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國立雲林科技大學 機械工程系 曾世昌所指導 廖健何的 異型水路應用於PVT量測機台之冷卻效益之研究 (2020),提出pid溫度控制器關鍵因素是什麼,來自於PVT、Moldex 3D、田口方法、溫度均勻度、冷卻分析。

而第二篇論文國立臺灣大學 機械工程學研究所 莊嘉揚所指導 徐品嘉的 噴射式大氣電漿系統之廢熱回收與高霧度鎵摻雜氧化鋅透明導電薄膜製備 (2020),提出因為有 大氣電漿、廢熱回收、熱電晶片、鎵摻雜氧化鋅、高霧度透明電極、光散射的重點而找出了 pid溫度控制器的解答。

最後網站BCT107 PID 控制器 - BCT百晟科技有限公司則補充:BCT107 PID 控制器. 產品型號:BCT107. 產品分類:控制設備/近接/光電/計數/電力調整器/ PID 控制器/溫度顯示錶/單相SCR/三相SCR/米輪 ...

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除了pid溫度控制器,大家也想知道這些:

AVR單片機C語言高級編程設計(第三版)

為了解決pid溫度控制器的問題,作者周興華,岑巍,倪敏娜 這樣論述:

《AVR單片機C語言高級程式設計設計(第三版)》以初學者為物件,從零開始,循序漸進地講述AVR單片機C語言程式設計方法以及AVR單片機的硬體結構和功能應用。   全書共27章,主要內容包括AVR單片機特性、AVR單片機開發語言及編譯器、AVR單片機開發軟體的安裝及初步使用、自製JTAG模擬器及AVR單片機程式下載器、I/O埠、中斷系統、定時計數器、模/數轉換器、與PC機的串列通信、內部E2PROM、I2C序列介面、看門狗計時器、風機測試儀、紅外線轉速儀、紅外線感應自動移門、PID溫度控制器、液晶即時曲線顯示監控系統、圖文混排指針型電子鐘設計、數顯超聲波測距儀、RS485遠端網路控制系統設計等。

周興華,單片機培訓中心首席培訓師,著名單片機培訓、教育專家,資深高級嵌入式工程師,從事單片機培訓和產品設計近20年,編寫出版了大量的培訓書籍,已發表的有關學術及專業方面的文章超過1000萬字。 前言 第1章 概述 1 1.1 AVR單片機特性 1 1.2 學習AVR單片機用到的實驗工具及器材 2 第2章 AVR單片機開發語言及編譯器 8 2.1 採用C語言程式設計的意義 8 2.2 C語言具有的突出優點 9 2.3 AVR單片機的C編譯器簡介 10 第3章 ANSI C語言基礎知識 11 3.1 C語言的識別字與關鍵字 11 3.2 資料類型 13

3.3 AVR單片機的存儲空間 14 3.4 常量、變數及存儲方式 14 3.5 陣列 14 3.6 C語言的運算 17 3.7 流程控制 22 3.8 函數 26 3.9 指針 28 3.10 結構體 32 3.11 共用體 36 3.12 中斷函數 37 第4章 AVR單片機開發軟體的安裝及初步使用 40 4.1 ICCAVR7.14C C語言編譯器安裝 40 4.2 AVR Studio整合式開發環境安裝 42 4.3 程式下載軟體安裝 42 4.4 創建AVR入門程式 46 第5章 AVR DEMO單片機綜合試驗板原理介紹及使用 62 5.1 AVR DEMO單片機綜合試驗板 6

2 5.2 ATmega16A單片機的主要特點與內部組成 64 5.3 使用JTAG ICE模擬器調試AVR DEMO單片機綜合試驗板 65 第6章 自製JTAG模擬器及AVR單片機程式下載器 70 6.1 JTAG的由來及簡介 70 6.2 傳統的線上模擬器與JTAG介面的片內調試系統的區別 70 6.3 AVR JTAG ICE模擬時注意事項 71 6.4 AVR JTAG ICE的特點 72 6.5 自製AVR JTAG ICE 72 6.6 自製AVR單片機並口程式下載器 82 6.7 自製AVR單片機USBASP程式下載器 83 第7章 ATmega16A的I/O埠及C語言程式設

