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5G無線網路規劃與設計

為了解決4a切片的問題，作者岳勝于佳蘇蕾程思遠江巧捷張學 這樣論述：

本書介紹了5G移動通信系統的基礎技術原理及其在實際網路規劃設計過程中可能存在的難題，著重從覆蓋規劃、容量規劃、室內分佈系統的設計以及網路模擬多個方面闡述5G網路規劃設計的具體方法和思路。本書內容翔實豐富、深入淺出，可作為移動通信技術研究、移動網路規劃設計、網路優化及其他相關領域從業人員的技術參考書或培訓教材，也可作為高等院校通信專業教材。

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以 3D-Xray 顯微鏡研究鎳錫鎳微凸塊於電遷移作用引起之孔洞破壞缺陷

為了解決4a切片的問題，作者吳啟豪 這樣論述：

核心處理器朝向多晶片整合與記憶體整合方向發展。其中，三維積體電路的技術具提升系統效能與多功能異質整合的特性。目前三維積體電路底層堆疊以覆晶封裝為基礎，銲錫體積也因使用微凸塊而縮小，使結構與電性可靠度的研究更加重要，電遷移作用引起的缺陷對產品使用壽命具有顯著影響。本研究採 30 微米的銲錫微凸塊進行通電測試，利用三維 X 射線顯微鏡掃描 100 顆銲錫微凸塊的非破壞性模式觀察孔洞缺陷，透過不同角度及多層截面影像下進行初步分析，對樣品切片以驗證非破壞性分析結果。結果顯示同樣的起始工作溫度下低電流密度 (1.6x10^4A/cm^2) 在電遷移作用下引起的孔洞缺陷為聚集狀，而高電流密度 (8x10

^4A/cm^2) 在通電作用下引起之孔洞缺陷為分散且複數小孔洞的模式。電遷移作用下高電流生成的孔洞數量約為低電流生成數的二點一倍。樣品切片使用背向散射電子繞射儀對微結構表面進行分析，不同錫晶粒的 c 軸方向與電子流夾角對電遷移的缺陷有顯著差異。金屬墊層溶解與形成孔洞缺陷的銲錫晶粒都位於低夾角角度的區域。