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ab類功率放大器的問題，我們搜遍了碩博士論文和台灣出版的書籍，推薦陳達寫的 電子學精修(含電子學概要大意)(下冊) 和蕭敏學的 大學電子學實習(二)：電子電路設計篇 附Multisim 12 模擬系統都 可以從中找到所需的評價。
這兩本書分別來自大東海 和台科大所出版 。
國立陽明交通大學 國際半導體產業學院 吳添立所指導 王保元的 高功率及射頻氮化鋁鎵/氮化鎵金屬-絕緣體-半導體高電子遷移率電晶體之關鍵製程開發與特性分析 （2020），提出ab類功率放大器關鍵因素是什麼，來自於氮化鎵、氮氧化矽、高電子遷移率電晶體、高功率元件、高頻元件、高崩潰電壓、二維電子氣。
而第二篇論文國立中央大學 電機工程學系 傅家相所指導 陳隆易的 3.5-GHz 氮化鎵功率放大器及毫米波砷化鎵功率放大器之設計 （2020），提出因為有 氮化鎵、功率放大器的重點而找出了 ab類功率放大器的解答。
電子學精修(含電子學概要大意)(下冊)
為了解決ab類功率放大器 的問題，作者陳達 這樣論述：
本書由大東海電機類名師團隊陳達老師繼搶手著作「電子學絕招解題」、「電子學精解」，再次針對國家考試、國營考試精心編授，更進階精要，共分上下兩冊，以主題式進行各篇重點主軸說明，期能有效協助考生釐清觀念。 本書延續上冊之內容，作者依其豐富教學經驗及專業知識，根據最新出題趨勢，刪除教條式冗長內容，以豐富圖文方式說明、醍醐灌頂，協助考生掌握國家考試之電子電路領域。系統性架構有效輔助讀者學習，自基本半導體物理、二極體、電晶體、積體電路至放大器等電路應用，次序編列重點精華，使讀者能詳盡習得電子裝置基礎知識及應用實例；再輔以引導式範例練習按步驟解題，配合章末之「本章題型演練」，針
對各章主題整編必讀命題及擬解申論，讓讀者實戰演練、完整學習，輕鬆迎戰電子學考科！
ab類功率放大器進入發燒排行的影片
6J1膽前級+SAP15+LM4702+400W環形變壓器組裝而成的前後級AB類合併擴音機，完工後試聽有膽機的韻味，同時亦有石機的力度，電子管作為前級互補晶體管的生硬音樂感，晶體管作為後級亦互補膽管對低音控制能力
膽前級:
6J1膽前級板採用單AC 12V交流輸入，不必為找高壓電源而煩惱，剛巧家中有12V變壓器，所以不須另外購買
電子管也可採用6J2,EF95,6AK5,CV4010等常見小型電子管代換，感受膽管不同聲音
功放部份:
電壓放大級採用LM4702
SAP15N／P功率管是日本Sanken三肯公司音響名管，它內建兩隻互補達靈頓對管，內部附有偏置二極管。有助高速熱反應，具有很高的熱穩定性
靜態電流每對管設在90mA左右，試過再調高一點，聲音更溫暖，但因散熱器不夠大，所以放棄再增大電流
DIY Stereo Integrated Tube Amplifier
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高功率及射頻氮化鋁鎵/氮化鎵金屬-絕緣體-半導體高電子遷移率電晶體之關鍵製程開發與特性分析
為了解決ab類功率放大器 的問題，作者王保元 這樣論述：
近年來，科技進步神速，高功率與高頻元件的需求量急速上升。相對於矽元件，氮化鎵具有高崩潰電場、寬能隙的特性。良好的導電性、導熱性、快速且低功耗的切換速度，使其成為新興材料的強力競爭者之一。本篇論文分別針對高功率與高頻元件進行製程開發與可靠度測試。高功率元件部分，我們成功製作出矽基板氮氧化矽閘極結構之氮化鋁鎵/氮化鎵金屬-絕緣體-半導體高電子遷移率電晶體(GaN-on-Si MIS-HEMTs with SiON gate insulator)。透過XPS分析調整氮氧化矽的沉積參數，使製作出的電晶體同時具有高耐壓、低電流崩塌效應(current collapse)與減少氮氧化矽/氮化鎵界面態密
度(interface state density, Dit )的特性。實驗結果表明，優化後的氮氧化矽閘極電晶體能夠於汲極端承受2133伏特才發生永久性崩潰；將此電晶體操作於關態，對汲極端加壓至950伏特並進行脈衝量測，計算出的動態導通電阻(Dynamic Ron)僅為初始導通電阻的1.065倍；正偏壓溫度不穩定性(PBTI)也被使用於量測可靠度，透過長時間施加正偏壓於閘極端，臨界電壓飄移(Vth shift)幅度皆在0.2伏特內。除了上述部分，我們也積極將製程開發於不同基板上，同時，也針對含金與無金歐姆接觸進行優化。高頻元件部分，我們成功利用矽基板與混合式絕緣體上矽基板(hybrid ori
