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想像力教學模式建構與驗證

為了解決Tera box app的問題，作者朱采翎 這樣論述：

許多文獻指出「想像」能促進學習成效與想像力，進而產生創造力，因此，本研究旨在建構一個想像力教學模式，以引導學習者透過「想像」進行學習與創造。根據文獻探討，研究者建構出「想像力的教與學模式」(Model of Imaginative Teaching and Learning, MITL)，其中包含了學習者層次與教學層次，前者含有「學習」、「想像」與「創造」三個元素，而後者則有「運用想像引入概念」、「想像激發策略」與「想像的實作」三個操作元素。為驗證MITL，本研究分別進行預備性研究與兩個正式研究。在預備性研究當中，旨在建構「想像性學習材料」與發展測量工具－「科學想像力任務」。首先，根據「有意

義的概念或知識」、「幽默」、「挑戰」、「鮮明影像」與「意想不到的結局」等原則，並以國小自然學習領域中「熱的傳播」單元為學科知識內容，發展三篇想像性學習材料，分別為「亞力的冒險」（傳導）、「阿皮的旅行」（對流）與「豬媽媽探親記」（輻射）。其次，「科學想像力任務」（Scientific Imagination Tasks）包含三個活動：(1)活動一：10題「熱的傳播知識題」；(2)活動二：即參考擴散思考測驗型態所編製而成，係包含「熱的傳播」概念的的語文任務；(3)活動三：延續活動二的圖形活動。在評分指標部分，語文活動包含「流暢力」、「變通力」（共有17個類別）、「有獨創力×有知識運用」（A分數）與

「有獨創力＋無知識運用」（B分數），以及「想像力豐富性與色彩性」；在圖形部分，評分指標有「圖形獨創力」、「科學功能」與「其它功能」。再以「想像力測驗」作為效標進行考驗，發現相對應之指標皆有不錯之效度。研究一探究「學習材料」對於「學習成效」與「想像力」的影響，並檢驗教學模式中「運用想像引入概念」與「想像的實作」。共有160位4年級與5年級學生參與研究，參與者皆未在國小自然課當中學過「熱的傳播」概念，並且採隨機的方式分配至實驗組與控制組。在研究程序部分，第一週所有學生完成「想像力測驗」（以前測做為共變項），在第二週，所有受試者被要求在12分鐘內完成三篇故事（實驗組）或三篇文章（控制組）的閱讀，並於

其後完成「科學想像力任務」。主要研究結果發現：(1)控制組在「熱的傳播知識題總分」顯著高於「實驗組」；（2）實驗組在「有獨創力×有知識運用」（A分數）與「想像力豐富性與色彩性」的得分顯著高於控制組。整合研究一之結果發現，想像性學習材料較能幫助學習者運用新概念解決問題，而且易產生獨創答案，也有豐富與色彩鮮明的影像。研究二主要探究「想像力教學」是否能促進「想像力」，以及其促進效果，並進一步考驗「學習材料」與「教學方法」之間是否存有交互作用。在此研究主要檢驗教學模式中「運用想像引入概念」、「想像激發策略」與「想像的實作」。共有187位4或5年級的學生參與研究，受試學生從未在國小自然課當中學習「熱的傳

播」單元。在進行教學實驗前，研究者根據年級與學區進行教學方法之配對，故實驗組與控制組各有4個班。研究程序部分，第一週完成「想像力測驗」（以前測做為共變項），在第二週，研究者隨機發放學習材料，並進行12分鐘的閱讀，之後進行想像力教學與練習，最後請學生完成「想像力科學任務」。主要研究結果顯示：(1)接受「想像力教學」的學生在「流暢力」、「變通力」、「有獨創力＋無知識運用」（B分數）、「想像力豐富性與色彩性」與「圖形獨創力」的得分顯著高於接受「批判思考教學」的學生；（2）「教學方法」與「年級」的二因子共變數分析出現單純主要效果，5年級學生接受「想像力教學」後在「有獨創力×有知識運用」（A分數）的得分

顯著高於接受「批判思考教學」，以及接受「想像力教學後」，5年級在「有獨創力×有知識運用」（A分數）的表現會顯著優於4年級。整合研究一與研究二之結果與證據，初步驗證MITL。最後，本研究針對相關問題進行探討，並且對於未來研究與實務應用提出建議。

利用螺旋式電極的常壓射頻電漿束鍍製氧化矽薄膜之研究

為了解決Tera box app的問題，作者呂其璋 這樣論述：

本文係探討以同軸式耦合射頻常壓電漿系統進行鍍製氧化矽(SiOx)薄膜技術之研究。利用同軸式耦合射頻電漿，放電氣體為混合的氬氣與氧氣，電源頻率為13.56 MHz，在一大氣壓條件下產生電漿源。在使用石英管包覆內層螺旋式電極下，氬氣可以混合高比例的氧氣(10%) 並產生穩定且無電弧的電漿。利用本系統進行鍍製氧化矽薄膜，使用六甲基二矽氧烷 (Hexamethyldisiloxane, HMDSO) 做為沈積薄膜之前驅物，並利用氬氣做為前驅物的載體，將前驅物導入後放電區域沈積氧化矽薄膜於矽基材上。改變不同實驗參數來探討薄膜特性，包括處理次數、處理距離(3-7.5 mm)、輸入功率(35-50W)、氧

氣濃度(0-10 %)及基板溫度(25-300 oC)。由實驗結果得知，鍍膜沈積速率會隨著處理次數、輸入功率及氧氣濃度增加而增加; 隨著處理距離、基板溫度增加而減少。並進一步去探討在不同的氧氣濃度及基板溫度下進行鍍膜，薄膜特性的變化。在輸入功率為50 W、基板溫度為300 oC、處理距離為5 mm的實驗參數下進行鍍膜，氬氣電漿在無氧氣添加下，鍍膜速率為37.5 nm/min，若氧氣濃度增加至0.8%，鍍膜速率會明顯上升至275 nm/min 但是在氧氣濃度增加至2 %以上，發現會有高孔性的結構產生。由FTIR及XPS量測結果發現，薄膜中碳的成份會隨著基板溫度增加而減少。在較高的基板溫度下進行鍍

膜可以降低鍍膜速率，並減少薄膜孔性程度，且提高薄膜硬度。總結來說，在氬氧電漿混合適當比例的氧氣下，我們可成功於後放電區沈積氧化矽薄膜，並且在不同實驗參數下討論薄膜的特性。同時在論文的最終節列出建議未來應進行的研究。