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另外網站B為固定點電荷,相距8a,電量皆為q,在其連線的垂直平分線也說明：8.(帶有負電荷的粒子,射入一外加電場時,受到電場作用而偏移,其運動軌跡如圖所. 示,請推測電場的方向為何? 外加電場 . TEL....... . . .. ...
國立成功大學 電機工程學系 李文熙所指導 古亞師的 連續層蝕刻和高壓退火對high-k金屬柵極 MOSC 和 SiGe FinFET 電特性影響研究 （2021），提出电荷關鍵因素是什麼，來自於顺序层蚀刻、原子层蚀刻、高压退火、界面陷阱。
而第二篇論文國立成功大學 物理學系 林明發所指導 阮維康的 石墨烯和矽烯相關系統的豐富基本特性 （2018），提出因為有 化学键合、第一性原理计算、电荷转移的重點而找出了 电荷的解答。
最後網站電場- 基本介紹則補充：存在於空間的電荷會對其所在的領域的其它電荷依照庫倫定律產生靜電力，而這電荷會產生的靜電力所 ... 此公式由點電荷所產生的電場公式(可由電場定義和庫倫定率推導出).
寬禁帶半導體高頻及微波功率器件與電路
為了解決电荷 的問題，作者趙正平 這樣論述：
《寬禁帶半導體高頻及微波功率器件與電路》重點介紹了SiC和GaN寬禁帶半導體高頻開關和微波功率器件與電路的新進展與實用製備技術。 《寬禁帶半導體高頻及微波功率器件與電路》共5章：章介紹電力電子和固態微波器件的發展及其在雷達領域的應用；第2章介紹SiC和GaN寬禁帶半導體材料，包括SiC和GaN單晶、SiC的同質外延生長、GaN的異質外延生長；第3章介紹SiC高頻功率器件，包括SiC功率二極體、SiC MESFET、SiC MOSFET、SiC JFET、SiC BJT、SiC IGBT和SiC GTO；第4章介紹GaN微波功率器件與電路，包括GaNHEMT、GaN MMIC、E模GaN HE
MT和N極性GaN HEMT；第5章介紹正在發展中的固態新型器件，包括太赫茲器件、金剛石器件和二維材料器件。 《寬禁帶半導體高頻及微波功率器件與電路》可供從事寬禁帶半導體和雷達、通信、電子對抗以及電力電子應用等領域的科研人員參考。 趙正平 江蘇揚州人，研究員級高工，1970年畢業於清華大學無線電電子學系，1982年獲南京工學院電子工程系半導體物理與器件專業工學碩士學位。 1982年至2002年在電子工業部第十三研究所工作，歷任課題組長、研究室主任、主管科研副所長和所長，2002年後參於組建中國電子科技集團公司，歷任黨組成員兼總經理助理和黨組成員兼副總經理。現任中國
電子科技集團公司集團科技委副主任.中國航空工業集團公司外部董事，河北工業大學微電子專業博導。常期從事砷化鎵功率器件與積體電路。微米、鈉米技術和寬禁帶半導體功率器件的開創性研究。在首次突破GaAs功率器件，功率MMIC.星用固態放大器和GaNHEMT功率器件等關鍵技術，獲國家科技進步獎二、三等獎各1次，部科技進步獎一、二、三等獎8次。歷任國家“863”資訊領域專家、國防“973”首席專家和“核高基”國家重大專項專家，1993年獲得特貼專家稱號，1994年獲國家中青年專家稱號。 第1章 绪论 1．1 电力电子器件的发展 1．1．1 Si电力电子器件的发展 1．1．2 宽禁带电力