計 86 7.1 ATmega16A的I/O埠 86 7.2 ATmega16A的I/O埠使用注意事項 87 7.3 ATmega16A的I/O埠程式設計實踐 88 第8章 ATmega16A驅動16×2點陣字元液晶模組 101 8.1 16×2點陣字元液晶顯示器概述 101 8.2 液晶顯示器的突出優點 102 8.3 16×2字元型液晶顯示模組(LCM)特性 102 8.4 16×2字元型液晶顯示模組(LCM)引腳及功能 102 8.5 16×2字元型液晶顯示模組(LCM)的內部結構 103 8.6 HD44780特點 103 8.7 HD44780工作原理 104 8.8 LCD控制器

的指令 108 8.9 LCM工作時序 110 8.10 ATmega16A驅動16×2點陣字元液晶模組的副程式 111 8.11 16×2LCM演示程式(一) 113 8.12 16×2LCM演示程式(二) 116 第9章 ATmega16A的中斷系統及C程式設計 120 9.1 ATmega16A的中斷系統 120 9.2 ATmega16A的外部中斷程式設計實踐 121 第10章 ATmega16A的定時計數器及C程式設計 129 10.1 ATmega16A的定時/計數器 129 10.2 ATmega16A定時/計數器的時鐘選擇 129 10.3 計數器的事件 130 10.4 

定時/計數器事件的處理 131 10.5 ATmega16A的定時/計數器程式設計實踐 131 第11章 ATmega16A的PWM功能使用——實現數/模輸出 139 11.1 ATmega16A的定時/計數器的特性及數/模輸出實現 139 11.2 ATmega16A的PWM程式設計實踐 139 第12章 ATmega16A的模/數轉換器及C程式設計 145 12.1 ATmega16A的模/數轉換器 145 12.2 模/數轉換器相關寄存器 145 12.3 模/數轉換器的使用 147 12.4 ATmega16A的模/數轉換器程式設計實踐 147 第13章 ATmega16A串口及

C程式設計——與PC機的串列通信 153 13.1 通用序列介面USART的主要特性 153 13.2 USART的主要寄存器及設置 153 13.3 ATmega16A與PC機的串列通信程式設計實踐 157 第14章 AVR單片機內部資源的C程式設計——ATmega16A的內部E2PROM讀/寫 177 14.1 ATmega16A的內部E2PROM 177 14.2 與E2PROM相關的寄存器 177 14.3 ATmega16A內部E2PROM程式設計實踐 178 第15章 ATmega16A驅動I2C序列介面器件24C01的程式設計 190 15.1 E2PROM AT24CXX的

性能特點 190 15.2 AT24CXX引腳定義 190 15.3 AT24CXX系列記憶體特點 191 15.4 AT24CXX系列E2PROM的內部結構 191 15.5 AT24CXX系列E2PROM晶片的定址 192 15.6 寫操作方式 193 15.7 讀操作方式 194 15.8 讀寫AT24C01的相關功能副程式 195 15.9 在AVR單片機綜合試驗板上完成AT24C01A的讀寫實驗 198 第16章 AVR單片機內部資源的C程式設計——實現兩片ATmega16A以SPI方式通信 225 16.1 ATmega16A的SPI序列介面特點 225 16.2 主機和從機之間

的SPI連接及原理 225 16.3 SPI的配置及使用 228 16.4 SPI的相關寄存器 228 16.5 兩片ATmega16A的同步串口資料高速通信實驗 230 第17章 ATmega16A驅動SPI序列介面器件93C46的程式設計 236 17.1 AT93CXX的性能特點 236 17.2 AT93CXX引腳定義 236 17.3 AT93CXX系列記憶體特點 237 17.4 AT93CXX系列E2PROM的內部結構 237 17.5 AT93CXX系列E2PROM的指令集 238 17.6 器件操作 238 17.7 ATmega16A驅動AT93C46的子函數 242 1

