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國立陽明交通大學 資訊科學與工程研究所 李毅郎所指導 林世庭的 應用於標準元件與印刷電路板設計之繞線技術研究 （2021），提出m1 m2效能關鍵因素是什麼，來自於超大型積體電路設計、繞線方法、組合最佳化、標準元件合成、標準元件合成、印刷電路板繞線。

而第二篇論文長庚大學 化工與材料工程學系 莊瑞鑫所指導 柯韋名的 利用含氧化三辛基膦之電紡聚醚碸纖維薄膜自模擬血清中選擇性清除尿毒素對甲酚 （2021），提出因為有 高分子纖維薄膜、靜電紡絲、靜電噴塗、聚醚碸、三正辛基氧化膦、對甲酚、尿毒素吸附的重點而找出了 m1 m2效能的解答。

接下來讓我們看這些論文和書籍都說些什麼吧：

除了m1 m2效能，大家也想知道這些：

m1 m2效能進入發燒排行的影片

MBP M1出來之後，其實我原本沒太大感覺，畢竟手上的MacBook Pro 2019可是升到頂規呢，用起來順順的沒啥問題。但自從艾琳買了MacBook Pro 2020 M1，我體驗了之後，完全可以感受到MBP通貨膨脹的無奈。

然後M2要出了，現在我只想摔爛手上12萬買的MBP...

選手Ａ：MacBook Pro 2019 15吋 頂規（i9）
選手Ｂ：MacBook Pro 2020 13吋 標配（M1）

勘誤：
1. M1這樣的狀況應該叫「科技緊縮」而非「通貨膨脹」
2. 2:50 字卡錯誤，MBP 2019 15吋頂規是120,000元，沒那麼便宜ＱＱ

#MBP​ #Apple​ #M1

0:00 MBP通貨膨脹？
1:37 MBP評測選手進場！
3:00 Round 1 開機速度
3:50 Round 2 喚醒速度
4:04 Round 3 剪輯影片
5:45 Round 4 影片輸出速度
7:00 Round 5 多工情境
7:50 宅男評測到老婆不見了
8:12 M1 MBP評測結論


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應用於標準元件與印刷電路板設計之繞線技術研究

為了解決m1 m2效能的問題，作者林世庭 這樣論述：

繞線於積體電路設計中為一必要且被廣泛應用的階段，隨著製程不斷演進，大量的訊號數量與複雜的設計規範大幅提高了繞線問題的複雜度。現今已有許多電子設計自動化(EDA)的工具與演算法被提出來克服複雜的晶片層級繞線，不過仍有一些重要的繞線問題是現存的演算法難以跟人工繞線產出近似的品質的，如標準元件繞線與印刷電路板繞線，這會導致工程師需花費大量時間與精力來完成這些繞線工作。因此，此論文擬提出許多的繞線方法以產出就算與人工繞線相比亦具有競爭力的繞線結果。因此，我們將提出之方法分為兩大主題，自動化標準元建合成與印刷電路板繞線。於自動化的標準元件合成，我們提出了第一個可以全自動合成標準元件庫並考慮drain-

to-drain abutment (DDA)於7奈米鰭式場效電晶體，我們首先提出基於動態規劃演算法的考慮DDA之電晶體擺放方法，並提出基於整數線性規劃之最佳化金屬第0層(M0)規劃演算法以降低第1金屬層(M1)的繞線擁擠度，所以標準元件的輸出入接點(I/O pin)的接入能力也因第2金屬層(M2)的使用量減少而提高。另一方面，我們分析有兩個主要原因導致自動化的標準元件繞線難以跟人工繞線產出近似的品質，其一為自動化的繞線難以完全使用元件中的空間，另外一個原因是以往的標準元件繞線研究並沒有考慮電容耦合所帶來的效能影響。因此，我們提出可隱式動態調整之繞線圖來繞線可以提高繞線資源的使用，我們也將考慮

電容耦合的繞線演算法轉成二次式規劃的方城組來最佳化標準元件的效能。實驗結果證實我們的標準元件庫不只可以幫助減少晶片的面積達5.73%，亦可以提供具有更好的面積與效能的標準元件。多行高的標準元件架構已在現今的設計中越來越流行，但卻沒有被以往的研究完整的討論，在此論文中，我們提出一個完整的擺放與繞線流程與方法以合成多行高的標準元件。我們提出一個基於A*搜尋演算法的多行高電晶體擺放方法以最佳化內行與跨行的連接能力，我們亦提出第一個基於最大化可滿足(Max-SAT)演算法的細部繞線器，其可以最佳化連接線長並滿足基本的設計規範。實驗結果證實我們所合成的標準元件與目前先進的單行標準元件具有近似的品質，且因