电子器件的发展 1．1．3 我国电力电子器件的发展 1．2 固态微波器件的发展 1．2．1 Si和GaAs固态微波器件与电路的发展 1．2．2 SiC固态微波器件与电路发展 1．2．3 GaN固态微波器件与电路发展 1．3 固态器件在雷达领域的应用 1．3．1 si、GaAs固态微波器件与固态有源相控阵雷达 1．3．2 SiC、GaN固态微波器件与T／R模块 1．3．3 siC、GaN高频开关功率器件与开关功率源／固态脉冲调制源 参考文献 第2章 宽禁带半导体材料 2．1 氮化镓和碳化硅晶体材料 2．1．1 GaN晶体性质和制备 2．1．2 SiC晶体性质和制备 2．2 碳化硅材料的同质外延
生长技术 2．2．1 SiC同质外延生长方法 2．2．2 SiC CVD同质外延关键技术 2．2．3 SiC外延层缺陷 2．3 氮化物材料的异质外延生长技术 2．3．1 氮化物外延生长基本模式和外延衬底的选择 2．3．2 用于氮化物异质外延的金属有机物化学气相沉积技术 2．3．3 氮化物异质外延生长中的几个重要问题 2．4 宽禁带半导体材料的表征方法 2．4．1 X射线衍射测试 2．4．2 原子力显微镜测量 2．4．3 光致发光谱测量 2．4．4 傅里叶变换红外谱厚度测试 2．4．5 汞探针C-V法测量杂质浓度分布 参考文献 第3章 碳化硅高频功率器件 3．1 SiC功率二极管 3．1．1
siC肖特基二极管 3．1．2 siC PIN二极管 3．1．3 SiC JBS二极管 3．1．4 siC二极管进展 3．1．5 siC二极管应用 3．2 SiC MESFET 3．2．1 工作原理 3．2．2 SiC MESFET研究进展 3．2．3 SiC MESFET应用 3．3 SiC MOSFET 3．3．1 工作原理 3．3．2 关键工艺 3．3．3 SiC MOSFET进展 3．3．4 SiC MOSFET应用 3．4 siC JFET 3．4．1 SiC JFET的半导体物理基础 3．4．2 横向SiC JFET 3．4．3 垂直SiC JFET 3．4．4 SiC VJFET
发展趋势及挑战 3．4．5 SiC JFET应用 3．5 SiC BJT 3．5．1 BJT基本工作原理 3．5．2 BJT基本电学特性 3．5．3 SiC BJT关键技术进展 3．5．4 siC BJT的应用 3．6 siC IBJT 3．6．1 工作原理 3．6．2 SiC IGBT进展 3．6．3 SiC IGBT应用 3．7 SiC GTO 3．7．1 晶闸管的导通过程 3．7．2 关断特性 3．7．3 频率特性 3．7．4 临界电荷 3．7．5 SiC GTO研究进展与应用 参考文献 第4章 氧化镓微波功率器件与电路 4．1 GaN HEMT 4．1．1 GaN HEMT器件工作原
理 4．1．2 GaN HEMT器件的性能表征 4．1．3 GaN HEMT器件关键技术 4．1．4 外D模HEMT器件进展 4．2 GaN MMIC 4．2．1 MMIC功率放大器电路设计 4．2．2 MMIC功率放大器电路制备的关键工艺 4．2．3 外GaN MMIC研究进展 4．2．4 GaN MMIC应用 4．3 E模GaN HEMT 4．3．1 E模器件基本原理 4．3．2 外E模GaN HEMT器件进展 4．3．3 E模GaN器件应用 4．4 N极性GaN HEMT 4．4．1 N极性GaN HEMT原理 4．4．2 N极性GaN材料生长 4．4．3 外N极性面GaN器件进展 4．
