DSSC 製作的問題,透過圖書和論文來找解法和答案更準確安心。 我們找到下列線上看、影評和彩蛋懶人包

華梵大學 電子工程學系碩士班 陳淮義所指導 呂峻宏的 適用於染料敏化太陽能電池之氧化鋅摻雜碳化鈦工作電極與二硫化鉭摻雜石墨烯對電極之特性研究 (2021),提出DSSC 製作關鍵因素是什麼,來自於染料敏化太陽能電池、二氧化鈦、氧化鋅、碳化鈦、工作電極、二硫化鉭、石墨稀、對電極。

而第二篇論文國立虎尾科技大學 光電工程系光電與材料科技碩士班 鄭錦隆所指導 廖偉程的 應用於串接太陽能電池之氧化銦錫與負型矽介面特性提升研究 (2021),提出因為有 氧化銦錫、負型矽、串聯電阻、蕭基能障、串接 太陽能電池的重點而找出了 DSSC 製作的解答。

接下來讓我們看這些論文和書籍都說些什麼吧:

除了DSSC 製作,大家也想知道這些:

適用於染料敏化太陽能電池之氧化鋅摻雜碳化鈦工作電極與二硫化鉭摻雜石墨烯對電極之特性研究

為了解決DSSC 製作的問題,作者呂峻宏 這樣論述:

在工業科技發展的同時,自然環境中的天然資源也不斷地被消耗,這使得再生能源中的太陽能源,在未來的需求上,變得愈加重要,也因此染料敏化太陽能電池(dye sensitized solar cells, DSSC)的進展日益受到重視。是以,本研究進行染料敏化太陽能電池的相關議題研究。本研究主要分為兩個部分:一、將不同重量百分比之TiC摻雜於ZnO而成的TiC/ZnO複合物作為DSSC的工作電極,並研究不同TiC摻雜比例對於ZnO基底之DSSC (ZnO-based DSSC)的光電特性影響,結果發現當TiC/ZnO複合物內TiC的摻雜為3 wt %時,其最佳光電轉換效率為1.54%。二、將不同重量

百分比之石墨烯(graphene, GP)摻雜於TaS2而成的GP/TaS2複合物作為DSSC的對電極,並研究不同石墨烯摻雜比例之GP/TaS2 對電極對於TiO2基底之DSSC (TiO2-based DSSC)的特性影響,且與傳統使用白金(Pt)當對電極之DSSC作比較,結果發現當GP/TaS2複合物中石墨烯摻雜量為1 wt %時,其最佳光電轉換效率為4.83%。

應用於串接太陽能電池之氧化銦錫與負型矽介面特性提升研究

為了解決DSSC 製作的問題,作者廖偉程 這樣論述:

本研究論文探討應用於串接太陽能電池之氧化銦錫與負型矽介面特性提升研究,由於氧化銦錫與負型矽的功函數差,使得氧化銦錫與負型矽介面間存在著較高的蕭基能障,因此造成很大的串聯電阻,故本研究擬導入各種金屬於氧化銦錫與負型矽介面降低串聯電阻,導入的金屬有銦、銀、鋁與鋁 /氟化鋰堆疊層,首先,透過 Transfer Length Method (TLM)量測技術,探討各種金屬對接觸電阻的影響,金屬厚度效應亦同時探討,接著利用逆偏電容 -電壓量測及順偏電流 -電壓量測,計算各種介面的蕭基能障高度,最後將前述實驗的最佳參數導入單晶 矽太陽能電池元件,透過不同參數的調整,比較太陽能電池的各種光電特性如光電轉換

效率、開路電壓、短路電流、填充因子與串聯電阻等。實驗結果顯示,對於各種金屬導入氧化銦錫與負型矽介面,金屬鋁 /氟化鋰堆疊層與負型矽介面的結構下,其氟化鋰與金屬鋁厚度分別為 3 nm與 200 nm,負型矽片電阻為123.98  /sq,可得到最佳的接觸電阻為 9.76 × 10-4  -cm2,蕭基能障高度實驗結果顯示當導入氟化鋰與金屬鋁於氧化銦錫與負型矽介面時其蕭基能障高度降為 0.423 eV,最後將各種最佳參數導入太陽能電池的製作, 實驗結果顯示,在金屬銀 /氧化銦錫 /堆疊層與負型矽介面結構下,其光電轉換效率為 11.57 %、開路電壓為 588 mV、短路電流為 28.5 mA/

cm2、填充因子為 68.88 %及串聯電阻為 4.06  -cm2。當導入金屬銀於氧化銦錫與負型矽介面時,其光電轉換效率最佳增加至 13.26 %、開路電壓為 607 mV、短路電流為28.92 mA/cm2、填充因子為 76.12 %及串聯電阻為 2.3  -cm2。