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Logic 波形 放大的問題,我們搜遍了碩博士論文和台灣出版的書籍,推薦鄧茗寫的 國營事業講重點【電子學】[適用經濟部新進職員、台電僱員考試] 和鄧茗的 公職考試講重點【電子學(含電子學概要)】都 可以從中找到所需的評價。

這兩本書分別來自大碩教育 和大碩教育所出版 。

中原大學 電子工程學系 陳淳杰所指導 徐志豪的 一個十位元每秒兩千萬次取樣帶冗餘位逐漸趨近式類比數位轉換器 (2021),提出Logic 波形 放大關鍵因素是什麼,來自於逐漸趨近式類比數位轉換器、分段式電容陣列、帶冗餘位演算法。

而第二篇論文國立中山大學 電機工程學系研究所 王朝欽所指導 蘇文健的 具迴轉率與責任週期自動調整之FinFET製程多重電壓輸出緩衝器與電晶體漏電流偵測器設計 (2021),提出因為有 DDR4、FinFET、電壓迴轉率、輸出緩衝器、漏電流偵測器的重點而找出了 Logic 波形 放大的解答。

接下來讓我們看這些論文和書籍都說些什麼吧:

除了Logic 波形 放大,大家也想知道這些:

國營事業講重點【電子學】[適用經濟部新進職員、台電僱員考試]

為了解決Logic 波形 放大的問題,作者鄧茗 這樣論述:

  本書專門針對國營事業考試編撰,如台電僱員考試、經濟部所屬事業機構新進職員甄試等,成為準備考試時的最佳助力! 本書特色   1.除少量筆者為了讓考生循序漸進自編的例題外,全書均由近幾年的實際考題當作例題與綜合練習題。   2.以最快速的方法帶領考生在一小時內完成50題選擇題。   3.將常考的重要電路加以歸類,方便考生熟悉其特性。   4.以最短的時間、最少的解題觀念就可讀完本書,獲得求解所有考題的能力。  

一個十位元每秒兩千萬次取樣帶冗餘位逐漸趨近式類比數位轉換器

為了解決Logic 波形 放大的問題,作者徐志豪 這樣論述:

如今電子產品除了要效能好,亦追求低功耗與輕薄短小,由於半導體製程技術的進步,帶動了積體電路設計的成長,許多低功耗的晶片得以實現,在眾多類比數位轉換器中,逐漸趨近式(Successive-Approximation)由於大部分元件皆由數位邏輯電路所構成,且整個電路僅需一組比較器即可,大幅地降低了資料轉換所需的功耗。本論文完整製作一個10-bit 20MS/s SAR ADC,架構採用分段式電容陣列數位類比轉換器,使用TSMC 0.18um 1P6M CMOS製程,電源供應1.8V,輸入頻率為1.97265625MHz進行模擬,訊號雜訊與失真比(SNDR) 60.71 dB,有效位元數(ENOB

) 9.79-bit,功耗0.92 mW,品質因數(FOM) 52f J/conversion-step,核心晶片佈局面積0.31*0.21〖mm〗^2,晶片總佈局面積1.163*1.169〖mm〗^2。最後設計規格同樣為10-bit 20MS/s SAR ADC,架構改成帶冗餘位演算法,將MSB電容拆解並分配至原電容陣列中,達到電容切換速度的提升,並在栓鎖電路前加上一級前置放大器,用以降低誤差,提高比較器的精準度。使用相同製程與輸入頻率進行模擬,訊號雜訊與失真比(SNDR) 61.93 dB,有效位元數(ENOB) 9.99-bit,功耗3.024mW,品質因數(FOM) 148.7f J/

conversion-step。關鍵字:逐漸趨近式類比數位轉換器;分段式電容陣列;帶冗餘位演算法

公職考試講重點【電子學(含電子學概要)】

為了解決Logic 波形 放大的問題,作者鄧茗 這樣論述:

  1.本書專門針對所有公務人員三四等考試撰寫,包含高普考與各種三四等特考。   2.引導式的範例,先由簡單的例題訓練解題技巧,最後讓同學可以輕易解完三、四等考試完整之計算題。   3.章節後面附歷屆試題,並標註是否可用計算機,避免同學在練習時過度倚賴計算機。   4.內容含一般電子學課本沒有的數位邏輯電路,加以重點整理,完全只撰寫考試會命題的部分,讓同學不用為了準備考試再去準備數位邏輯電路。

具迴轉率與責任週期自動調整之FinFET製程多重電壓輸出緩衝器與電晶體漏電流偵測器設計

為了解決Logic 波形 放大的問題,作者蘇文健 這樣論述:

隨著製程的進步,傳輸訊號的速度也隨之增加,但越先進製程其漏電流越大,訊號的品質也越容易受環境影響,因此各種傳輸規格對於訊號品質的要求也越加重視。故本論文針對環境及漏電流對訊號品質的影響,提出兩個設計,分別為具有迴轉率與責任週期自動調整之FinFET製程多重電壓輸出緩衝器以及單一電晶體漏電流偵測器設計。本論文第一題目為具迴轉率與責任週期自動調整之FinFET製程多重電壓輸出緩衝器,且為符合16 nm FinFET製程之系統電壓(0.8 V)與DDR4介面規格的輸出電壓要求(1.2 V),輸出級的電路由堆疊式電晶體組成,並使用臨界電壓較低的電晶體,避免高電位差產生的閘極氧化層過壓、漏電流路徑等問

題。另外,為降低因製程環境改變而產生的電壓迴轉率變異,增加一PVT偵測器,可根據製程環境變異控制輸出級之電流量,使電壓迴轉率保持穩定。本論文第二題目提出一電晶體漏電流偵測器設計,因現有文獻中的漏電流偵測大多是針對一獨有電路的漏電流進行補償,沒有明確的漏電流大小,且鮮少有可廣泛應用於不同電路的設計。而本設計可應用於不同電路及製程中,並能準確偵測出電晶體漏電流大小的數值。本設計主要針對一P/N型電晶體漏電流進行偵測,並加入閃控脈波產生器作為偵測啟動開關,使偵測時間的長度固定且規範化,增加偵測結果的可信度。