5 GaN功率开关器件与微功率变换 4．5．1 GaN功率开关器件工作原理 4．5．2 外GaN功率开关器件进展 4．5．3 外GaN功率开关器件应用 4．5．4 GaN开关功率管应用与微功率变换 参考文献 第5章 展望 5．1 固态太赫兹器件 5．1．1 太赫兹肖特基二极管 5．1．2 太赫兹三极管 5．1．3 氮化物太赫兹固态器件 5．1．4 太赫兹固态器件总结与展望 5．2 金刚石器件 5．2．1 金刚石材料基本性质 5．2．2 金刚石材料生长方法 5．2．3 金刚石器件举例 5．2．4 总结与展望 5．3 二维材料器件 5．3．1 石墨烯材料器件 5．3．2 其他二维材料器件 5．3
．3 二维材料器件制备工艺 5．3．4 总结与展望 参考文献 主要符号表 缩略语
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2021年4月24日撮影
町屋駅前停留場（まちやえきまえていりゅうじょう）
都電荒川線（東京さくらトラム）
1913年（大正2年）4月1日 王子電気軌道（現・都電荒川線）の停車場が稲荷前停留場として開業。
1931年（昭和6年）12月19日 京成電気軌道（現・京成電鉄）の町屋駅が開業。
1942年（昭和17年）2月1日 王子電気軌道が東京市に譲渡され東京市電の一部となる。
1943年（昭和18年）7月1日 東京市電車（市電）が東京都の成立により東京都電車（都電）となる。
1951年（昭和26年） 都電の稲荷前停留場が町屋一丁目停留場に改称となる。
1969年（昭和44年）12月20日 帝都高速度交通営団（営団地下鉄）千代田線の町屋駅が開業。
1974年（昭和49年）10月1日 都電荒川線が成立。
1977年（昭和52年） 荒川線の町屋一丁目停留場が町屋駅前停留場に改称となる。
2019年度の1日平均乗降人員は8,555人。
The camera uses GoPro HERO 9
Machiya-ekimae stop
Toden Arakawa Line (Tokyo Sakura Tram)
It opened on April 1, 1913.
The average daily number of passengers getting on and off in 2019 is 8,555.
相機使用 GoPro HERO 9
町屋站前站
都電荒川線（東京櫻花電車）
它於 1913 年 4 月 1 日開業。
2019年日均上下車旅客8555人次。
相机使用 GoPro HERO 9
町屋站前站
都电荒川线（东京樱花电车）
它于 1913 年 4 月 1 日开业。
2019年日均上下车旅客8555人次。
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Machiya-ekimae 정류장
도덴 아라카와 선 (도쿄 사쿠라 트램)
1913 년 4 월 1 일 개관했다.
2019 년도 1 일 평균 승강 인원은 8,555 명.
連續層蝕刻和高壓退火對high-k金屬柵極 MOSC 和 SiGe FinFET 電特性影響研究
為了解決电荷 的問題，作者古亞師 這樣論述：
未来按比例缩小的Si MOSFET的前景从根本上受到驱动电流饱和的限制. 应结合具有高载流子迁移率和源极注入速度的SiGe MOSFET通道,以规避这种缩放限制, 并允许短通道MOSFET驱动电流的未来发展.因此,突破传统半导体固有的发展局限和摩尔定律的局限,成为寻找下一代半导体材料并研究其相关工艺的根本任务.基于上述困难,本文提出了一种新的制造工艺方法并寻求采用.即,低温高压退火 (HPA) 和顺序层蚀刻 (sALE) 以及该技术的权宜之计已得到彻底研究. 在本研究的第一部分中,6个大气压的高压退火技术(200-450˚C) 作为高 k/金属栅极金属氧化物半导体电容器的金属后退火.
