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國立彰化師範大學 電子工程學系 柯宗憲所指導 鄭又瑜的 應用於下世代互補式金屬氧化物半導體微縮的三維堆疊式砷化鎵通道結構設計、製作與分析 （2019），提出03015尺寸關鍵因素是什麼，來自於無。
應用於下世代互補式金屬氧化物半導體微縮的三維堆疊式砷化鎵通道結構設計、製作與分析
為了解決03015尺寸 的問題，作者鄭又瑜 這樣論述：
在本論文中將專注探討砷化鎵三維垂直堆疊結構場效電晶體的製程。實驗中欲探討的製程分成三部分，砷化鎵的乾式蝕刻與濕式蝕刻、n型及p型砷化鎵垂直堆疊結構、三維元件製程技術。首先砷化鎵的乾式、濕式蝕刻分析對於表面平整度影響，以及蝕刻後的型態。在三維結構中所要求的型態條件較嚴苛，但本論文中藉由乾式蝕刻達到接近理想的鰭式電晶體結構型態，並在後續實驗使用所得之砷化鎵型態。我們將會把焦點放在以砷化鋁作為n型、p型砷化鎵之間作為阻擋層的絕緣功效，以數種不同厚度及不同磊晶條件的砷化鋁夾在n/p砷化鎵之中，量測漏電流。不同厚度的砷化鋁比較之下，200奈米的砷化鋁在 -4V有較小的漏電流密度4E-5/cm2。除此之
外，以傳輸線量測 (TLM)方法分別解析n型、p型砷化鎵以氮化鈦作為非合金接點金屬時的接觸電阻，n型、p型電阻值分別為1.5E-2 ohm.cm2 及 2.06E-4 ohm.cm2。關於三維元件的探討，使用金屬有機化學氣相沉積磊晶 (MOCVD)的砷化鎵/砷化鋁多層式片，成功製作出砷化鎵奈米片結構。完成砷化鎵奈米片結構前，也完成其他多種結構，其中以間隔層方法製作出兩個奈米鰭式結構，可以將起初尺寸約100奈米的鰭式結構降低至小於30奈米。