我們的多行高標準元件具有較好的長寬比，所以可以在合成晶片時具有更好的彈性。最後，因為越來越高的接點密度與繞線層數，印刷電路板繞線變得越來越複雜。印刷電路板繞線可分為兩個階段，逃離繞線與區域繞線。傳統的逃離繞線只專注於讓接點之連線逃離該晶片區塊，但未考慮其逃離位置對於晶片繞線的可繞度之影響。在此論文中，我們提出了一個完整的印刷電路板繞線流程與方法，其包含了同時性逃離繞線、後繞線最佳化、與區域繞線，而我們所提之印刷電路板繞線可以完成七個目前商業用印刷電路板繞線軟體無法完成的業界印刷電路板設計。 另外，在考慮業界提供之可製造性規範後，我們所提出的逃離繞線依然可以在加入額外設計的方城組後完成所有業界提

供的設計

利用含氧化三辛基膦之電紡聚醚碸纖維薄膜自模擬血清中選擇性清除尿毒素對甲酚

為了解決m1 m2效能的問題，作者柯韋名 這樣論述：

摘要 iAbstract iii目錄 v圖目綠 viii表目錄 xii第一章、緒論 11.1、前言 11.2、血液淨化之近況 41.2.1、尿毒素分子 51.2.2、親蛋白質尿毒素分子 61.2.3、血液淨化方式 91.3、溶血測試 111.4、靜電紡絲 121.5、靜電噴塗 161.6、高分子纖維薄膜製備 191.6.1、薄膜之高分子基材選擇 191.6.2、薄膜之添加劑選擇 201.6.3、薄膜之萃取劑選擇 221.6.4、薄膜之製程參數 231.7、吸附現象 261.

7.1、吸附 261.7.2、等溫吸附模式 28第二章、文獻回顧 302.1、血液吸附 302.2、萃取劑TOPO 352.3、研究動機與目標 38第三章、實驗材料與方法 403.1、實驗藥品 403.2、實驗儀器 403.3、實驗方法 423.4、實驗步驟 433.4.1、高分子纖維薄膜製備 433.4.2、磷酸鹽緩衝溶液（PBS Buffer）配製 453.4.3、等溫動態吸附實驗 463.4.4、批次等溫吸附實驗 463.4.5、動態掃流吸附實驗 463.4.6、附著性測試實驗 473.

4.7、溶血測試 473.5、實驗分析 483.5.1、FE-SEM 分析 483.5.2、EDS元素分析 493.5.3、BET孔洞結構分析 493.5.4、FTIR分析 503.5.5、TGA熱重損失分析 513.5.6、HPLC高效能液相層析 51第四章、結果與討論 534.1、薄膜材料性質分析與討論 534.1.1、FE-SEM分析 534.1.2、EDS分析 684.1.3、TGA分析 724.1.4、FTIR分析 744.1.5、BET分析 764.2、等溫動態吸附實驗 854.3、批次

等溫吸附實驗 864.4、動態掃流吸附實驗 904.5、附著性測試 974.6、溶血測試 98第五章、結論 100第六章、未來研究方向與建議 102參考文獻 103自述 120圖目綠圖1.1.1、慢性腎臟病的分期 [國軍台中總醫院腎臟科，2019] 2圖1.1.2、2018全球末期腎臟病的發生率 [美國腎臟登錄系統，2020] 3圖1.1.3、2017-2018全球末期腎臟病發生率變化[美國腎臟登錄系統，2020]….. 3圖1.4.1、靜電紡絲裝置的示意圖 [Gatford, 2008] 14圖1.4.2、電紡奈米纖維的

應用[Liu et al., 2020] 16圖1.5.1、靜電噴塗裝置示意圖 [Jaworek, 2007] 18圖1.6.1、以接觸角對表面親/疏水性進行分類 [Song & Fan, 2021] 21圖1.6.2、(a)未添加PVP之純PES薄膜 (b)添加5% PVP之薄膜水接 　觸角圖 22圖2.1.1、雙層混合基質膜的SEM圖 [Pavlenko et al., 2016] 32圖2.1.2、AST-120之作用模式 [吳青芳 & 黃政文，2009] 33圖2.1.3、CMPF (\\\\\)、IS (##) 和HA (//////)灌流 4

小時期間的出口濃度[Nikolaev et al., 2011] 34圖3.2.1、掃流式薄膜組件[Sterlitech] 42圖3.3.1、靜電紡絲裝置 [鴻隼企業有限公司] 42圖4.1.1、薄膜M1之500倍表面形態 54圖4.1.2、薄膜M1之3000倍表面形態 54圖4.1.3、薄膜M1之200倍截面形態 55圖4.1.4、薄膜M2之500倍表面形態 56圖4.1.5、薄膜M2之3000倍表面形態 56圖4.1.6、薄膜M2之200倍截面形態 57圖4.1.7、薄膜M3之500倍表面形態 57圖4.1.8、薄膜M3之3000

