鈦赫茲能量的問題，透過圖書和論文來找解法和答案更準確安心。 我們找到下列線上看、影評和彩蛋懶人包

高能量光參啁啾放大器的搭建及其應用

為了解決鈦赫茲能量的問題，作者蔡嘉倫 這樣論述：

整篇文章的作者為博士班學生蔡嘉倫，他就讀於國立清華大學光電工程研究所，就學期間(2013~2020)搭建了兩種中心波長的光參啁啾放大器(OPCPA)，還有兩種不同波長的非線性雷射脈衝壓縮器。作者在就學及研究期間，搭建了兩種光參啁啾放大器，可以放大近紅外波長雷射，以及產生中紅外光雷射。他們分別由不同的源頭雷射驅動：(1)以商用鈦藍寶石雷射放大器當作源頭幫浦雷射，自組建的光參啁啾放大器可以產生雷射脈衝1千赫茲、0.5毫焦耳、368飛秒(1.36吉瓦尖峰功率)、1.9微米中心波長。至於後級放大部分，則由摻釹釔鋁石榴石(Nd:YAG)雷射放大器作為幫浦雷射。(2)以摻鐿鎢酸釓鉀(Yb:KGW)商用雷

射放大器當作源頭幫浦雷射，中心波長1.55微米的光參啁啾放大器可以產生雷射脈衝1千赫茲、3.3毫焦耳、80飛秒(41.25吉瓦尖峰功率)。這樣的光源是個強大的工具，其可應用於電子加速產生兆電子伏特動能，或是高次諧波產生極紫外光。至於非線性雷射脈衝壓縮器，作者根據不同的雷射中心波長以及輸入脈衝能量，搭建了兩套多薄片展頻(MPC)架構去探索脈衝壓縮效果：(1)多薄片展頻架構一級，包含了9片200微米厚度的石英薄片，使得原本1.55微米中心波長的光參啁啾放大器，頻寬變成原本4倍。此頻寬經歷過脈衝壓縮之後，脈衝寬度從原本的80飛秒，壓縮變成20飛秒。(2) 多薄片展頻架構一級操作在中心波長1.03微米

。光源部分來自一台自行搭建的碟片雷射震盪器，加上一套多次穿透共振腔。此光源由德國的波鴻魯爾大學提供，可產生脈衝寬90飛秒、13.4兆赫茲，以及大約10微焦耳的脈衝能量。作者協助搭建了一套多薄片展頻架構，使得雷射脈衝寬度從原本的88飛秒，壓縮變成27飛秒，轉換效率為超過90百分比。此架構建立了一個里程碑，其輸入脈衝能量小於10微焦耳，脈衝重覆率高於1兆赫茲。此架構對於未來更高脈衝能量提供了可能性，其方法為選用更為寬鬆的聚焦條件，以及色散補償反射鏡。此一短脈衝光源提供了產生軟X光源產生的條件，未來預計可以應用在無標籤的生物樣本觀察。

石墨烯熱電子電晶體效益增進及高頻特性之研究

為了解決鈦赫茲能量的問題，作者林宏諭 這樣論述：

雙極性電晶體（Bipolar Transistors，BJTs）是高頻的重要元件之一，但它的截止頻率受限於base的厚度，因此二維材料是一個極佳的選擇作為base的材料，由於二維材料原子層級的厚度。垂直式二維材料熱電子電晶體（Vertical 2D material Hot Electron Transistors）被視為非常具有前瞻性的元件，應用於高頻領域，在理論上已經可以達到兆赫茲（Terahertz）等級的程度[1]。這是一個和雙極性電晶體（Bipolar Transistors，BJTs）極為相像的電子元件，其主要有三個部分，射極（Emitter）、基極（Base）以及集極（Coll

ector）。其特別的之處還有在基極以及射極中間成長氧化層（Base-emitter Insulator），作為穿隧氧化層（Tunneling Oxide）；集極以及基極中間也成長氧化層（Collector-base Insulator），作為過濾氧化層（Filtering Oxide），使載子以穿隧（Tunneling）的方式從射極穿隧道基極，再從基極穿隧至集極，使用高動能、高速的熱電子（Hot Electron）作為載子傳輸。在這項研究實驗中，使用高參雜n型矽基板（Highly Doped N-type Silicon Substrate，n++ Si）作為射極，並且上方使矽基板自然生長出

約三奈米厚的二氧化矽 (SiO2)的原生氧化層（Native Oxide），作為穿隧氧化層，石墨烯（Graphene）作為該元件的基極，十奈米厚二氧化鈦（TiO2）以及三十奈米厚二氧化鉿（HfO2）作為雙層的過濾氧化層（Double Layer Filtering Oxide），以鈦（Ti）金屬作為集極。目前的文獻尚無製作出有高頻響應的垂直式二維材料熱電子電晶體，其主要原因為元件的表現、效益不佳，其主要參考的指標有共基極電流增益（Common-base Current Gain，α）、共射極電流增益（Common-emitter Current Gain，β）以及電流密度（Current De

nsity，JC），而在這項研究中，成功利用上述之結構製作出高效益的之石墨烯熱電子電晶體，其共基極電流增益α達0.96；共射極電流增益β達18；電流密度JC達7 A/cm2，且元件之截止頻率（Cut-off Frequency，fT）可達5.5 GHz。