为了验证高压退火(HPA)在提高界面陷阱密度,泄漏问题和平带电压偏移方面的能力,将氧化物陷阱电荷,界面态密度和泄漏电流与其他相同结构的电容器进行了退火处理通过微波退火(MWA)进行比较.HPA 表现出低陷阱密度,表明可能去除电荷陷阱并降低漏电流密度.结果表明, 与高功率微波退火相比,HPA工艺可以有效地减少低温下俘获的电荷,并且低温高压退火后漏电流密度的降低对应于电荷陷阱的减少.低温下的HPA作为高k/金属栅极结构的后金属化退火工艺显示出巨大的潜力,因为它具有不希望的效果,例如Al扩散到介电层中. 在本论文的第二部分中, 针对通过改变工艺参数（例如偏置）来制造MOS电容器,以顺序和连续
层蚀刻的形式使用具有射频 (RF) 和Ar/Cl混合物的等离子体的效应,使用原子层沉积Al2O3高k栅极电介质和TiN金属栅极的金属氧化物半导体电容器,然后集成顺序层蚀刻 (sALE) 和连续层蚀刻(cALE) 进行比较以进一步蚀刻下来并制造高质量的MOS电容器. 为了进一步研究, 还分析了 C-V, C-V 滞后, EOT, I-V, 跨导 (gm) 等电气特性. 一个重要的结果/结果表明, 顺序层蚀刻是抑制漏电流密度(Jg) 的合适选择, 获得良好的电容,正平带偏移.此外,在MOS电容器上进行连续层蚀刻可以实现更低的氧化物陷阱电荷 (Qot) 和界面态密度 (Dit). 在本论文的
第三部分, 通过在500⁰C ~ 600⁰C的低温下应用连续层刻蚀和高压退火,制造了一种改进的电学特性和低损伤的超薄SiGe FinFET. SiGe FinFET可以有效抑制结泄漏, 因此在 VD = -0.1V 时实现了高 ION/IOFF 比 (3.38 × 106 A/µm). sALE 蚀刻的 FinFET 显示出较小的负阈值电压偏移, 在较低鳍片宽度下改进的 DIBL 以及增强的有效迁移率和较低的界面陷阱密度.由于cALE FinFET阈值电压的突然负移和sALE FinFET的改进情况,DIBL受到很大影响.sALE的DIBL为130 mV/V和172 mV/V的cALE,鳍片宽
度为40 nm. 根据理解结果,顺序层刻蚀可以各向异性地刻蚀具有较低表面粗糙度的垂直SiGe Fin结构. 此外,对鳍结构进行高压退火,以恢复等离子体连续蚀刻过程中造成的损坏.sALE 蚀刻 FinFET 的最低表面 (RMS) 为0.17 nm, 而 cALE FinFET的最高RMS为0.28 nm. 对于通过连续层蚀刻技术蚀刻的SiGe FinFET,在鳍宽度= 40 nm 和栅极长度= 100 nm 时获得了88 mV/dec 的最低亚阈值摆动. 根据本研究的结果发现, 在制造 FinFET 器件的高功率方法中,与MWA相比, 顺序层蚀刻技术和高压退火比连续层蚀刻更可靠和成功.
石墨烯和矽烯相關系統的豐富基本特性
為了解決电荷 的問題，作者阮維康 這樣論述：
Geometric, magnetic, and electronic properties of graphene- and silicene-related systems are investigated by the first-principles theoretical framework, including the adatom-diversified geometric structure, atom-dominated energy bands, spatial spin density distributions, spatial charge density d
istributions and its variations, and spin- and orbital-projected density of states (DOSs). Such physical quantities are sufficient to identify the critical chemical bondings. The essential properties are very sensitive to adatom concentration, adatom distributions, doping positions, various kinds o
f adatoms. The pristine monolayer structure can be deformed, buckled, non-hexagonal, and planar after the adatom adsorption and substitution. The critical orbital hybridizations in the C-adatom bondings, the Si-adatom bondings, the finite-size confinements, and the edge structure directly determ
ine the semiconducting, semi-metallic, and metallic behaviors. The diverse spin-dependent electronic properties cover the non-magnetic, ferromagnetic, and anti-ferromagnetic metals, the non-magnetic semiconductors, and the anti-ferromagnetic semiconductors with/without spin splitting. The develope
d first-principles theoretical framework can fully be generalized to other 2D layered systems.