雷射波長應用的問題，透過圖書和論文來找解法和答案更準確安心。 我們找到下列線上看、影評和彩蛋懶人包

越簡單越強大：奧坎的剃刀如何釋放科學並塑造宇宙

為了解決雷射波長應用的問題，作者約翰喬伊•麥克法登 這樣論述：

「假設最少的解釋，往往最接近真理。」 當要在競爭理論中做出選擇時，奧坎剃刀給我們一個原則――簡約原則 這原則近八百年來讓人類解放了科學、型塑了宇宙。   　　知名生物學家約翰喬伊•麥克法登（JonJoe McFadden）解說「奧坎的剃刀」（Occam’s Razor）原理如何促成自然科學的無限發展並形塑世界。      　　「奧坎的剃刀」主張「如非必要，勿增添實體」，亦即「假設最少的解釋，往往最接近真理」，此原理在14世紀由方濟會修士奧坎的威廉（William of Occam）提出，主因中世紀繁瑣的哲學爭論而生。      　　在《越簡單越強大》一書中，麥克法登以科學家身分追溯百年來的

自然科學發現，從地心說到量子力學、遺傳學，簡約原則是破解這些重大謎團的關鍵，形塑了我們對這個宇宙的瞭解。   　　作者更舉例說明，除了自然科學的突破受到簡約原則的深刻影響，莎士比亞也曾說：「簡潔是智慧的靈魂。」（Brevity is the soul of wit），簡約原則在文學、戲劇、詩歌、工業革命、蘋果（Apple）的產品設計、建築物的線條、現代文化中皆是被廣泛遵從的中心理念。      　　簡約原則所擁有的顛覆力量，摧毀了多餘的假設，催生了我們看待世界的全新方式。它不僅是種審美品質，也讓我們在更深刻形式的直覺理解中體驗到振奮的力量。它透過自然史及人類起源的再鑄過程，作者將帶領我們重新認

識自身及世界，看見複雜事物背後的真理，並正確知曉奧坎的剃刀的偉大及重要性。   專文推薦   　　◎陳瑞麟／中正大學哲學系講座教授   　　★菲力普•普曼（Philip Pullman）及《悖論》作者吉姆．艾爾—卡利里推薦好書！ 　　★《解開生命之謎》（Life On The Edge）作者約翰喬伊．麥克法登最新力作！   　　原始而深刻。《越簡單越強大》以趣味且令人容易連結的方式，說明一個由中世紀方濟各會修道士提出的簡單想法，如何穿越八百年的史詩之旅，而時至今日都影響著幾項最重要的科學觀念。──吉姆．艾爾―卡利里（Jim Al-Khalili，理論物理學家、《悖論》作者。）   　　《越簡單

越強大》精闢形容威廉的奧坎一生遵循且執行的理念，並闡明這個看似簡單的定律，對我們對自然和宇宙的認知所產生的重大轉變及影響。──菲力普•普曼（Philip Pullman）   　　在一個充滿陰謀論的世界裡，麥克法登的論點――越簡單越強大，將吸引歷史學家和有科學頭腦的人。——圖書館雜誌   　　非常迷人。……其全面性和清晰度令人嘆為觀止。——《愛爾蘭時報》   　　如果您對概念史感興趣，那麼這是一本極好的讀物。簡而言之，《越簡單越強大》令人著迷。 ——Michael Blastland，《展望》（英國）   　　近年來最令人愉快的科學史讀物。——Simon Ings，《旁觀者》（英國）   　　

在《越簡單越強大》一書中，遺傳學家約翰喬伊•麥克法登提供了一個輕鬆但經過充分研究的視角，探討了奧坎剃刀如何激發科學界最偉大的想法……他舉的例證十分具說服力，說明了「簡約原則如何持續為我們展示最深刻、最神祕，甚至有時對宇宙如何運作最令人不安的見解。——《科學美國人》   　　憑藉著天賦和易讀性，麥克法登帶領讀者瞭解奧坎的許多智力革命思想……本書是對科學史一種集中、挑釁與令人滿意的嘗試。——《柯克斯評論》   　　他對我們很多人知道、但少有人深刻理解的想法進行了令人信服的評估。——約翰•基奧，《書單》

