較圖…………………….65圖3-33寫入電壓為12V之電子寫入速度比較圖…………………….66圖3-34寫入電壓為14V之電子寫入速度比較圖…………………….66圖3-35室溫(25oC)下電子儲存能力圖………………………………...67圖3-36 55oC下電子儲存能力圖……………………………………....67圖3-37 85oC下電子儲存能力圖……………………………………....68圖3-38不同電漿處理條件下電子儲存能力對溫度之活化能圖……68圖3-39不同電漿處理條件下能帶改變趨勢圖(E:電廠)……………...69附圖1用Image J開啟SE

M圖檔……………………………………78附圖2將像素轉換成奈米單位……………………………………….78附圖3調整顆粒與背景顏色………………………………………….79附圖4被分析的奈米顆粒呈現紅色………………………………….79附圖5 Summary表格………………………………………………....80附圖6 Results表格……………………………………………….........80表3-1依據矽氧與矽氮比例模擬F-N電流所得到的穿隧氧化層介電係數表……………………………………………………………………...61

致我所愛之人(全球獨家限量珍藏夾鏈袋版)

為了解決快穿 NP 推薦的問題,作者東直子 這樣論述:

讀完後,馬上想和心愛的人見面的書No.1 如果離開人世後,只能成為一件物品, 你會選擇成為什麼?留在誰身邊? =本書特色= 1隨書附贈首刷全球獨家限量珍藏夾鏈袋 出版社全力為讀者策畫祝福版 2日本書評網站掀起閱讀熱潮:「讀完後,馬上想和心愛的人見面。」「告訴我『幸福』是什麼的一本小說……」 3日本讀者10代女性到60代男性熱烈回響,一個月內銷售100,000本  4日本60間書店熱烈推薦  5全台書店店員與採購一致熱淚讚好:廖美珠(法雅客南西店)、程睿廸(誠品書店總店區採購)、劉彥伯(墊腳石中壢旗艦店店長)、吳佳容(金石堂台中店店長)、紀華慶(金石堂信義店店長)、簡明偉(金石堂汀州店店

長) 、張之維(瑯嬛書屋店長) 、黃景平(墊腳石許昌店店長)、郭玨蘭(金石堂左營店小書僮)、小櫻(金石堂和平店圖書助理)、張瑋(紀伊國屋書店中文採購)、何安琪(紀伊國屋書店微風店)、李世傑(三民書局復北門市襄理)、溫文(三民書局重南門市)、職人米叮(何嘉仁書店民權店)、NP(何嘉仁書店基隆店)、阿堯(政大書城台南店店員)、沉迷嗑糖的Dora(灰熊愛讀書網路書店商品採購)、盧君怡(昇恒昌書店採購)、愷育(MLD 台鋁採購) 、鍾長昇(墊腳石許昌店專員)、黃麗君(墊腳石新竹店店長)、林美奇(墊腳石嘉義店店長)、吳昱瑩(墊腳石台中店專員)、陳祈如(墊腳石台中店專員)、曹秀鳳(墊腳石員林店店長)、林庭

赫(墊腳石士林店副店長) 鄭重推購 =內容簡介= 11件物品 11次回頭盼望 11個人生的歸宿  全部的故事充滿了不可思議的光芒! 我希望……可以成為兒子在棒球大賽上、當投手時抹在手上的松香粉。 我想成為丈夫經常捧在手心裡、有著三角龍圖案的咖啡杯。 我想成為心愛的老師在夏天時拿出來的扇子…… 如果死後只能「附身」在物品上, 無法與活著的人交談,也有使用時間的限制, 你一定想見的人是誰,最留戀的東西是什麼? 想親近學長而留在護脣膏上的國中女生、附身於媽媽助聽器的女兒、變成妻子日記的丈夫、成為孫子相機的奶奶…… 藉由成為物品,記錄生前的心動與遺憾,再次確認在意的是氣味、手感,還是溫度,