倍表面形態 58圖4.1.9、薄膜M3之200倍截面形態 58圖4.1.10、薄膜M4之500倍表面形態 59圖4.1.11、薄膜M4之3000倍表面形態 59圖4.1.12、薄膜M4之200倍截面形態 60圖4.1.13、薄膜M5之500倍表面形態 60圖4.1.14、薄膜M5之3000倍表面形態 61圖4.1.15、薄膜M5之200倍截面形態 61圖 4.1.16、靜電紡絲高分子奈米纖維之兩種添加Ag-TiO2方法[Ryu et al., 2015] 62圖 4.1.17、結合靜電紡絲與靜電噴塗之示意圖 63圖4.1.18、薄膜M

6之500倍上表面形態 63圖4.1.19、薄膜M6之3000倍上表面形態 64圖4.1.20、薄膜M6之500倍下表面形態 64圖4.1.21、薄膜M6之3000倍下表面形態 65圖4.1.22、薄膜M6之200倍截面形態 65圖4.1.23、薄膜M7之500倍上表面形態 66圖4.1.24、薄膜M7之3000倍上表面形態 66圖4.1.25、薄膜M7之500倍下表面形態 67圖4.1.26、薄膜M7之3000倍下表面形態 67圖4.1.27、薄膜M7之200倍截面形態 68圖4.1.28、M1單根纖維截面之磷元素分佈圖 70

圖4.1.29、M3單根纖維截面之磷元素分佈圖 70圖4.1.30、M4單根纖維截面之磷元素分佈圖 71圖4.1.31、M5單根纖維截面之磷元素分佈圖 71圖4.1.32、M7單根纖維截面之磷元素分佈圖 71圖4.1.33、純PES薄膜、PVP及TOPO之熱重分析圖 73圖4.1.34、薄膜之熱重分析圖 74圖4.1.35、薄膜與各材料之傅立葉轉換紅外光譜圖譜 76圖4.1.36、六種氣體吸脫附曲線示意圖 [Thommes et al., 2015] 77圖4.1.37、五種吸脫附曲線之遲滯類型示意圖 [Thommes et al., 2015]

77圖4.1.38、薄膜M1之氮氣吸脫附等溫曲線圖 78圖4.1.39、薄膜M2之氮氣吸脫附等溫曲線圖 79圖4.1.40、薄膜M3之氮氣吸脫附等溫曲線圖 79圖4.1.41、薄膜M4之氮氣吸脫附等溫曲線圖 80圖4.1.42、薄膜M5之氮氣吸脫附等溫曲線圖 80圖4.1.43、薄膜M6之氮氣吸脫附等溫曲線圖 81圖4.1.44、薄膜M7之氮氣吸脫附等溫曲線圖 81圖4.1.45、薄膜之孔徑分佈曲線 84圖4.2.1、薄膜M1～M4之等溫動態吸附（8小時） 85圖4.2.2、薄膜M5～M7之等溫動態吸附（8小時） 86圖4.3

.1、薄膜M1～M4之批次等溫吸附 87圖4.3.2、薄膜M5～M7之批次等溫吸附 87圖4.4.1、薄膜M1之掃流吸附結果 92圖4.4.2、薄膜M2之掃流吸附結果 92圖4.4.3、薄膜M3之掃流吸附結果 93圖4.4.4、薄膜M4之掃流吸附結果 93圖4.4.5、薄膜M5之掃流吸附結果 94圖4.4.6、薄膜M6之掃流吸附結果 94圖4.4.7、薄膜M7之掃流吸附結果 95圖4.6.1、薄膜之溶血測試結果 99表目錄表1.2.1、慢性腎臟病治療方式的優缺點 5表1.2.2、人體內尿毒素濃度 6表1.2.3、血液透析過

程中尿素氮和對硫甲酚的去除 [Martinez et al., 2005] 8表1.2.4、各種血液淨化方式之優缺點 9表1.2.5、不同血液淨化方式清除毒素的原理及效率 11表1.7.1、物理吸附和化學吸附之差異 28表 3.4.1、各薄膜之溶液組成與製程 44表 3.4.2、各薄膜之製程與薄膜組成 45表3.5.1、各尿毒素之紫外-可見光光譜設定波長 52表4.1.1、能量色散X射線譜之表面分析結果（原子比） 69表4.1.2、能量色散X射線譜之單根纖維截面分析結果（原子比） 72表4.1.3、各種官能基之吸收峰 75表4.1.

4、薄膜之孔體積及比表面積 82表4.1.5、薄膜之孔體積及微孔比例 84表4.3.1、各薄膜之等溫吸附耦合參數 88表4.3.2、各薄膜之每克TOPO之p-Cresol最大吸附量 (mmol/g) 89表4.4.1、模擬血清中各尿毒素之初濃度 91表4.4.2、各薄膜對不同尿毒素的移除率及選擇性 96表4.5.1、附著性測試結果 98表4.6.1、各纖維薄膜之溶血率 99

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