7.8 ATmega16A對AT93C46的讀/寫實驗 245 第18章 ATmega16A驅動128×64點陣圖形液晶模組 251 18.1 128×64點陣圖形液晶模組特性 251 18.2 128×64點陣圖形液晶模組引腳及功能 252 18.3 128×64點陣圖形液晶模組的內部結構 252 18.4 HD61203特點 254 18.5 HD61202特點 255 18.6 HD61202工作原理 255 18.7 HD61202的工作過程 259 18.8 點陣圖形液晶模組的控制器指令 259 18.9 HD61202的操作時序圖 261 18.10 ATmega16A驅動128

×64點陣圖形液晶模組的副程式 262 18.11 在AVR單片機綜合試驗板上實現128×64LCM演示程式 265 18.12 在128×64液晶屏上實現多級功能表的設計實驗 271 第19章 ATmega16A的系統控制、重定和看門狗計時器使用 275 19.1 ATmega16A的系統控制和重定 275 19.2 ATmega16A的復位源 275 19.3 看門狗計時器的使用 277 19.4 在AVR DEMO單片機綜合試驗板上,進行看門狗實驗(一) 278 19.5 在AVR DEMO單片機綜合試驗板上,進行看門狗實驗(二) 280 第20章 ATmega16A應用實例1——風

機測試儀 282 20.1 系統功能描述 282 20.2 系統方案及電路設計 282 20.3 測試類型、參數範圍及測試過程 285 20.4 程式設計 286 20.5 調試及應用 297 第21章 ATmega16A應用實例2——紅外線轉速儀 298 21.1 轉速儀錶的分類 298 21.2 轉速感測器 299 21.3 轉速測量的方法 299 21.4 紅外線轉速儀系統功能描述 299 21.5 系統方案及電路設計 300 21.6 程式設計 302 21.7 調試及應用 308 第22章 ATmega16A應用實例3——紅外線感應自動移門 309 22.1 紅外線感應自動移門的

組成及基本工作原理 309 22.2 系統方案設計 310 22.3 電路設計 311 22.4 程式設計詳解 316 22.5 保養及維護 334 第23章 ATmega16A應用實例4——PID溫度控制器 335 23.1 溫度控制原理 335 23.2 PID控制原理 335 23.3 系統方案及電路設計 337 23.4 程式設計 340 23.5 調試及應用 348 第24章 ATmega16A應用實例5——液晶即時曲線顯示監控系統 349 24.1 系統功能描述 349 24.2 系統方案及電路設計 349 24.3 數位溫度感測器DS18B20簡介 350 24.4 程式設計

355 24.5 調試及應用 377 第25章 ATmega16A應用實例6——圖文混排指針型電子鐘設計 378 25.1 系統方案設計 378 25.2 電路設計 378 25.3 程式設計詳解 378 25.4 調試及應用 397 第26章 ATmega16A應用實例7——數顯超聲波測距儀 398 26.1 超聲波測距原理 398 26.2 超聲波測距專用模組HC-SR04介紹 398 26.3 系統方案設計 400 26.4 電路設計 400 26.5 程式詳解 400 26.6 調試及應用 404 第27章 ATmega16A應用實例8——RS485遠端網路控制系統設計 405

27.1 RS485分散式資料獲取和控制網路原理 405 27.2 電路設計 405 27.3 程式詳解 405 27.4 調試及應用 410 參考文獻 411 進入21世紀後,由於電子技術及電腦技術的迅猛發展,促使電子產品的更新換代速度越來越快。以單片機為核心的智慧化產品具有體積小、功能強、應用面廣等優點,正不斷取代傳統電子線路構成的經典系統。   以前組合語言是單片機工程師進行軟體發展的唯一選擇,但組合語言程式的可讀性和可攜性較差,採用組合語言編寫單片機應用系統程式的週期長,而且調試和排錯也比較困難。並且不同類型的單片機,必須採用不同的組合語言來編寫,這是因為組合語言

