韓劇電影你都看哪一部呢？論文書籍站
明志科技大學 材料工程研究所 徐富勇所指導 李念澤的 銀和鎳奈米顆粒對電沉積氧化亞銅於FTO透明導電薄膜光電化學性質之影響 （2012），提出明志科技大學電子工程系面試關鍵因素是什麼，來自於電化學沉積、快速退火、光電化學性質。
銀和鎳奈米顆粒對電沉積氧化亞銅於FTO透明導電薄膜光電化學性質之影響
為了解決明志科技大學電子工程系面試 的問題，作者李念澤 這樣論述：
本研究以電化學沉積方式製備Cu2O膜於FTO導電薄膜表面，試片為(111)優選取向的Cu2O膜。在Cu2O膜上分別再濺鍍1nm、3nm及5nm的Ag和Ni薄膜。將試片施以200ﾟC、300ﾟC及400ﾟC之快速退火，測試其光電性質。試驗槽中使用0.5 M Na2SO4作為電化學溶液，在150 W鹵素燈照光下，以三極式恒電位儀檢測光電化學化學特性。光電化學測試以線性掃描法、和定電位測試，結構分析與成分分析分別使用XRD、FE-SEM 和 EDS，鍵結能分析則為XPS。 在本研究中Cu2O薄膜隨退火溫度越高有顆粒產生，濺鍍Ag會使顆粒生成加快，濺鍍Ag厚度增加顆粒產生的越多，退火到4
00 ℃後經由XRD證實有大量Cu還原，濺鍍Ni在退火溫度300 ℃則只有少許Cu顆粒產生。經LSV測試Cu2O膜與濺鍍Ag，發現退火溫度200℃光電性質最佳，退火溫度300℃光電性質開始下降。濺鍍Ni則是未退火最佳，且隨退火溫度升高光電性質下降。定電位測試後以ICP檢測，當濺鍍Ag的厚度越厚，Cu金屬離子的含量就分解越多。濺鍍Ni隨著厚度增加，Cu金屬離子的分解量降低，Ni 鍍層 3 nm時達到最低值。Ni 鍍層 5 nm略為升高。由ICP分析結果顯示，濺鍍Ni的Cu2O薄膜的Cu金屬離子分解量遠比無濺鍍Ni的試片還要低。將Cu2O試片進行XPS分析，得知主要峰為CuO(933.55eV)，
其次為Cu(OH)2(934.08eV)化合物，將Cu2O試片濺鍍Ni進行XPS分析，以CuO(933.72eV)為主，Ni 3/Cu2O試片表面主要也是以CuO(933.72eV)為主與Cu(OH)2(934.16eV)化合物，當Ni 3/Cu2O試片做定電位測試後，CuO還原成 Cu2O的含量很低，其Cu2O表面的Ni會使光電極更加穩定，會抑制光電極的CuO還原成Cu2O。