雷射波長應用進入發燒排行的影片

三五族半導體雷射應用於光通訊之研究

為了解決雷射波長應用的問題，作者楊棟 這樣論述：

隨著新一代行動通訊的發展，讓數據中心有更快的傳輸速率變成一項新的而且有立即重要性的開發課題。由於面射型雷射擁有了低臨界電流、高轉換效率與高調製頻寬的特性，導致其需求與性能應用在光通訊上的蓬勃發展，其中中心波長為850nm的面射型雷射（VCSEL）已成為在短距離（

半導體雷射技術（2版）

為了解決雷射波長應用的問題，作者盧廷昌,王興宗 這樣論述：

　　半導體雷射廣泛的存在於今日高度科技文明的生活中，如光纖通信、高密度光碟機、雷射印表機、雷射電視、雷射滑鼠、雷射舞台秀甚至雷射美容與醫療、軍事等不勝枚舉之應用都用到了半導體雷射。半導體雷射的實現可以說是半導體科技與光電科技的智慧結晶，同時也對人類社會帶來無與倫比的便利與影響。本書沿續「半導體雷射導論」由淺入深的介紹半導體雷射基本操作原理與設計概念，內容涵蓋了不同半導體雷射的構造與光電特性，以及半導體雷射的製程與信賴度，可為大(專)學四年級以及研究所一年級相關科系的學生與教師，提供有系統的學習半導體雷射的教科書，本書亦適用於想要深入了解半導體雷射的專業人員。

三硫化磷鐵與三硒化磷鐵層狀半導體之單晶成長與特性研究

為了解決雷射波長應用的問題，作者陳建霖 這樣論述：

本論文利用化學氣相傳導法成功生長三硫化磷鐵和三硒化磷鐵晶體，皆為單晶層狀反鐵磁性材料，樣品表面呈金屬亮面且容易撕薄。首先利用能量散佈光譜儀確認晶體的成分比例為1:1:3與X射線光電子能譜儀確認所含之元素化學態和電子態，結果符合預期。接著利用X射線晶體繞射分析儀分析出材料結構和晶格常數，結果顯示三硫化磷鐵為單斜晶系而三硒化磷鐵為六方晶系，低溫X-光繞射也發現三硫化磷鐵和三硒化磷鐵因結構改變產生新的峰值，而晶格常數也隨著溫度變低而變小，在變溫拉曼實驗中，首先將樣品利用機械撥離法撕成微奈米級通過波長532 奈米的雷射激發，三硫化磷鐵主要顯示四種拉曼振動模態而三硒化磷鐵則有三種拉曼振動模態，隨著溫度

下降拉曼模態往高波數位移，實驗結果中也發現三硫化磷鐵在峰值98 cm-1位置當溫度高於120 K時，出現寬且不對稱的峰，且當溫度低於60K時，此98 cm-1的峰分離為兩個尖峰，我們推測此振動模態可能與材料磁性有關，為了找出拉曼光譜與磁性的相關性，我們利用超導量子干涉磁量儀量測三硫化磷鐵和三硒化磷鐵變溫磁特性，結果發現他們的尼爾溫度分別在120K與110K，其中三硫化磷鐵磁矩方向改變的溫度與拉曼峰98 cm-1改變的溫度相近。本論文持續探討三硫化磷鐵和三硒化磷鐵的光學與電學特性，三硫化磷鐵的能隙位置由室溫到低溫為1.32到1.41 eV，三硒化磷鐵能隙位置則在0.75到0.85 eV，它們屬於

間接能隙，熱探針實驗中三硫化磷鐵以及三硒化磷鐵的主要載子為電洞，在四點量測變溫電阻率實驗中，三硫化磷鐵和三硒化磷鐵之電阻率分別為1.7k (Ω-cm)和116 (Ω-cm)並且隨著溫度降低而電阻率變大符合一般半導體的特性，經過霍爾量測的計算結果三硒化磷鐵載子濃度為1016 cm-3，載子遷移率為3 (cm2/V·Sec)。