完全依賴於單片機硬體。對開發者而言,如果由於專案的變化而經常變更單片機類型,其開發的難度是可想而知的。因為學習任何一種單片機組合語言開發,都需要歷經學習、探索、實踐、提高這樣一個過程,該過程少則半年,多則1~2年。隨著市場競爭的日益激烈,開發效率已成為電子產品的最重要因素之一。為了提高編制單片機系統和應用程式的效率,改善程式的可讀性和可攜性,最好的辦法是採用高階語言程式設計。目前,C語言逐漸成為國內外開發單片機的主流語言。   C語言是一種通用的編譯型結構化電腦程式設計語言,它兼顧了多種高階語言的特點,並具備組合語言的功能。它支援當前程式設計中廣泛採用的由頂向下的結構化程式設計技術。一般的高階

語言難以實現組合語言對於電腦硬體直接進行操作(如對記憶體位址的操作、移位操作等)的功能,而C語言既具有一般高階語言的特點,又能直接對電腦的硬體進行操作。C語言有功能豐富的庫函數、運算速度快、編譯效率高,並且採用C語言編寫的程式能夠很容易地在不同類型的單片機之間進行移植。因此,C語言的應用範圍越來越廣泛,用C語言進行單片機程式設計是單片機開發與應用的必然趨勢。對組合語言掌握到只要可以讀懂程式,在時間要求比較嚴格的模組中進行程式的優化即可。採用C語言不必對單片機和硬體介面的結構有很深入的瞭解,編譯器可以自動完成變數的存儲單元的分配,程式設計者就可以專注於應用軟體部分的設計,大大加快了軟體的開發速度

。統計資料表明,不同單片機的C語言編譯器80%的代碼是公共的,採用C語言可以很容易地進行單片機的程式移植工作,有利於產品中的單片機重新選型。C語言的編譯效率也很高,對於同一個問題,用C語言編寫的程式生成代碼的效率僅比用組合語言編寫的程式低10%~20%,由於現在片上ROM(或Flash ROM)空間做到32/64KB(或更大)的單片機比比皆是,因此代碼效率所差的10%~20%已經不是重要問題。至於對開發速度、軟體品質、結構嚴謹、程式堅固等方面進行綜合評述的話,那麼C語言的完美絕非是組合語言所能比擬的。   本書在第二版的基礎上,又增添了大量實用應用程式及案例,讀者可以拿這些實例直接用於產品設計

與程式設計,也可進一步改良升級。   本書以初學者為物件,從零開始,循序漸進地講解當前最熱門的AVR單片機的C語言高級程式設計知識,在介紹AVR單片機的各單元部分基本特性的同時,使用入門難度淺、程式長度短且又能馬上實踐的初級實例,詳細介紹了如何使用ATmega16A的片上資源,幫助初學者快速掌握AVR單片機的高效設計。   光碟使用 隨書所附的光碟中提供了本書的所有軟體設計程式檔,讀者可直接複製下來使用,並仿照這些程式進行快速開發。還包括了本書的教學課件(PPT),可作為讀者自學本書的參考資料,也可供高校老師教學使用。   學習AVR單片機需要一定的學習、實驗器材,如讀者需書仲介紹的實驗器材或

想參加單片機/電子技術/FPGA/ARM等的設計培訓班,可與作者聯繫,諮詢購買事宜。   在本書的編寫過程中,得到了呂超亞、周濟華、沈惠莉、周淵、周國華、丁月妹、周曉瓊、錢真、周桂華、劉君禮、邱華鋒、胡穎靜、吳輝東、馮駿、孔雪蓮、方渝、付毛仙和呂丁才等的幫助和支持,編者參考了大量的文獻資料,一些資料來自互聯網和非正式出版物,參考文獻無法一一列出,在此對原作者一併表示誠摯的感謝。   限於作者水準,書中難免存在不少錯誤或漏洞,誠摯歡迎廣大讀者提出意見,並不吝賜教。

異型水路應用於PVT量測機台之冷卻效益之研究

為了解決pid溫度控制器的問題,作者廖健何 這樣論述:

