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國立雲林科技大學 環境與安全衛生工程系 萬騰州所指導 葉秉穎的 以奈米磁性顆粒法及蒸餾濃縮法應用於含硼廢液回收之研究 （2020），提出恆溫水浴槽價格關鍵因素是什麼，來自於硼、硼酸、奈米磁性顆粒、蒸餾濃縮。

而第二篇論文長庚大學 化工與材料工程學系 鄭光煒所指導 游雅茜的 利用化學水浴法製備Cu摻雜Zn-In-S光觸媒電極與其光電性質之研究 （2009），提出因為有 摻雜、光觸媒、化學水浴法的重點而找出了 恆溫水浴槽價格的解答。

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以奈米磁性顆粒法及蒸餾濃縮法應用於含硼廢液回收之研究

為了解決恆溫水浴槽價格的問題，作者葉秉穎 這樣論述：

近年來對於硼廢水的排放檢測管制相當嚴格，檢測超出放流水的管制標準及會遭受高額的罰款。電子產業及半導體業，製程中所產生的廢水大多含有高濃度的硼離子或硼化合物。本研究及為探討如何將含硼廢液利用技術方法將濃度降低以及將硼回收。回收的硼不僅可運用於生活周遭，像是做成殺蟲劑、漂白劑、消毒劑…等，對於人體及動植物也都是重要的元素，一方面可以將廢水濃度降低又可以將硼回收再利用。本研究利用奈米磁性顆粒法及蒸餾濃縮法兩種技術進行探討。奈米磁性顆粒(magnetic nanoparticles, MNPs)之特性為奈米尺寸、高表面積及優良磁性能，可以透過pH值的調整，改變硼物質其負電結構以及奈米磁性顆粒正負電荷

產生吸附的現象，經脫附後可將奈米磁性顆粒重覆再利用。蒸餾濃縮法此技術較為快速簡便且具有節能特性。結果顯示，廢液經由蒸餾濃縮法處理後，可將廢液中的硼收集，並將收集的硼經由ICP儀器檢測，與工業用硼酸的濃度相比近似98%，非常具有回收價值。經蒸餾濃縮此步驟後產生蒸發液，為廢液轉變為廢水的過程，再經由添加奈米磁性顆粒，進行第二次將廢水中的硼吸附，以降低廢水濃度。最終結果顯示，經由兩種技術結合，能有效成功地將濃度從67,500 mg/L降低至3 mg/L，符合現今法規5 mg/L的排放水標準，避免造成河川汙染。

利用化學水浴法製備Cu摻雜Zn-In-S光觸媒電極與其光電性質之研究

為了解決恆溫水浴槽價格的問題，作者游雅茜 這樣論述：

本研究以化學水浴法 (chemical bath deposition )於導電玻璃FTO ( fluorine-doped tin oxide ) 基材上製備不同Cu摻雜比例之Zn-In-S化合物半導體光觸媒電極，並探討摻雜量對於薄膜晶型結構、表面形態、光學與光電化學性質之影響。由X光繞射分析儀 ( XRD )，可知於反應溫度80℃下所成長之薄膜，其結構為立方尖晶石結構；而由場發射掃描式電子顯微鏡 ( FE-SEM )可知，摻雜Cu2+離子之後會有團聚的現象，其團聚隨摻雜濃度增加逐漸減小並呈現不規則的片狀結構。薄膜的直接能隙介於2.51-2.09 eV 之間，間接能隙介於2.09-1.72

eV 之間，皆隨著摻雜量增加而減小；其薄膜膜厚介於521-1259 nm之間。由Mott-Schottky量測與光電流起始電位，可知薄膜平帶電位介於 -0.678至-0.524 V ( vs. NHE ) 間，隨Cu摻雜濃度增加而往正電位偏移。經霍爾效應量測可得到薄膜的載子濃度介於4.24×1013至3.36×1016cm-3之間。在光電流密度量測中，sample (c) 於0.5M K2SO3 水溶液中，當施加偏壓 + 1.0 V ( v.s. Ag/AgCl )，可得到最高光電流密度1.39 mA/cm2。而於穩定性測試中，sample (g)具有最佳的光穩定性。

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