矽太陽能電池的問題，透過圖書和論文來找解法和答案更準確安心。 我們找到下列線上看、影評和彩蛋懶人包

新能源材料與器件

為了解決矽太陽能電池的問題，作者王新東,王萌 這樣論述：

　　本書全面系統闡述了新能源材料與器件，包括能源物理化學、能源存儲與轉化原理、關鍵材料與器件、發展概況和應用前景。在風能、太陽能發電、二次電池、超級電容器、燃料電池和金屬-空氣電池等材料製備與器件技術的基礎上，還針對目前電動汽車和規模儲能應用，介紹了固態鋰電池、質子交換膜純水電解、氫能等前沿材料與器件。本書內容豐富，資料和理論新穎，結構嚴謹。書中有大量習題和思考題，並附有最新文獻，便於深入學習。 　　本書是大學「新能源材料與器件」專業教材，兼顧大學材料、能源、冶金、化學、化工專業高年級及研究生教材；同時也是從事新能源、太陽能電池、鋰電池、燃料電池、電動汽車、規模儲能等領域

研究與應用人員的必備基礎參考書。  

矽太陽能電池進入發燒排行的影片

氧化銦錫對具氧化鉬電洞選擇性接觸層及鋁背表面電場之單晶矽太陽能電池光電特性研究

為了解決矽太陽能電池的問題，作者趙晉得 這樣論述：

本論文研究氧化銦錫對具氧化鉬電洞選擇性接觸層及鋁背表面電場之單晶矽太陽能電池光電特性研究，藉由導入透明導電材料氧化銦錫作為串接太陽能電池之介面電極，首先將氧化銦錫以濺鍍的方式沉積在具鋁背表面電場之太陽能電池之正面，其改變參數為濺鍍功率、時間及濺鍍工作壓力，接著透過霍爾效應分析儀、紫外光/可見光/近紅外光分光光譜儀、熱電子型場發射掃描式電子顯微鏡及紫外光光電子光譜儀探討氧化銦錫的薄膜特性，進一步，亦將氧化銦錫以濺鍍的方式沉積在具蒸鍍氧化鉬電洞選擇性接觸層之太陽能電池之正面，探討其對元件的光電特性之影響。 實驗結果顯示，在濺鍍功率固定時，光電轉換效率隨著濺鍍時間增加而下降，當濺鍍功率從50

W變動至60 W時，以55 W濺鍍功率其光電轉換效率衰減較小，接著在55 W的濺鍍功率下，探討濺鍍工作壓力的影響，實驗結果顯示，當工作壓力在 7 mTorr時，其光電轉換效率衰減最小，只有-2.44%。經由分光光譜儀檢測，ITO薄膜穿透率其結果為最高可達95%，且透過霍爾效應分析儀可以得知當濺鍍功率為55 W搭配30分鐘條件下，且工作壓力為7 mTorr時其移動率最高為88.2 cm2/Vs，電阻率為0.777 mΩ·cm，光電轉換效率衰減最小，經由熱場發射掃描式電子顯微鏡可得知氧化銦錫薄膜厚度變化為25-100 nm，從紫外光光電子光譜儀量測結果得知氧化銦錫功函數為3.99 eV。接續實驗

為濺鍍氧化銦錫在具蒸鍍氧化鉬電洞選擇性接觸層之太陽能電池之正面，其實驗結果顯示，其特性變化趨勢與具Al背電極之網印式太陽能電池相同，綜合上述實驗可得知，當具氧化鉬電洞選擇性接觸層之單晶矽太陽能電池的表面濺鍍71 nm的氧化銦錫時，其開路電壓為639 mV、短路電流為39.35 mA/cm2、串聯電阻為1.65Ω·cm、填充因子為81.43%與光電轉換效率可達20.50%。

太陽能電池物理

為了解決矽太陽能電池的問題，作者（英）珍妮尼爾森 這樣論述：

近年來，我國的太陽能產業得到了快速的發展，傳統晶體矽太陽能電池的產業規模世界領先，各種新型太陽能電池的研發和產業化不斷深入，在校師生和在職工程技術人員對學習太陽能電池理論和技術的熱情高漲。在這樣的背景下，珍妮尼爾森著的《太陽能電池物理》試圖從半導體物理的基礎出發，對太陽能電池作理論層面的討論。 本書涵蓋了太陽能電池的基本特性、太陽輻射的定量描述、半導體的理論模型、各種半導體結的特點、p-n結的理論分析、5種常見太陽能電池的原理性能、光學優化方式和高轉換效率技術等方面的探討。《太陽能電池物理》可以作為一本教材或參考書，適合物理系、動力與能源系、材料系、電子工程系、化學系或其

他相關專業的本科生、研究生和教師學習研究太陽能電池的物理理論。本書也可以作為太陽能研究機構科學家或太陽能企業工程師的參考資料，為研發或生產各種類型的太陽能電池提供幫助。

應用於串接太陽能電池之氧化銦錫與負型矽介面特性提升研究

為了解決矽太陽能電池的問題，作者廖偉程 這樣論述：

本研究論文探討應用於串接太陽能電池之氧化銦錫與負型矽介面特性提升研究，由於氧化銦錫與負型矽的功函數差，使得氧化銦錫與負型矽介面間存在著較高的蕭基能障，因此造成很大的串聯電阻，故本研究擬導入各種金屬於氧化銦錫與負型矽介面降低串聯電阻，導入的金屬有銦、銀、鋁與鋁 /氟化鋰堆疊層，首先，透過 Transfer Length Method (TLM)量測技術，探討各種金屬對接觸電阻的影響，金屬厚度效應亦同時探討，接著利用逆偏電容 -電壓量測及順偏電流 -電壓量測，計算各種介面的蕭基能障高度，最後將前述實驗的最佳參數導入單晶 矽太陽能電池元件，透過不同參數的調整，比較太陽能電池的各種光電特性如光電轉換

效率、開路電壓、短路電流、填充因子與串聯電阻等。實驗結果顯示，對於各種金屬導入氧化銦錫與負型矽介面，金屬鋁 /氟化鋰堆疊層與負型矽介面的結構下，其氟化鋰與金屬鋁厚度分別為 3 nm與 200 nm，負型矽片電阻為123.98  /sq，可得到最佳的接觸電阻為 9.76 × 10-4  -cm2，蕭基能障高度實驗結果顯示當導入氟化鋰與金屬鋁於氧化銦錫與負型矽介面時其蕭基能障高度降為 0.423 eV，最後將各種最佳參數導入太陽能電池的製作， 實驗結果顯示，在金屬銀 /氧化銦錫 /堆疊層與負型矽介面結構下，其光電轉換效率為 11.57 %、開路電壓為 588 mV、短路電流為 28.5 mA/

cm2、填充因子為 68.88 %及串聯電阻為 4.06  -cm2。當導入金屬銀於氧化銦錫與負型矽介面時，其光電轉換效率最佳增加至 13.26 %、開路電壓為 607 mV、短路電流為28.92 mA/cm2、填充因子為 76.12 %及串聯電阻為 2.3  -cm2。