塑膠材料問世以來,其產品種類多樣化並且被近代人廣泛得運用,並且逐漸取代金屬材料,所以塑膠產品也是現代人們生活中無可取代的項目。而過去若想提高塑膠產品品質,往往只能依照過往經驗調整射出成型參數或射出成型控制技術來優化產品。而高分子的壓力-比容-溫度(PVT)在成型過程中佔據了重要地位,隨著成型過程中的壓力或溫度不同會導致比容發生變化,此外降溫速率的函數也會對高分子的成型產生一定的影響,而這些影響都會導致高分子產品的精度與品質難以掌控。因此若能準確描繪出高分子的P-V-T-Q曲線,優化射出成型參數,從而達到提高產品品質與其穩定性。本研究利用Moldex 3D軟體分析,從設計與模擬結果中挑選最佳方

形水路設計,並藉由田口方法來優化冷卻模組其冷卻效率,且同時確保模具在冷卻過程中,塑料周圍溫度分佈能保持在一定水準。其中水路圈數影響最大,其貢獻度為59.6%,其次為水路管徑,貢獻度為39.94%,冷卻液挑選在冷卻效率與溫度均勻度的綜合比較下,最終使用低溫高壓空氣。最終開發PVT量測模具與柱塞式量測機台,並透過程式控制升降溫與壓力調整。結果表明降溫曲線與模擬相差誤差僅有10%,而利用田口方法所開發出新冷卻模組,其冷卻時間效率更可提升約43%。假若以冷卻溫度40°C為基準點,模擬可以控制冷卻速率在30°C/min以上,高壓冷卻空壓氣體實驗可以達到控制冷卻速率在35°C/min以上,冰水機冷卻空壓氣

體實驗可以達到控制冷卻速率在15°C/min以上。

噴射式大氣電漿系統之廢熱回收與高霧度鎵摻雜氧化鋅透明導電薄膜製備

為了解決pid溫度控制器的問題,作者徐品嘉 這樣論述:

隨著能源危機日益加劇,科學家紛紛研究如何有效利用製程中之各種能源,而其中廢熱回收為目前相當盛行之研究。本研究透過蒐集本實驗室自行架設之噴射式大氣電漿之熱能,並用以驅動一多功能感測系統幫助操作人員獲取溫度及槍體內空氣品質資訊,同時能自動將數據上傳至雲端資料庫。為了在有限空間中獲取足夠能量,將探討了三種熱電晶片組合,並且量測其電性,同時探討廢熱回收系統中,主動式散熱裝置的必要性。最後發現雙層熱電晶片在電路上為串聯時,為最適合當前多功能感測系統負載之熱電晶片組合,且開啟主動式散熱裝置後,可使熱電晶片載台底部溫度從90 °C降至42 °C,供電功率可從0.6 W上升至約1.09 W,使廢熱回收系統穩

定運作至少17 分鐘。再生能源中的太陽能電池也日益受到關注,其中,增加薄膜太陽能電池的前電極霧度不但能增加光的散射穿透度,使得入射光於太陽能電池中的路徑長增加,也能提高光封存的效果,進而提高太陽能電池的轉換效率。文獻中製備高霧度透明電極通常需要多次製程,常見的方法如:鍍製薄膜前預先在基板鋪上奈米銀線或奈米粒子、透過蝕刻薄膜增加表面粗糙度以及透過高溫基板(530 °C)來增加晶粒尺寸去增加表面粗糙度。本研究透過新增一層霧度增加層至標準製程薄膜之下,並調整霧度增加層之工作距離與步進距離進而改變薄膜之電學性質、光學性質及表面粗糙度,整個製程是可以一次完成,且與文獻相比使用較低溫之基板(180 °C)

,以及不須切換機台及更換材料,既省時又能節省成本。研究中將探討霧度增加層對於上層薄膜之影響,以及上層薄膜厚度對於F.O.M及霧度之關聯性。其中當霧度增加層的工作距離增加時會使薄膜之結晶性下降及表面粗糙度上升,進而使得電性較差但霧度較高;而霧度增加層之步進距離增加時則會使上層薄膜結晶性較佳,粗糙度下降,電學性質較好,但是霧度也會跟著下降。在本研究中,最佳高霧度透明電極參數為當霧度增加層:WD = 4 mm, Pitch = 5 mm及標準製程薄膜:Pass = 3,此時F.O.M為 0.02089 Ω−1,而霧度達25%,於高霧度相關研究中有著優異的表現。