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精子生成中選擇性三端非轉譯區差別調控無精症缺失基因結合蛋白一轉錄產物之探討

為了解決TH- 7138fe TH 7139FE的問題，作者楊淇凱 這樣論述：

無精症缺失基因結合蛋白一(DAZAP1)為普遍存在細胞內之核異質核醣核蛋白(hnRNP)，其功能涉及核醣核酸(RNA)之轉錄(Transcription)、剪接(Splicing)以及轉譯(Translation)。Dazap1高度表現於睪丸的精原母細胞(Spermatocyte)後期以及減數分裂後之精原細胞(Spermatid)。老鼠缺乏Dazap1會導致生長遲緩及造精停止。此基因主要生成兩條2.4及1.8 kb的轉錄產物(Transcript)分別命名為Dazap1-L及Dazap1-S。先前核醣核酸原位雜交(RNA in situ hybridization)及免疫染色(Immunos

taining)的結果意味著Dazap1轉錄產物在精子發育期間會在轉譯階段受到調控。本研究的主要目的為確定這兩條Dazap1轉錄產物的來源並調查他們的轉譯是否相似。北方雜交(Northern hybridization)及三端快速擴增(3’RACE)顯示這兩條轉錄產物是經由選擇性多聚腺苷酸化(Alternative polyadenylation)產生。這兩條轉錄產物在出生後十二天的老鼠睾丸中很少，至出生後十八天時明顯增加，出生後二十七天時到達最高。蔗糖梯度(Sucrose gradient)顯示這兩條轉錄產物在出生後十二天時都被有效率的轉譯。其後，新增的Dazap1-S與轉譯去活化的信使核醣

核蛋白粒子(mRNP)結合，而這樣的轉譯抑制伴隨著其多聚腺苷酸尾(PolyA tail)的增長。隨著睪丸成熟非常少的Dazap1-L也會被隔離在mRNP，但是其多聚腺苷酸尾長度沒有改變。利用核醣核酸拉下(RNA pull-down)結合質譜(Mass spectrometry)，我們找到一個專一與Dazap1-L三端非轉譯區(3’UTR)結合的蛋白：似無精症缺失基因(DAZL)，為生殖細胞(Germ cell)特有的轉譯調節因子。我們進一步顯示DAZL在睪丸溶解物(Testis lysate)中會優先與Dazap1-L結合，並且刺激帶有Dazap1-L三端非轉譯區之報導基因(Reporter

gene)轉譯。總結，我們的研究顯示這兩條Dazap1轉錄產物的轉譯是被差異的調控著。這為精子生成中多聚腺苷酸尾增長聯結轉譯抑制提供了一個新的範例。

OpticalCharacterizationofII-VIWideBandGapSemiconductorMaterials

為了解決TH- 7138fe TH 7139FE的問題，作者黃鵬仁 這樣論述：

本論文是利用表面光電壓光譜 (surface photovoltage spectroscopy, SPS) 、光激發螢光光譜 (photoluminescence, PL) 、無接點電場調制反射 (contactless electroreflectance, CER) 以及光子調制反射 (photoreflectance, PR) 量測技術研究II-VI族寬能隙合金化合物半導體材料特性，其中包括利用高壓布里奇曼法 (high pressure Bridgman method) 成長而成的，三元 (CdBeSe, CgMgSe, ZnBeSe, ZnMgSe) 和四元 (ZnBeMgSe)

II-VI族化合物半導體之單晶以及利用分子束磊晶法 (Molecular beam epitaxy, MBE) 成長而成的，不同鈹 (berylium, Be)含量的CdBeSe成長於InP基板上等薄膜樣品。在室溫下，利用SPS量測技術，量測以高壓布里奇曼法成長而成的化合物半導體之單晶的SPS調制光譜，其可觀察到當樣品未經處理時，則會量測到樣品上缺陷相關 (defect-related) 之訊號，而無法量測到真正的能隙躍遷訊號；但當經過約三小時的機械磨光 (mechanical polished) 以及化學蝕刻 (chemical etched) 後，即可去除掉缺陷相關之訊號，而得到真實地能

隙躍遷訊號。故我們可以利用在室溫下的SPS調制光譜量測技術，來檢查樣品的表面是否有處理完善。此篇論文中所有的化合物半導體單晶樣品，在做光學量測之前，皆有經過機械磨光以及化學蝕刻的處理。針對本論文中所探討，含鈹、鎂II-VI族寬能隙半導體之單晶與薄膜樣品，做溫度變化之PL、CER 以及PR光譜的量測，其量測之結果作勞倫茲線形 (Lorentzian lineshape) 的吻合與分析。其單晶之樣品，由PL於低溫 (15K)下之譜線中，可觀察到三個躍遷訊號，由高能量處往低能量處依次為能帶邊際激子譜線 (band-edge exciton line, X) 躍遷訊號、施體-受體對 (donor-a

cceptor pairs, DAP) 躍遷訊號及深層能階 (deep level, DL) 躍遷訊號。而CER 及PR光譜量測結果中，可決定其訊號來源分別為能隙附近之帶間躍遷 (band-edge transition) 以及自旋軌域分裂 (spin-orbital splitting) ，並且利用此些結果探討溫度對訊號躍遷之影響。此外，由展寬參數 (broadening parameters)中可討論單晶與薄膜之樣品其GLO和一些II-VI族半導體的比較。此外，我們利用室溫下CER量測的技術，來探討分子束磊晶法成長而成的，CdSe/ZnBeSe與CdSe/ZnSe 成長於GaAs (00

1) 基板上的兩量子點結構之樣品。從量測的譜線中，我們可以觀察到於CdSe/ZnBeSe樣品中，硒化鎘 (CdSe)量子點的能量躍遷訊號比CdSe/ZnSe來得高 (blue shift, 藍移)，且其線形也比較窄 (narrower)。此量子點能量躍遷訊號之所以會藍移，是由於加入鈹後，量子點的結構變小和其有較大的障壁能量 (barrier energy) ，再者由較小的展寬參數可顯示出在ZnBeSe樣品下的量子點分佈比較均勻。