即使對方聽不見,也願意陪伴,這是不捨,也可能是最後一次的守護;會不甘心,也可能嫉妒...... 藉由一件物品,與自己的人生重新相遇, 旁觀生命最重要的、從來不曾意識的微小幸福…… =日本媒體、讀者好評回響= ●因為死亡想起了錯失的時間而感到難過,變成物品後又再次面臨與重要的人的離別,本書的故事並不是每篇都有明亮的結局。但是,死去後再次變為「物品」,再次確認自己生前的「幸福」,感受到生前不曾領會過的「幸福」。如此這般,這本書帶給了讀者平常不會意識到的微小幸福。——《達文西》雜誌書評 ●大部分的人應該都設想過,自己死掉後,周圍的人會有什麼反應?這是一本在這樣好奇心之下述說的小說集。各式各樣

的靈魂、為了守護著最留戀的人而依附在物品上。敘事上實驗性地使用了備受限制、和物品同化的第一人稱視點。但這部小說並不只是以發想取勝的小說。沒有娛樂效果的起承轉合,搖擺的「我」降落在所愛戀的地點上一般,故事俐落結束。雖然很輕,卻很深刻。帶有文學氣息。——読書メーター書評 ●被附身的物品無法向他人告訴自己的存在,也不能動彈。然而,亡者還是選擇讓靈魂棲宿在心愛的誰的物品之中。在這種過於無情的設定下以濃郁情感編織而成的故事,彷彿在窺探著誰的祕密似的,偶爾會感受到某種背德感。但是,從這樣的情緒之中,那些亡者的靈魂也受到了解放吧。在這樣反覆思考中,寂寞感不知不覺如波浪般襲來。深沉得恐怖的愛意在波光之間閃閃

發亮,一邊散發著光芒,一邊遠去。——《謝謝你,在世界角落中找到我》漫畫原作者河野史代 ●「如果是我的話,會想要附身在什麼物品上?」讀完後會想和旁人討論,重新思考自己現在活著這件事。遇見這本書真是太好了,是讓人想一再重讀的一本書。 ●至今為止的人生中有過好幾次悲傷的永別,《致我所愛之人》讓我想起了那些重要的人的面容,內心也變得溫暖了起來。 ●或許我身邊的物品中也藏有思念我的靈魂在裡頭,這樣想之後,就覺得更能好好的活下去 ●這本書讓我重新體認到:能待在重要的人身邊,是多麼幸福的事! ●讀完後,想起家人過世時,有人告訴我「就算家人過世了,一定也還在你身邊守護著你」而哭了的往事。即使知道這是

不可能的,但這樣想就能讓心裡好過一點。《致我所愛之人》是死去的人以物品作為媒介存在的故事,雖然是哀傷的故事,但讀完後會感受到光明和溫柔。 ●人死去之後會附身於物品之上的故事。每篇故事中,亡者選擇的物品讓人領會「原來如此」。讀完後會想好好珍惜自己還活著的時間,內心也變得溫暖起來。 ●在各種狀態下抱著遺憾而亡的人們的故事。出乎意料的是以亡者為主角的故事,亡者的思念附身在物品之上、完成未竟遺願的故事發展卻很引人入勝。故事最後有寂寞、空虛、後悔或安心,每個結局都有其道理,並讓人想好好珍惜從今以後的人生。 ●「如果是我的話,會選擇附身在什麼物品上???」每讀完一篇故事就不禁重新思考這個問題,思考著

自己死後還想待在誰的身邊。附身於會勾起回憶的物品或身邊事物上,或許就等同於「即使那個人死了,也還活在我們之中」這樣的想法吧。 ●一開始抱著「這樣的設定好像很能預測故事發展」的想法,讀著讀著,不禁感到寂寞、開心又痛苦。對自己而言重要的人們,他們步上人生的道路,而身邊沒有自己的存在,自己的意識也無法左右他們。被無視、什麼也辦不到的心情是多麼地痛苦。如果我死了,我不想要附身在物品上,不想干涉他們往後的人生,也不想看,就算被遺忘也沒關係。讀完後,讓人想再好好地在這世界上多活久一點。 =台灣書店門市店員、採購鄭重推薦= ◆透過往生者對生前所愛之人、執著之事的角度,藉由憑依這樣看似抽象確又可行的行為,

