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國立清華大學 化學系 季昀所指導 李禹賢的 新型鉑金屬錯合物的合成與金屬環化反應機構及近紅外光錯合物之探討 （2016），提出lg sony oled比較關鍵因素是什麼，來自於新型鉑金屬錯合物的合成與金屬環化反應機構及近紅外光錯合物之探討、鉑金屬錯合物的、近紅外光錯合物、金屬環化。
而第二篇論文國立臺灣科技大學 材料科學與工程系 柯文政所指導 梁鐘奕的 氮化鎵薄膜於氮化鋁/石墨烯/藍寶石基板之成長與特性研究 （2016），提出因為有 石墨烯、氮化镓、氮化铝、缓冲层、直接成长法的重點而找出了 lg sony oled比較的解答。
從歷屆CES大展洞悉消費性電子發展趨勢
為了解決lg sony oled比較 的問題，作者資策會MIC編輯 這樣論述：
lg sony oled比較進入發燒排行的影片
LGが有機ELテレビの2021年モデルを発表しました。
2021年モデルの紹介とSONY BRAVIA A90J、A80J Panasonic VIERA JZ2000、JZ1000とも
カタログ上ではありますがスペック比較をしています。
さらにこの動画を編集している時にコストコからメルマガがきて
LGフェアを開催するようです。
2020年モデルCXシリーズがかなりお買い得になっています。
その辺は最後に紹介しています。
昨年の有機ELテレビ選び
https://youtu.be/uf-tjHqkN-4
今年の有機ELテレビ選び
https://youtu.be/ZRXAPuOrx08
BRAVIA XR X90J(液晶)買った動画リスト
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#LG
#OLED
#有機ELテレビ
0:00 オープニング
0:22 LGの発表で驚いたこと2点
1:12 今回のラインナップと有機EL
1:30 LG 2021モデルの新機能
2:38 A1とC1、G1の主な違い
3:24 C1とG1の違い
3:42 A1、C1、G1を比較してみて
4:27 SONY BRAVIA XR A90JとA80Jの違い
5:06 今回の比較について
5:34 SONY と LG を比較してみる
7:42 Panasonic VIERA JZ2000とJZ1000違い
8:57 Panasonic と LGを比較してみる
10:11 Panasonic今回のライナップに思うこと（個人的感想）
11:38 各メーカー55V型の価格比較
12:45 まとめ
14:00 2020年モデルCXと2021年モデルC1を簡単比較（コストコ LG フェア ）
※動画内容は撮影日のものです。
私の端末ではこのような感じになったというものであり
全ての端末でこの結果になるとは限りません。
試す際は自己責任でお願いします
新型鉑金屬錯合物的合成與金屬環化反應機構及近紅外光錯合物之探討
為了解決lg sony oled比較 的問題，作者李禹賢 這樣論述：
本論文以兩的部分為主，在第一部分中，以 benzyldiphenylphosphine (C^P)H 作為負一價的配位基，搭配另一個負一價的 2-phenylpyridine 或 2-(2,4-difluorophenyl)pyridine (C^N) 作配位，而合成出一系列的鉑金屬錯合物。在錯合物鑑定中，利用單晶 X-ray 鑑定出錯合物 2.6、2.7 與新的中間體 [Pt(C^P)(μ-Cl)]2，由 1H NMR 圖譜鑑定出碳磷配位基 (C^P) 的碳原子上氫原子和氘原子交換的情況，由此讓我們了解鉑金屬錯合物在金屬環化過程中，可能發生配位基斷鍵的情況。最後藉由反應的調整，可以得到雙螯
