現象界的問題，透過圖書和論文來找解法和答案更準確安心。 我們找到下列線上看、影評和彩蛋懶人包

光師父說心經4 讓生命更豐富

為了解決現象界的問題，作者慧光法師 這樣論述：

　　心不煩惱，才能快樂。   　　上一冊談了六度波羅蜜的布施、持戒、忍辱，本書接續談精進、禪定、般若：   　　精進——修任何善法都必須要精進。愈認識煩惱，你就愈有動力去消滅它；愈不認識煩惱，你就愈可能認敵為友、任它擺布。精進度懈怠。   　　禪定——一般人的眼睛都是向外看的，鮮少有另一隻眼能看見自己。心安住於法上，就是禪定，禪定的心具有專一、安穩、敏銳及清淨的性質。禪定度散亂。   　　般若——樂，沒有永遠的樂；苦，也不是永遠的苦。只要因緣改變，它就產生變化。般若，就是智慧；智慧是一切善法的根本。般若度愚痴。   　　一件事情做久了，就可以看到自己的心。什麼是功德？什麼是生命中最大的功課

？《心經》的智慧將帶我們前往更清淨自在的境地，更靠近自己的心。   本書特色   　　《心經》短短二百六十字，是佛二十二年講經全部的精華。   　　為使一般大眾認識佛法的核心，慧光法師以清晰的邏輯能力及理解力，既深且廣地闡釋了《心經》，並以淺顯易懂的方式帶讀者一步步進入《心經》浩瀚的智慧，《光師父說心經》書系由此誕生。法師將為所有願意探索生命的讀者，直指人生問題的根源，並展開真正解脫的旅程。

現象界進入發燒排行的影片

非等溫複合纖維之界面不穩定模擬分析

為了解決現象界的問題，作者廖婉婷 這樣論述：

界面不穩定及包覆行為時常是分割型複合纖維中的一大罩門，本研究著重探討兩大研究問題，材料採用聚丙烯及聚醯胺，並選擇PTT model作為本質方程式來探討黏彈性流體之各項參數對其影響，除此之外，結合了能量方程式，使用Arrhenius law描述各項材料之溫度的影響，分別探討等溫及非等溫之間的差異，並一一說明黏度效應、彈性效應、剪切應力、流量比值等各項參數在兩大問題中所影響的程度。我們發現到，溫度的加入與高分子的黏性效應有個不可分離的密切關係，而彈性的增長可以帶來包覆情形的額外助力，且不需依靠黏度的差異即可達到預期效果。另外，在界面變化上面，模具的尺寸則使剪切應力的影響更加明顯，特別在兩者流體剛

匯流的位置與進入最小截面積之紡口直管時，波浪型界面不穩定最為顯著，故可以依照溫度的加入來改變黏度、彈性、剪切應力等參數來使不穩定的情形減弱，讓包覆現象的趨勢也能達到所需結果，使塑料得以順利在出紡口後分離，且為共擠壓成型加工上帶來更實際的參考依據。

光師父說心經2 清淨的信心

為了解決現象界的問題，作者慧光法師 這樣論述：

　　「解脫要從心下手，因為苦不從外來，而是來自於我們的心。」   　　《光師父說心經》第二冊談信心的建立，以及思惟和觀察的方法。   　　在我們領會佛證悟的真理之前，必須具有學習和實踐的信心，如果只是停留在情感上的信仰，很容易因為結果不如預期而受到動搖，無法碰觸到佛法真正的智慧。   　　「將我們自心本性的佛叫醒，這就是佛法，讓我們生起清淨的信心。」   本書特色   　　《心經》短短二百六十字，是佛二十二年講經全部的精華。   　　為使一般大眾認識佛法的核心，慧光法師以清晰的邏輯能力及理解力，既深且廣地闡釋了《心

經》，並以淺顯易懂的方式帶讀者一步步進入《心經》浩瀚的智慧，《光師父說心經》書系由此誕生。法師將為所有願意探索生命的讀者，直指人生問題的根源，並展開真正解脫的旅程。

啞鈴型金奈米圓柱-硒奈米球複合結構之合成：硒顆粒數操控與大幅度光譜偏移

為了解決現象界的問題，作者黃昱甯 這樣論述：

　　本研究主要展示在包含金奈米圓柱（gold nanorod; AuNR）的奈米複合結構中操控硒奈米球之顆粒數與展示其光譜特徵波帶大幅度偏移的現象。為了達成大幅度的光譜偏移，以在每個AuNR兩端成長兩顆硒奈米球而得啞鈴型金奈米圓柱-硒奈米球複合結構（Dumbbell Au nanorod-Se nanosphere; D-AuNR-SeNS; 結構具兩顆硒奈米球）為目標，合成策略是採實驗室新開發的「打開與生長」兩階段合成方式，首先暴露AuNR之兩端，再仔細操控硒的表面催化成長於AuNR的裸露端點而得。我們證實導致D-AuNR-SeNS或Q-AuNR-SeNS（Q-tip AuNR-Se na

nosphere; 棉花棒型金奈米圓柱-硒奈米球複合結構，僅具一顆硒奈米球）的結構成因，除了與硒的表面催化成長速率有絕對的關係之外，金奈米圓柱兩端裸露之(100)晶面面積的差異率亦為其本質上的關鍵因素。　　過去我們嘗試將硒奈米球成長於電化學法製備的AuNR(EC)，但只能獲得Q-AuNR-SeNS，我們懷疑AuNR(EC)兩端(110)晶面面積的差異，是造成兩端長硒速率差異的主因。為了挑戰D-AuNR-SeNS的合成，我們使用化學合成法製備直徑更粗的AuNR(C)，同時提高兩端點SeNS生長速率，使端點間的選擇性差異可被忽略。結果顯示D-AuNR-SeNS產率確實與AuNR直徑呈正相關，且在直

徑16.7 nm的AuNR中，可利用前驅物濃度操控D-AuNR-SeNS產率介於0%至60%之間。除此之外，硒在不同直徑AuNR上也觀測到不同的成長機制，在直徑16.7 nm的AuNR硒會先生長上其中一端點，另一端才開始長出，且過程始終維持著約30 nm粒徑差，最終產物亦可觀察到兩端硒奈米球一大一小的不對稱啞鈴型，產率為60%；直徑26.1 nm的AuNR兩端幾乎無時間差地同時生長硒，且D-AuNR-SeNS產率可達90%，驗證了直徑愈大的AuNR，愈適合用於合成D-AuNR-SeNS。　　一個高產率且具良好粒子分散性的D-AuNR-SeNS系統能展現下列兩項SPRlong光譜特性：維持起始物

AuNR的高吸收強度與極大幅度的特徵波帶紅偏移。相較於Q-AuNR-SeNS僅紅位移130 nm，D-AuNR-SeNS展現了285 nm極大幅度的紅位移且維持高吸收強度；這與之前硒生長於長軸上的複合結構表現出強度弱且波帶極寬的SPRlong有所不同。此外，我們以古典靜電場搭配Mie/Drude理論模擬驗證了此光譜大幅度偏移，同時校正了由兩端點SeNS所貢獻給AuNR的介電環境，得到ϵm=3.3的合理估值。最後，由Q-AuNR-SeNS及D-AuNR-SeNS的位移量證實了SPRlong會隨著SeNS數目增加有更大的紅位移，且金奈米圓柱對其端點周圍的介質改變反應相當敏感。