述說一則則放下與放不下間,交織而成的故事。身為主人翁的我們不禁思索:如果有天終需別離,我們是否有足夠的勇氣與智慧面對一切?──程睿廸(誠品書店總店區採購) ◆短暫的停下腳步,給自己一杯咖啡的時間,放開手機、放開電視與電腦,共同的尋找《致我所愛之人》,不用等到憑依那一天才表達出自己的愛,願你我與所愛之人,幸福的過每一天。──劉彥伯(墊腳石中壢旗艦店店長) ◆溫柔的選擇一種「憑依」,再度回到愛的人身邊,是多麼珍貴的時刻。即使最終還是得道別,但至少能把生前的遺憾再圓滿一次。這本書絕對可堪稱2019年催淚代表作,句句深入心坎,感同身受。此時此刻,突然好想念身邊重要的人。──吳佳容(金石堂台中店店長

) ◆從事書店工作這麼多年,看過也親身經歷過那麼多的生離死別,漸漸發現,堅強的故事太剛毅太尖銳,只有脆弱的故事才能打動人心,賺人熱淚。從小學校就教育我們,要堅強,要勇敢,要正面積極,不允許我們談悲傷、論脆弱,其實所有的成功,都是從脆弱一步一步開始累積的。 本書作者以平實簡樸的文字,描寫生離死別後的思念與情懷,真摯動人,會讓人一直想閱讀下去,而且每一個故事,不論是談親情、說愛情,都很日常,彷佛是發生在我們周遭的故事一樣,心有戚戚焉。──紀華慶(金石堂信義店店長) ◆人生在世界上,有許多令人留戀的人事物,令人遺憾,也令人懷念,更何況離開了人世。如果可以憑依在自己留戀的人身邊的話,相信會是一個讓

人難捨的抉擇。書中以故事來串聯各自的心中想傳達的意念,既溫馨又純真,讓人重新懷念起最單純意念與心中珍惜的人。──簡明偉(金石堂汀州店店長) ◆這是一則則關於逝者、也關於生者的故事。我們都害怕摯愛之人有一天會從自己的生命完全離開,然而卻無力抵抗這天地間的恆理,也正因如此,學習告別至為重要。這本書透過逝者的「憑依之物」,敘說一段段不同的生命故事,那同時也是一個個生命的課題:愛、嫉妒、責任、奉獻,以及如何行過幽谷,再生出前行的力量。──張之維(瑯嬛書屋店長) ◆推薦給讀者,希望讀者能用不同的心境,能用靜下心的心境,去感受,去在乎離開所愛的人,之後還不捨的那種心境。無論大人小孩,環境為何,這都是人

與人之間的一份心與情,抹滅不掉的憑依。──黃景平(墊腳石許昌店店長) ◆讓遺憾不再是遺憾,若死後能以「附身」在物品上的方式回到人世,這本書能滿足我的想像。──郭玨蘭(金石堂左營店小書僮) ◆這是一本讓您回憶起溫暖滋味的書,包含生活的感人故事,讓您再次重新好好感受待在所愛之人身邊的幸福,讀過這本書,讓我記起一句話:「愛會陪在我們身邊,不論以什麼形式存在!」──小櫻(金石堂和平店圖書助理) ◆雖然故事都開始於一種類似困惑、不甘心的情緒裡,但經由作者說故事的功力,結局最後卻讓人有溫暖欣慰的感覺。──張瑋(紀伊國屋書店中文採購) ◆每篇故事不同的身分角色,不同的憑依物,所表現的種種情感,有的令

人感到溫暖,有的令人鼻酸,希望讀者也能感受種種情感,在活的時候珍惜身邊的人。──何安琪(紀伊國屋書店微風店) ◆憑依這一個題材,會讓人勾勒出,那些曾經美好的,卻無法好好地被記憶、被懷念,藉著每一個憑依的故事裡,為何成為憑依之物,怎麼地去憑依他,用各種可能,去完成當初無法做到的。進而沉澱自己,最後安置在心裡的一角,完成了遺憾。讓每一個故事都能適得其所,是美好的。──李世傑(三民書局復北門市襄理) ◆這本書在「死後附身」的前提下,讓死者得以用物品的角度與自己重視的人(使用者)重新相處,除了人和人之間的羈絆外,也有人和物品共同的回憶;我們無法像書中的角色一樣有「再一次」的機會,不管是物品或是人,

