鈦赫茲能量的問題,透過圖書和論文來找解法和答案更準確安心。 我們找到下列線上看、影評和彩蛋懶人包

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國立清華大學 光電工程研究所 楊尚達所指導 蔡嘉倫的 高能量光參啁啾放大器的搭建及其應用 (2019),提出鈦赫茲能量關鍵因素是什麼,來自於非線性光學、超快光學、雷射放大器、光參放大器、脈衝壓縮。

而第二篇論文國立臺灣大學 光電工程學研究所 管傑雄、藍彥文所指導 林宏諭的 石墨烯熱電子電晶體效益增進及高頻特性之研究 (2018),提出因為有 二維材料、石墨烯、垂直式熱電子電晶體、熱電子、穿隧、高頻、截止頻率的重點而找出了 鈦赫茲能量的解答。

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接下來讓我們看這些論文和書籍都說些什麼吧:

除了鈦赫茲能量,大家也想知道這些:

高能量光參啁啾放大器的搭建及其應用

為了解決鈦赫茲能量的問題,作者蔡嘉倫 這樣論述:

整篇文章的作者為博士班學生蔡嘉倫,他就讀於國立清華大學光電工程研究所,就學期間(2013~2020)搭建了兩種中心波長的光參啁啾放大器(OPCPA),還有兩種不同波長的非線性雷射脈衝壓縮器。作者在就學及研究期間,搭建了兩種光參啁啾放大器,可以放大近紅外波長雷射,以及產生中紅外光雷射。他們分別由不同的源頭雷射驅動:(1)以商用鈦藍寶石雷射放大器當作源頭幫浦雷射,自組建的光參啁啾放大器可以產生雷射脈衝1千赫茲、0.5毫焦耳、368飛秒(1.36吉瓦尖峰功率)、1.9微米中心波長。至於後級放大部分,則由摻釹釔鋁石榴石(Nd:YAG)雷射放大器作為幫浦雷射。(2)以摻鐿鎢酸釓鉀(Yb:KGW)商用雷

射放大器當作源頭幫浦雷射,中心波長1.55微米的光參啁啾放大器可以產生雷射脈衝1千赫茲、3.3毫焦耳、80飛秒(41.25吉瓦尖峰功率)。這樣的光源是個強大的工具,其可應用於電子加速產生兆電子伏特動能,或是高次諧波產生極紫外光。至於非線性雷射脈衝壓縮器,作者根據不同的雷射中心波長以及輸入脈衝能量,搭建了兩套多薄片展頻(MPC)架構去探索脈衝壓縮效果:(1)多薄片展頻架構一級,包含了9片200微米厚度的石英薄片,使得原本1.55微米中心波長的光參啁啾放大器,頻寬變成原本4倍。此頻寬經歷過脈衝壓縮之後,脈衝寬度從原本的80飛秒,壓縮變成20飛秒。(2) 多薄片展頻架構一級操作在中心波長1.03微米

。光源部分來自一台自行搭建的碟片雷射震盪器,加上一套多次穿透共振腔。此光源由德國的波鴻魯爾大學提供,可產生脈衝寬90飛秒、13.4兆赫茲,以及大約10微焦耳的脈衝能量。作者協助搭建了一套多薄片展頻架構,使得雷射脈衝寬度從原本的88飛秒,壓縮變成27飛秒,轉換效率為超過90百分比。此架構建立了一個里程碑,其輸入脈衝能量小於10微焦耳,脈衝重覆率高於1兆赫茲。此架構對於未來更高脈衝能量提供了可能性,其方法為選用更為寬鬆的聚焦條件,以及色散補償反射鏡。此一短脈衝光源提供了產生軟X光源產生的條件,未來預計可以應用在無標籤的生物樣本觀察。

石墨烯熱電子電晶體效益增進及高頻特性之研究

為了解決鈦赫茲能量的問題,作者林宏諭 這樣論述:

雙極性電晶體(Bipolar Transistors,BJTs)是高頻的重要元件之一,但它的截止頻率受限於base的厚度,因此二維材料是一個極佳的選擇作為base的材料,由於二維材料原子層級的厚度。垂直式二維材料熱電子電晶體(Vertical 2D material Hot Electron Transistors)被視為非常具有前瞻性的元件,應用於高頻領域,在理論上已經可以達到兆赫茲(Terahertz)等級的程度[1]。這是一個和雙極性電晶體(Bipolar Transistors,BJTs)極為相像的電子元件,其主要有三個部分,射極(Emitter)、基極(Base)以及集極(Coll

ector)。其特別的之處還有在基極以及射極中間成長氧化層(Base-emitter Insulator),作為穿隧氧化層(Tunneling Oxide);集極以及基極中間也成長氧化層(Collector-base Insulator),作為過濾氧化層(Filtering Oxide),使載子以穿隧(Tunneling)的方式從射極穿隧道基極,再從基極穿隧至集極,使用高動能、高速的熱電子(Hot Electron)作為載子傳輸。在這項研究實驗中,使用高參雜n型矽基板(Highly Doped N-type Silicon Substrate,n++ Si)作為射極,並且上方使矽基板自然生長出

約三奈米厚的二氧化矽 (SiO2)的原生氧化層(Native Oxide),作為穿隧氧化層,石墨烯(Graphene)作為該元件的基極,十奈米厚二氧化鈦(TiO2)以及三十奈米厚二氧化鉿(HfO2)作為雙層的過濾氧化層(Double Layer Filtering Oxide),以鈦(Ti)金屬作為集極。目前的文獻尚無製作出有高頻響應的垂直式二維材料熱電子電晶體,其主要原因為元件的表現、效益不佳,其主要參考的指標有共基極電流增益(Common-base Current Gain,α)、共射極電流增益(Common-emitter Current Gain,β)以及電流密度(Current De

nsity,JC),而在這項研究中,成功利用上述之結構製作出高效益的之石墨烯熱電子電晶體,其共基極電流增益α達0.96;共射極電流增益β達18;電流密度JC達7 A/cm2,且元件之截止頻率(Cut-off Frequency,fT)可達5.5 GHz。