ented SOI substrate)製作出氧化鋁閘極結構之氮化鋁鎵/氮化鎵金屬-絕緣體-半導體高電子遷移率電晶體(MIS-HEMT with Al2O3 gate insulator)。為了提升射頻(RF)特性，我們利用電子束直寫機(E-beam writer)進行微影製程，縮小元件尺寸，最終成功將LG、LGS、LGD微縮至0.3um、2um、2um。當汲極偏壓在1伏特時，最大轉導增益接近200 mS/mm，最高的元件截止頻率(fT)與最大功率輸出頻率(fmax)分別為66.4GHz與78.8GHz。若將其作為AB類功率放大器操作於3.5GHz的頻段，可以得到最大輸出功率19.6dBm、功
率增益16.18dB與功率附加效率38.8%。可靠度量測部分，利用脈衝量測可以觀察到混合式絕緣體上矽基板於特定尺寸的元件區會有良好的電流崩塌特性，其原因為此特殊磊晶結構造成的應力釋放
大學電子學實習(二)：電子電路設計篇 附Multisim 12 模擬系統
為了解決ab類功率放大器 的問題，作者蕭敏學 這樣論述：
1.實習教材除了淺顯易懂之外，更加著墨於課程進度的搭配以及系統化探討主題的廣度與深度。 2.規劃充分的實驗工作主題，導引讀者思考，並收集了許多實務範例提供學習。 3.增加電路分析後所歸納的簡易設計元素，帶領初學者有能力針對簡單的實驗電路由自己來設計，提升實務經驗。
3.5-GHz 氮化鎵功率放大器及毫米波砷化鎵功率放大器之設計
為了解決ab類功率放大器 的問題，作者陳隆易 這樣論述：
第五代行動通訊(5G) 網路的來臨，將提供更大的資料量、更高的傳輸速率、更短的延遲(latency) ，並可支援更多的通訊裝置連線，為達到次世代(next-generation) 行動通訊系統的願景[1] ，不論是在實體層、媒體存取控制層、網路層、或應用層，都需要更先進的技術。在本論文中，我們將設計sub-6 GHz 以及毫米波頻段之功率放大器，分別使用WIN 0.25-µm GaN HEMT (high electron mobilitytransistor) 製程及WIN 0.15-µm GaAs pHEMT (pseudomorphic highelectron mobility tr
ansistor) 製程來實現。在本論文第二章中，我們使用WIN 0.25-µm GaN HEMT 製程來設計一應用於5G 小型基地台之3.5-GHz AB 類功率放大器，操作頻率範圍為3.3 GHz 至3.8 GHz 。量測結果顯示其小訊號在3.33.8 GHz 的操作頻率範圍內，增益及輸入返回損耗分別大於10.2 dB 及12.6 dB ，且大訊號在3.5 GHz 下，OP1dB 及在OP1dB 下的PAE 分別為33.1 dBm (2W) 及44.4% ，量測結果都有符合應用於5G 小型基地台發射端主動式相位陣列之功率放大器性能目標。在本論文第三章中，我們同樣使用WIN 0.25-µm
GaN HEMT 製程來設計一應用於5G 小型基地台之3.5-GHz 功率合成放大器，操作頻率範圍為3.3 GHz 至3.8 GHz ，且經由上一章節電路的偵錯對此電路進行優化。本電路是由兩路單級功率放大器藉由impedancetransforming Wilkinson 架構之功率分配器及功率結合器做功率結合之功率合成放大器， impedance transforming Wilkinson 之功率分配器及功率結合器我們使用o chip 的方式實現，使用FR4 高頻兩層板製作，最終利用鎊線的方式與功率放大器做連結。由於o chip 阻抗轉換威爾金森功率分配器及結合器尚未與本章電路晶片做組裝量
測，因此我們先量測本電路之單路功率放大器，量測結果顯示其單路功率放大器小訊號在3.33.8 GHz 的操作頻率範圍內，其增益及輸入返回損耗分別大於14 dB 及9.7 dB ，而大訊號在3.5 GHz 下， OP1dB 及在OP1dB 下的PAE 分別為24.8 dBm (2W) 及16.6% ，我們懷疑是因為量測時較大的輸入功率使晶片過熱以及量測晶片時散熱處理較為不佳所造成的，其OP1dB 及PAE 沒有預期的理想。在本論文第四章中，我們使用WIN 0.15-µm GaAs pHEMT 製程來設計一應用於5G 毫米波頻段之中功率放大器，操作頻率範圍為37GHz 至40 GHz 。本電路為cl
ass-AB 架構，輸入及輸出端皆使用傳輸線進行匹配網路。因操作在毫米波頻段且晶片面積受限以至於無法設計drive PA ，因此我們以提高增益為主要目標進行設計。量測結果顯示其小訊號在3740 GHz 的操作頻率範圍內，其增益及輸入返回損耗分別大於6.3 dB 及2.2 dB ，而輸出返回損耗則皆大於7.3 dB ；在量測大訊號時因量測時打進去之輸入功率沒有額外架設