這輩子碰到的機會可能就這麼一次了。書店店員和購書的讀者的交流也是如此,藉著這本書,我開始認真地看待每個當下,也希望透過它,充分享受與顧客的一期一會。──溫文(三民書局重南門市) ◆「被遺忘了,才是真正的死去。」即便身影不再,但能知道自己一直被惦記著、被想念著,是非常幸福且感激的。書中一段段隔著生死的相互牽掛,心酸卻又溫暖。或許從此之後,重要的不是死而無憾,而是祈求能活得不被遺忘。──職人米叮(何嘉仁書店民權店) ◆東直子用簡單的筆觸勾勒生活中的小事,透過死亡的人回望生者,將日常寫成最美好的思念,我想將份溫暖致 我所愛之人。──NP(何嘉仁書店基隆店) ◆最近這幾年同志的議題高漲,在此我

也跟風一下。假如我不幸離世,我最想成為喜歡的人手上的拋棄式刮鬍刀。我希望能夠再一次親密的碰觸對方的肌膚,為他整理儀容,然後再故意輕咬他一口,留下我給他的痕跡和血液後帶著滿足的心情,離開他,並祝福他在往後沒有我的日子仍可以過得幸福美滿。最後,也祝福各位讀者,找到想要憑依的事物,以及關愛的人。──阿堯(政大書城台南店店員) ◆特別想將這本書推薦給青春期的孩子。可能大多數人都一樣,在這個人生階段,不自覺地揮霍、辜負。總得一些經歷後才察覺,成長根本是不斷說再見的過程。如果這本書能對孩子們提個醒,許多人和事,其實是可一不可再,那就太好了。另外也想推薦給被生活磨礪得硬邦邦的人。日子過著過著,工作做著做著

,就忘了時間是有限的,忘了時間從來只是滴答滴答的流逝。道理誰都懂,只是難免需要故事,讓人記得柔軟。閱讀此書時,如果想起什麼憑依的物品,以及跟物品關聯的哪個人,請隨時暫停閱讀吧。打個電話、發個訊息,幾句話也好。不能以為一切有下次,不能老想著等到之後某個日子。現在,當下,此時此刻,就是最好的時候。「來日方長」什麼的……才怪。──沉迷嗑糖的Dora(灰熊愛讀書網路書店商品採購) ◆去年一整年的我經歷了很多事,才發現原來生命可能在一瞬間就突然消失,也讓我深刻的體會簡單的陪伴就是一種幸福,看了這本書更加深我不要讓生命帶著遺憾消失的想法,珍惜當下的每一個瞬間,都將成為美好的歷程。──盧君怡(昇恒昌書店採

購) ◆閱讀時不斷想像思考,如果是自己,會希望成為什麼樣的物品?為什麼?又是希望回去誰的身邊?這樣的過程中,亦是剖析了自己當下的心意,豁然開朗後,該表達的心意,在乎重視的人,真的就要好好去珍惜。──愷育(MLD台鋁採購) ◆此岸跟彼岸。 我們活著的世界叫做此岸,而死後的人所在的那個地方則叫做彼岸。 這本短篇作品集,伴隨著溫暖和嘆息交織在兩者之間, 即便忙碌或只有片刻的休息時間,也很適合一篇篇的讀完這本書。──鍾長昇(墊腳石許昌店專員) ◆在未來的某天,願你跟我一樣,再回憶起所愛之人,都能夠感受的溫暖的幸福,被愛包圍。──黃麗君(墊腳石新竹店店長) ◆你的希望一定會與我一樣。「多希望對方

能看到我」、「多希望對方能摸到我」、「多希望對方能再次叫我」、「多希望對方能知道我一直存在著」──致我所愛的人」,珍惜眼前。──林美奇(墊腳石嘉義店店長) ◆在閱讀時,開始思考當自己面臨抉擇,會選擇誰當作自己留存世上最後時光的憑依。那時腦中或許會閃過許多遺憾,自己未完成的夢想、與朋友的約定、來不及與家人訴說的感情、和情人表達不盡的愛意等。在人生最後的最後猛然驚覺居然有如此多未完成的事情。 不論年齡,我們應該要把握當下努力的為人生畫布添加許多精采,裡頭有你的夢想、友人、親人、愛人,在人生盡頭前該燦爛的走到最後而非如煙花後的餘煙陡留遺憾。──吳昱瑩(墊腳石台中店專員) ◆如果讀者能透過這本書的

