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國防醫學院 病理及寄生蟲學研究所 于承平、黃志恒所指導 陳信宏的 探討肺泡細胞中第三型干擾素受流感病毒影響之作用機轉 （2021），提出Apple M1 chip關鍵因素是什麼，來自於A型流感病毒、非結構性蛋白、第三型干擾素、p65。
而第二篇論文國立陽明交通大學 電子物理系所 趙天生、李耀仁所指導 李冠佑的 矽鍺之介面處理與閘極全包覆式金氧半場效電晶體之研究 （2021），提出因為有 矽鍺、全包覆式閘極電晶體、電容、氧化處理的重點而找出了 Apple M1 chip的解答。
Apple M1 chip進入發燒排行的影片
みなさんこんばんは！赤羽景子です。
今回の動画はお仕事でもやっている顔のレタッチのやり方をまとめてみました！
0:41 レタッチに必要な物
2:10 骨格の調整
4:19 肌を綺麗にする
6:57 歯を白くする
ぜひご覧ください！
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探討肺泡細胞中第三型干擾素受流感病毒影響之作用機轉
為了解決Apple M1 chip 的問題，作者陳信宏 這樣論述：
第三型干擾素又稱為干擾素-λ (IFN-λ)，目前已知會透過自泌或旁泌作用活化鄰近細胞具有抗病毒能力之干擾素反應基因(IFN-stimulated genes，ISGs)後，經由不同策略如抑制病毒核酸複製、轉錄、轉譯或病毒出芽作用等功能以限制病毒的生成，保護細胞免受病毒感染。目前已有研究指出，在小鼠實驗中第三型干擾素具有對抗流感病毒效應，在臨床上發現流感住院重症病人其血清中第三型干擾素會有受到抑制現象，但對造成此現象之原因則未詳細說明。在本論文中，我們利用A549細胞平台透過不同劑量之流感病毒 (IAV)感染策略，模擬流感輕、重症患者肺部狀況，偵測第三型干擾素表現及其生理功能。結果發現在高劑
量IAV感染下第三型干擾素確實會受到抑制，與臨床上流感重症病人其第三型干擾素受到抑制之現象是一致的。有趣的是，我們也發現在感染6小時到8小時之間，在高劑量病毒條件感染下細胞內第三型干擾素的表現量會開始下降，因此我們想要針對流感病毒如何調控第三型干擾素表現進行了探討與研究。先前已有文獻指出細胞受到脂多醣 (LPS)刺激時，p65結合至第三型干擾素啟動子位點，並啟動第三型干擾素表現。我們也證實在流感病毒IAV感染下，p65結合至第三型干擾素IFN-λ1啟動子位點，調控第三型干擾素基因表現，同時也發現在感染第8小時p65會離開IFN-λ1遠端啟動子到IFN-λ1 exon 3-intron 3的區域
，而使第三型干擾素基因表現下降，並且發現此現象的發生可能和流感病毒NS1蛋白的參與有關聯。本論文研究是首先發現高劑量流感病毒IAV感染造成第三型干擾素表現量下降之機制可能是NS1蛋白促使p65蛋白從啟動子位點轉移至exon 3-intron 3的區域，抑制了具有抗病毒效應第三型干擾素之轉錄作用所造成的。關鍵詞: A型流感病毒；非結構性蛋白1(NS1)；第三型干擾素；p65
矽鍺之介面處理與閘極全包覆式金氧半場效電晶體之研究
為了解決Apple M1 chip 的問題，作者李冠佑 這樣論述：
Chpater 1 Introduction 11-1Artificial Intelligence 11-2 From AI to Semiconductor 31-3 Moore’s Law and Scaling 41-4 Threshold Voltage Roll-Off and DIBL 61-4 Breakthrough and Beyond 8Chpater 2 SiGe Material and Interface Treatment 142-1 SiGe Characteristic 142-2 SiGe S
urface Quality 162-3 Sulfur Passivation 172-4 Ozone Treatment 182-5 High Vacuum Annealing 19Chpater 3 Interface Trap 283-1 Introduction 283-2 Interface Trap Density 283-3 Border Trap Density 31Chpater 4 SiGe Capacitance 394-1 Motivation 394-2 Al2O3 on SiGe 39
4-2-1 Experiment Procedure 394-2-2 Capacitance-Voltage Curves and Leakage Curves 404-2-3 XPS Analyses 424-2-4 Flat Band Condition 434-2-5 Interface Trap State Density 454-2-6 IL Thinning-Down 464-2-7 Using RTO oxide to Improve Surface Quality 464-2-8 Summary 474-3 HfO2 on SiG
e 694-3-1 Experiment Procedure 694-3-2 Capacitance-Voltage Curves and Current-Voltage Curves 694-3-3 Interface Trap Density 714-3-4 IL Thinning-Down 714-3-5 Using Dry Oxide to Improve Surface Quality 724-3-6 Summary 724-4 ZrO2 on SiGe 864-4-1 Experiment Procedure 864-4-2 C
apacitance-Voltage Curves and Current-Voltage Curves 864-4-3 Interface Trap Density 864-4-4 Summary 87Chpater 5 Fabrication on the Nanowire Gate-All-Around PMOSFETs 945-1 Experiment Procedure 945-2 Electrical Characteristic of GAA MOSFETs 955-3 Summary 95Chpater 6 Conclu
sion and Future Work 1036-1 Conclusion 1036-2 Future Work 103REFERENCE 104