合配位鉑金屬錯合物 2.5、2.6、2.8，其放光效率最佳為錯合物 2.8，最大放光位置於 498 nm、QY (Φ) 為 48.3% 與 lifetime (τobs) 為 4.19 μs。第二部分中，以中性的配位基 2,2’-bipyrazine、4,4’-bis(trifluoromethyl)-2,2’-bipyridine，搭配雙陰離子配位基 5,5’-di(trifluoromethyl)-3,3’-bipyrazole、5,5’-di(t-butyl)-3,3’-bipyrazole 而合成出鉑金屬錯合物 2.9 2.12，此系列雖然在溶液態無法放光，但在固態下具有放光的表現
，其中以錯合物 2.9、2.10 有放光表現，分別放光位置為 710 nm 與 695 nm，而 QY (Φ) 分別為 13.5% 與 5.2%；而錯合物 2.11、2.12 可能因為分子堆疊不好或放光能階低於金屬的d-d excited state，導致無放光產生，但此中性搭配雙陰離子的鉑錯合物系統，在未來還有結構優化的空間存在。
氮化鎵薄膜於氮化鋁/石墨烯/藍寶石基板之成長與特性研究
為了解決lg sony oled比較 的問題，作者梁鐘奕 這樣論述：
本篇論文呈現了氮化鋁緩衝層結構之於石墨烯/藍寶石基板上製備高品質氮化鎵薄膜的重要性。本文使用低壓化學氣相沉積法（LPCVD）在在藍寶石基板上成長石墨烯。首先會在兩吋藍寶石基板上蒸鍍一層銅膜以便於獲取完全覆蓋基板的石墨烯層。在通過調整銅膜厚度，反應氣體比例和成長時間對製程條件進行優化後，具備高材料品質（i. e. D/G ratio = 0.15）的石墨烯層可以在兩英吋藍寶石基板上獲得。在製備完石墨烯之後，一系列不同成長溫度的20 nm厚氮化鋁緩衝層會用射頻濺鍍系統（RF-sputtering）製備。比較室溫下成長的和550 ℃成長的氮化鋁緩衝層，平均表面粗糙度從0.12 nm降低到0.05
nm。另外，通過使用X射線光電子能譜(XPS)分析550 ℃成長的氮化鋁緩衝層，N 1s 軌域的細部掃描可以觀測到400 eV和405 eV這兩個分別屬於Al-N 和O-N 鍵結的譜峰。最後用金屬有機化學氣象沉積系統(MOCVD)在氮化鋁緩衝層/石墨烯/藍寶石基板上成長3 μm的氮化鎵薄膜。從X射線繞射分析（XRD）的量測結果可以算出（002）面和（102）面搖擺曲線的半高寬（FWHM of XRC）進而可以推測出螺型位錯和刃型位元錯的密度分別為3.9 108和2.3 109 cm-2。通過拉曼(Raman)光譜中E2（high）譜峰的位置570.3 cm-1可以推測出氮化鎵薄膜存在壓應力
。值得注意的是拉曼光譜中657 cm-1位置存在一個極小的譜峰。另外，在熒光（PL）光譜中2.2 eV位置同時也存在一個譜峰。通過用二次離子質譜儀（SIMS）對樣品進行碳元素的縱深分析證明瞭石墨烯在氮化鎵成長時（1100 ℃）會有擴散的現象發生。在氮化鎵薄膜中，碳含量從氮化鎵成長從室溫製備氮化鋁緩衝層/石墨烯/藍寶石基板的3 1019 atoms/cm-3 下降到成長在550 ℃製備的氮化鋁緩衝層/石墨烯/藍寶石基板的2 1018 atoms/cm-3 。本文中還對氮化鎵樣品進行了電性量測，鈦/鋁的歐姆接點和鎳/金的肖特基接點用熱蒸鍍機鍍在氮化鎵薄膜上。本文所有的樣品都出現了反向飽和電
流過大的問題（>104 A/cm2）導致了很差的肖特基特性出現。然而，在加入550 ℃製備的氮化鋁緩衝層後，反向飽和電流和直接在石墨烯/藍寶石基板上成長的氮化鎵薄膜相比，下降了兩個數量級。實驗結果說明氮化鋁緩衝層可以有效阻絕碳原子擴散，對本文中製備的氮化鎵薄膜品質起到至關重要的作用。