故事,更加珍惜身邊的所有東西,用真心去感受亡者生前最喜愛的事物、最常到訪的地點,並且相信亡者會遵守約定:在某個角落看著你。那麼我想亡者便真的能夠依憑在我們身邊,如同故事中敘述那樣,繼續關照深愛的人們,以雙方最思念的模樣,守護對方,一直到沒有遺憾為止。──陳祈如(墊腳石台中店專員) ◆現代人忙於工作,時常忽略周遭的小事,活下當下,愛要及時,誠實面對自己,用心體會生活的點點滴滴,珍惜身邊的每一個人,有些事,現在不做一輩子就沒機會了,其實快樂就在某所愛之人閱讀新個轉角處等待著你,放慢腳步,給自己空間,很多看似微不足道的小事只要勇敢去做,永保美麗人生的賞味期,一點也不難。──曹秀鳳(墊腳石員林店店長

) ◆這本書不只是告訴我們要多愛身邊重要之人這樣的道理,而是在述說生命結束後,藉由附在物品上去得知自己所愛的人過得如何?生時無法相伴一生,死後能用這樣的方式守護對方,這可算是種幸福。──林庭赫(墊腳石士林店副店長) ◆雖然許多東西容易更換,但仍有某種原因長存於身邊的物品,只要留心覺察它所賦予的情感,便可以陪伴一個人再長久一點。──廖美珠(法雅客南西店)      

離子通道對大鼠視叉上核神經元興奮性調控的離子機制

為了解決快穿 NP 推薦的問題,作者楊智軫 這樣論述:

下視丘的視叉上核(SCN)是哺乳類動物主要調控行為及生理功能節律變化的中樞,視叉上核神經元表現具有日週期節律性的自發性動作電位,頻率在白天較高晚上較低,而這樣的節律性變化即便是在腦切片及分離的細胞都仍持續存在著,顯示個別的視叉上核神經元本身就是一個節律的產生器。目前已知,電壓依賴型鈣通道(VDCC)是鈣離子由細胞外進入神經元的主要來源,細胞內鈣離子濃度的變化控制著許多鈣離子依賴性的生理功能,包括有神經傳導物質的釋放,基因的調控,神經活性的調節以及約日周期的相位變化等等。鈣通道可以直接影響膜電位或間接影響鈣離子活化型的鉀離子通道,這些都可造成短期或長期對神經活性的影響。在許多神經元,鈣離子經由

低電壓活化的 (T型) 鈣通道進入趨使細胞產生低閥值波動(low-threshold spike),進而影響由鈉通道調節的動作電位頻率發生burst firing。因此,一般認為T型鈣通道在神經活性及節律性的調節上扮演重要角色。從molecular cloning發現有三種T型鈣通道轉入基因(α1G, α1H, α1I)存在,而視叉上核神經元三種基因都有表現。最近的研究已經定義出分子機制上生物時鐘的調控是 一個轉錄轉譯路徑的回饋控制,然而分子機制到細胞電位活性之間如何連結仍不清楚,而神經元的興奮性變化又與細胞膜上的離子通道息息相關。我的研究焦點主要在探討視叉上核神經元自發性電位變化的離子機制,

由其是鈣離子對自發性電位活性的貢獻,首先我測試了非專一性的鈣通道阻斷劑,Cd2+及Ni2+,對動作電位的影響。結果顯示,動作電位的週期性變化在高電壓活化的鈣通道阻斷劑(Cd2+)下只有些微影響,但在低電壓活化( T型)鈣通道阻斷劑(Ni2+)下卻呈現劑量依賴性的阻斷作用,這結果暗示了T型鈣通道參與調節腹側視叉上核神經元的週期性電位變化。於是,為了進一步探討T型鈣通道對細胞活性的調節機制,在鈣通道的動力學特性上我們以電壓箝制術紀錄 T型鈣通道的電流變化,結果顯示在-50 mV去極化電壓下所活化的T型鈣通道有快速不活化(transient)和慢速不活化(sustained) 兩種。快速不活化的部分

