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次世代無線通訊天線設計

為了解決film strip frame的問題，作者楊致偉 這樣論述：

摘要 iABSTRACT ii誌謝 iv目錄 vi圖目錄 x表目錄 xvii1 第一章 緒論 11.1 研究背景 11.2 研究動機與方法 21.3 論文組織 32 第二章 應用於多通訊標準的嵌入式單極天線 52.1 簡介 52.2 微帶天線理論 72.3 天線結構 112.3.1 嵌入式超寬頻單極天線結構 112.3.2 嵌入式雙頻帶單極天線結構 162.4 天線設計流程與分析 212.4.1 嵌入式超寬頻單極天線分析 212.4.2 嵌入式雙頻帶單極天線分析 242.5 天線電磁輻射吸收比之討論 262.5.1 嵌入式超寬頻單極天線的手部模擬 2

72.5.2 嵌入式雙頻帶單極天線的手部模擬 312.6 實作與量測 352.6.1 嵌入式超寬頻單極天線性能驗證 362.6.2 嵌入式雙頻帶單極天線性能驗證 392.6.3 文獻比較與討論 422.7 結論 443 第三章 開路共振環的雙頻MIMO天線 453.1 簡介 453.2 MIMO系統 473.3 微帶天線理論 (參考2.2小節) 483.4 開路共振環的雙頻MIMO天線結構 483.5 開路共振環雙頻天線設計流程與分析 513.5.1 開路共振環的雙頻MIMO天線設計流程 513.5.2 倒勾型天線支路分析 523.5.3 倒L型天線支路分析 53

3.5.4 開路共振環長度分析 543.5.5 表面電流模擬 553.6 天線電磁輻射吸收比之討論 573.6.1 開路共振環雙頻天線的手部模擬 583.7 實作與量測 613.7.1 吞吐量量測 693.7.2 文獻比較與討論 743.8 結論 764 第四章 功率分配器的SIW陣列天線 774.1 簡介 774.2 基板合成波導理論 794.3 基板合成波導功率分配器 814.4 矩形金屬波導理論 824.5 功率分配結構的SIW陣列天線結構 874.6 功率分配結構的SIW陣列天線設計流程與分析 894.6.1 功率分配結構的SIW陣列天線設計流程與分析

894.7 電磁功率密度模擬之討論 914.7.1 功率分配結構的SIW陣列天線手部模擬 914.8 實作與量測 934.8.1 文獻比較與討論 954.9 結論 975 第五章 功率分配器的維瓦第陣列天線 985.1 簡介 985.2 陣列天線理論 1005.2.1 陣列天線的微帶傳輸線轉角設計 1015.3 維瓦第天線理論 1035.4 功率分配器理論 1045.5 功率分配器的維瓦第陣列天線結構 1065.6 功率分配器的維瓦第陣列天線設計流程與分析 1085.7 電磁功率密度模擬之討論 1115.7.1 功率分配器的維瓦第陣列天線手部模擬 1115.8 實

作與量測 1135.8.1 文獻比較與討論 1165.9 結論 1176 第六章 可波束切換的4 × 4巴特勒矩陣天線 1186.1 簡介 1186.2 巴特勒矩陣基本原理 1206.2.1 90度耦合器原理 1216.2.2 交叉耦合器原理 1236.2.3 45度相移器原理 1246.2.4 微帶天線理論 (參考2.2小節) 1246.2.5 陣列天線理論 1246.3 可波束切換的4 × 4巴特勒矩陣天線設計分析 1276.3.1 90度耦合器設計分析 1276.3.2 交叉耦合器設計分析 1296.3.3 45度相移器設計分析 1306.3.4 4 × 4

巴特勒矩陣設計分析 1316.3.5 28GHz貼片天線設計分析 1356.3.6 波束切換設計分析 1376.4 實作與量測 1406.4.1 反射係數模擬與量測 1406.4.2 波束指向性模擬與量測 1456.5 電磁功率密度模擬之討論 1506.5.1 可波束切換的4×4巴特勒矩陣天線手部模擬 1506.5.2 文獻比較與討論 1526.6 結論 1547 第七章 結論 1557.1 總結 1557.2 未來展望 157參考文獻 158

局部缺陷區域對於低溫多晶矽薄膜電晶體之特性影響

為了解決film strip frame的問題，作者李金憲 這樣論述：

本論文係利用Technology Computer-Aided Design (TCAD)搭配電性量測結果，建立雙閘極多晶矽薄膜電晶體(Poly-Si TFT)之元件物理模型，並以此模型進行局部缺陷之相關電性模擬與物理機制探討。Poly-Si TFT製作過程需使用準分子雷射(ELA)形成，由於ELA能量不同，將會導致薄膜結晶不完全產生晶粒邊界(Grain Boundary)，然而，在製造過程中難以控制缺陷位置，並且也難以通過測量來檢測缺陷區域，因此，通過實驗難以對多晶矽層中離散缺陷區域之電性依賴性進行系統和定量之研究，需要TCAD設計模擬來預測TFT電性和探索物理機制。首先，本論文研究多晶矽

不同通道層厚度為20至140 nm。發現臨界電壓、次臨界擺幅和載子遷移率對缺陷位置敏感。源極側之局部缺陷表現出顯著影響，而汲極側之局部缺陷對TFT電性影響較小。此外，由右通道中之局部缺陷引起電性變化對所施加之汲極電壓幅度高度敏感，較高之汲極電壓可明顯減少電性下降。還研究不同缺陷區域對TFT之電性影響。接下來，本論文亦研究具有不同閘極功函數之自對準雙閘極多晶矽薄膜電晶體，探討改變閘極功函數對通道載子分佈影響，並由載子分佈對缺陷寬度進行定量分析，改善缺陷導致電性衰退之影響。當提高某一側之閘極功函數可提高該通道之電洞濃度，使載子較易聚集於前通道。從而得知缺陷位於前通道時，載子傳輸易受其缺陷位置阻礙使

電性嚴重下降。以上皆通過載流子濃度分佈、能帶分析和電流流線進行研究，以說明物理機制。