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72 inch cm的問題，我們搜遍了碩博士論文和台灣出版的書籍，推薦Blair, Rachel寫的 A Man Walks Into a Bar 和Publishing, Greenyx的 My Thighs Are So Sexy They Can’’t Stop Touching Each Other: Graph Paper Notebook - 0.25 Inch (1/4＂) Squares都 可以從中找到所需的評價。
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這兩本書分別來自 和所出版 。
國立陽明交通大學 電子物理系所 周武清所指導 戴進吉的 應用於功率元件之氮化鎵高電子遷移率電晶體的磊晶成長 與特性分析 （2021），提出72 inch cm關鍵因素是什麼，來自於氮化鎵、鎂摻雜、鐵摻雜、三維成長、有機金屬化學氣相沈積、高電子遷移率電晶體。
而第二篇論文國立陽明交通大學 光電工程研究所 郭浩中、高宗聖所指導 張雅婷的 高功率及低基板損耗氮化鋁鎵/氮化鎵高速電子遷移率電晶體製作於 SOI 基板之研究與分析 （2021），提出因為有 氮化鎵、高速電子遷移率電晶體、SOI基板、翹曲現象、磊晶品質、高功率元件、高頻元件的重點而找出了 72 inch cm的解答。
最後網站Curtains - Grenston Textiles則補充：Available in Dove Grey. Size ("), Size (cm), Price. 66 x 72, 167 x 183, £17.00.
A Man Walks Into a Bar
為了解決72 inch cm 的問題，作者Blair, Rachel 這樣論述：
A woman, with the help of a man, nervously sets out to tell us all a joke: A man walks into a bar and meets a waitress. As they begin to perform the joke for the audience, lines between the performers and characters blur and a tense and funny standoff about gender and power emerges. Is the custom
er justified in thinking something will happen? Is the waitress justified to lie? Why are some things funny to her and insulting to him? Ownership of the story becomes a competition as the man and woman unpack every word and movement, catching each other out on their assumptions and contradictions a
s they inch towards the dark punchline. 2015 Toronto Fringe Festival Patron’s Pick and Best of Fringe SelectionNamed as an OUTSTANDING NEW PLAY, OUTSTANDING PRODUCTION, OUTSTANDING ENSEMBLE, OUTSTANDING DIRECTION --Now Magazine
應用於功率元件之氮化鎵高電子遷移率電晶體的磊晶成長 與特性分析
為了解決72 inch cm 的問題，作者戴進吉 這樣論述：
應用於功率元件且成長於矽基板上之氮化鎵高電子遷移率電晶體面臨高崩潰電壓、低操作電阻與低切斷電流等挑戰。本論文使用有機金屬化學氣相沉積成長氮化鎵高電子遷移率電晶體相關的異質結構於矽基板上，利用插入層的三維成長模式及緩衝層受體摻雜技術，來降低缺陷密度及補償施體雜質，改善典型的負型氮化鎵緩衝層，藉以提升氮化鎵功率元件的耐壓能力。進一步成長鎂摻雜的正型氮化鎵於不同鋁組成的結構，研究氮化鎵增強型功率元件的電洞活化濃度及鎂擴散問題，以解決低切斷電流問題。首先使用有機金屬化學氣相沉積技術在氮化鎵高電子遷移率電晶體結構中的氮化鎵緩衝層插入氮化矽，目的為減少氮化鎵緩衝層缺陷密度避免其對二維電子氣特性的影響。藉
由調控不同矽甲烷流量從0至100sccm，我們發現其壓縮應力及刃差排缺陷密度隨著矽甲烷流量增加而減少，同時可以增加二維電子氣的載子濃度。最佳化後，氮化鋁鎵/氮化鋁/氮化鎵形成之二維電子氣結構的電子特性可以達到高電子遷移率1970 cm2/V-s以及低片電阻值493.6 (Ω/sq)。進一步研究不同受體鐵摻雜濃度的氮化鎵緩衝層於矽基板上，定義鐵摻雜氮化鎵的飽和析出及三維成長濃度分別於1.7×1018 cm−3及5.0×1018 cm−3，再應用正型鐵三維成長技術於氮化鎵功率元件結構上，有效的達成減少缺陷密度及補償施體雜質目的。雖然鐵三維成長技術可以減少刃差排缺陷密度，但無法抑制鐵擴散現象，而垂直
崩壓的量測結果證明其於1000伏特偏壓下能有效改善垂直漏電流密度達一個數量級。最後研究成長在矽基板上的正型氮化鎵/氮化鋁鎵結構，在不同鎂摻雜濃度下之電洞活化率及光學性質。霍爾測量結果顯示鎂濃度在2.4×1019 cm−3的活化效率達到最大值2.22%。由於正型氮化鎵/氮化鋁鎵異質結構中存在應力，於鎂摻雜濃度過飽和後，沒有觀察到電洞濃度的反轉現象，這歸因於壓縮應變下限制了自我補償效應導致更多的鎂摻入鎵的位置。進一步成長正型氮化鎵/氮化鋁/氮化鋁鎵結構提升正型氮化鎵壓應力，可以在鎂摻雜濃度達到飽和後進一步提高活化效率，同時也可以有效抑制鎂原子的擴散，正型氮化鎵/氮化鋁/氮化鋁鎵結構可以實現約1.3
×1018 cm-3的高電洞濃度。
My Thighs Are So Sexy They Can’’t Stop Touching Each Other: Graph Paper Notebook - 0.25 Inch (1/4＂) Squares
為了解決72 inch cm 的問題，作者Publishing, Greenyx 這樣論述：
高功率及低基板損耗氮化鋁鎵/氮化鎵高速電子遷移率電晶體製作於 SOI 基板之研究與分析
為了解決72 inch cm 的問題，作者張雅婷 這樣論述：
在本論文中，我們展示了 AlGaN/GaN HEMT 製作於絕緣層上覆矽(Silicon-On-Insulator, SOI) 基板；並證明高濃度的硼(Boron)摻雜在SOI 的操作晶圓(Handle wafer)中可提高機械強度，使基板有更高的楊氏係數(Young's coefficient)和硬度(Hardness)值。由於重摻雜 SOI 基板具有更大的機械強度，磊晶過程中晶片的曲率變化顯著降低，從而大幅改善翹曲效應(Bowing effect)，進而使 AlGaN/GaN 磊晶品質得到優化，並由 X 射線衍射光譜 (XRD)數值證明。而後，我們在重摻雜及輕摻雜的 SOI 基板上分別建
立的功率(Power)和射頻(RF)元件，可以發現基於磊晶品質的優化，差排缺陷密度(Dislocation density)的減少，元件在優化後的基板具有更好的直流性能，包括斷態洩漏(Off-state leakage)、導通電流(On current)、電導(gm) 以及崩潰電壓(Breakdown voltage)；可靠度表現也得到優化。在小信號表現上，元件在重參雜的SOI 基板上更適合操作於 10 GHz 頻率範圍內；在此範圍內，元件的功率增益和基板的 CPW 損耗都相較輕摻雜的 SOI 基板表現更好。重摻雜基板上的元件而在大信號操作下提供了更佳的結果，在 2.4 GHz頻段中功率轉換效
率(PAE) >50%且最大輸出功率(Pout)達到 2.57 W/mm，是目前 HEMTs 製作於 SOI 基板中最好的結果。這意味著通過在重摻雜 SOI 基板不僅可以減少彎曲效應，而且可以提高元件在高功率高頻應用的性能。