在200μM Ni2+下會明顯被抑制,相反的,慢速不活化的部分則需要相當高濃度的Ni2+才會被抑制,然而無論是哪一種對Cd2+的敏感度差異性皆不大(IC50=160μM)。所以,根據動力學的特性及對Ni2+敏感性不同,我們認為快速不活化的部分應為α1G通道T電流而慢速不活化的部分則類似α1I通道T電流。在視叉上核神經元中,T型鈣電流是否調節電位變化及影響神經元的興奮性仍不清楚,為了回答這個問題,我以電流箝制術紀錄在Cd2+及Ni2+分別阻斷不同的鈣通道下對神經元興奮性,動作電位及膜電位的影響。結果顯示,在200uM Ni2+下呈現明顯抑制神經活性,但只些微影響動作電位的過極化電壓和形狀。然而,

在膜電位變化方面,隨著Ni2+的濃度升高動作電位過極化後膜電位變化的速度逐漸變慢。比較在正常狀態及在Ni2+阻斷T型鈣通道下的成對動作電位表現,可看出200uM Ni2+明顯減緩在動作電位過極化產生後到下一個動作電位產生前的膜電位去極化速度(rate of depolarization),以至於拉長動作電位產生的間隔(interspike interval, ISI),抑制腹側神經 元的電位活性。對比兩項實驗結果可以發現,Ni2+對T型鈣離子通的的抑制作用與其對神經元電位活性的影響效果呈現一致的相關。根據實驗結果顯示,大鼠視叉上核腹側神經元的T型鈣離子通道具有調節自發性動作電位活性的功能。接著

,我以膽鹼類神經傳導物質(CCh)來測試對視叉上核神經元神經活性的影響。已知中樞膽鹼系統具有影響生物時鐘與睡醒周期的功能,其中視叉上核神經元可能參與警醒狀態的調控。而在先前活體(in vivo) 與離體(in vitro)的研究中也顯示,膽鹼類物質(Ach或CCh) 可以造成約日節律的相位偏移及改變視叉上核的神經活性,但其中機制為何仍不十分清楚。因此,為了進一步探討乙醯膽鹼對細胞神經活性的調節機制,我以全細胞(whole–cell) 及膜穿孔(perforated-patch)方式記錄乙醯膽鹼對細胞神經活性及電位 變化的探討,實驗結果發現給予非專一性膽鹼類致效劑carbachol(CCh)對過

半的視叉上核細胞呈現抑制性的神經活性及電位變化,少部分細胞呈現興奮性反應或不反應的特性。對大部分抑制性細胞而言,CCh的作用主要來自於對靜止膜電位的過極化,而誘導膜電位過極化的原因根據我的研究結果顯示是透過活化背景鉀離子通道所導致。這類背景鉀通道對典型的鉀通道阻斷劑TEA及4-AP皆不敏感,但對低濃度的鋇(Ba2+)離子及高濃度的TEA敏感。進一步探討可能參予調節靜止膜電位變化的膽鹼接受器類型,發現蕈毒型膽鹼接受器的 拮抗劑中gallamine (M2)不影響CCh對膜電位的變化,pirenzepine (M1) 可部分阻斷膜電位的過極化,而4-DAMP(M1/4/5)、himbacin及AF

-DX384 (M2/4)幾乎完全阻斷過極化的膜電位變化。因此,根據藥物測試得知CCh對視叉上核神經元電位活性的影響主要是透過M4 蕈毒型膽鹼接受器。至於少數興奮性細胞,CCh則是去極化靜止膜電位使神經活性增強,可能的機制為抑制一種背景鉀通道所產生。整體而言,我的研究提供了T 型鈣通道參與視叉上核神經元自發性電位變化調控的新資訊,T 型鈣通道主要對電位活性的影響是透過 抑制動作電位產生中間的膜電位去極化速率明顯變慢而來。不同於T型鈣通道對自發性動作電位的調控,細胞膜的靜止膜電位變化主要是由背景鉀通道來負責調控,藉由膽鹼類物質透過不同的接受器與離子通道的作用機制可知,膽鹼類物質對神經活性的影響主

要是透過對靜止膜電位的影響所造成。因此,了解不同離子通道對視叉上核神經活性的影響有其不可或缺的必要性。