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分類字源單字大全：系統化字首、字根、字尾一目瞭然，比市面上大多數同類書籍更有效率記憶及擴充單字量！（附單字QR碼線上音檔）

為了解決power bi試用的問題，作者HackersAcademia 這樣論述：

由 TOEIC 權威研究機構 Hackers Academia 嚴選編纂 針對高中以上程度，培養職場以及各大英文檢定考試的 Word Power！ 臨時什麼「試」都不怕！即使沒印象、沒學過或是根本就記不住的單字 你也可以透過本書，輕鬆掌握其90%以上的意義與用法！ 極完整！用「意義分類」約 350 個字首+字根+字尾， 並讓讀者更快速掌握字源學習的要領 以 1,800 個中高階單字為核心， 透過「字根拆解+圖像化」的輔助來理解字義 一天 30 個字彙 + 一天 1 回完整學習評量，能確實達到有效的學習成果 隨身帶單字小手冊 + 智慧 QR 碼音檔設計，隨時隨地用耳朵記憶效果更棒！

　　◆ 有效掌握對於字源的記憶與理解，才能真正提升 Word Power！ 　　雖然英文字彙浩瀚無邊，但事實上我們不必去認識字典裡所有單字，因為我們日常生活，乃至於職場會用到的字彙，其實也只是涵蓋區區幾千個常用字彙，更重要的是，如果我們對形成英文單字的字源（字首、字根、字尾）能有清楚的概念，那麼許多單字根本不需要背，直接看單字就能猜出大概的意思，再配合上下文幾乎可以八九不離十的掌握一個陌生的單字，而且還能夠幫助記憶單字。例如 fore- 是一個很常見的字首，它的意思是「前面」，可以用我們常見的 before（之前）這個字去理解。因此 forehead 就可以拆解成 fore（前面）+ head

（頭），照字源拆解，就成了「前面的頭」或「頭的前部」，而 forehead 就是「前額、額頭」的意思。用這樣的方式去理解、記憶單字，會比死背更有邏輯，而且記憶的時間更長久。 　　◆ 字首、字根、字尾多如牛毛，要有系統的分類才會好用！ 　　雖然用字首、字根、字尾去擴增單字量，在短時間內記下基本日常生活以及職場上常用的字彙是個不錯的方式，但坊間這類教材也是玲瑯滿目，似乎每一本看起來都是寶典，但真正買來開始學習還是發現，沒有想像中那麼好用，因為英文裡的字根、字首、字尾少說也近三、四百個，當你越記越多時，難免會產生錯縱複雜的感覺，就跟背單字一樣，記了新的忘了舊的，這時候就需要一套對於這幾百個字根、字

首、字尾，做一套有系統性的分類，可讓學習者在一開始時迅速掌握字源學習要領。 　　◆ 以「意義分類」方式掌握字源歸類，簡單一句話，搭配一張有趣的插圖，瞬間理解一個中高程度的英文字彙 　　本書收錄字首、字根、字尾約 350 個，在編排上不採用按字母順序編排的慣例，而以「意義分類」的編排方式，將屬於同一意義範疇的字源歸類在一起。例如，將 mob（移動）、cede（行進）、scend（爬）、cid（切開）、fer（攜帶）、ject（丟擲）、tract（拉）、duc（引領）、mit（發送）、pos（放置）、port（運送）、loc（地方）...等歸類在與「移動」與「位置」的群組，有效幫助學習者在一開始

時，有個宏觀的視野來記憶字根。除了意義分類外，每個單字都會利用「一張插圖」+「一兩句話」，把字源的結合及意義的聯想方式說明清楚，如此就能瞬間理解一個以前怎麼記都記不下來的中高程度單字。 　　◆ 去掉冷僻字義，只留最常用、最常考的意思，讓你記單字的時間沒有絲毫浪費！ 　　接著在字彙解析上，首先提供這個單字最普遍、最常見的意義，因為一個單字在字典裡可能有 10 種以上的意義，但本書自動幫您列出最常見、考試最有可能考的意思，無論是在日常使用或考試用，您都不會浪費時間去背一些不會考的單字意思，同時也幫您避開了冷僻艱深的單字意思。 　　◆ 透過單字與字根的「同義、近義、反義」的聯想串流，更輕鬆的記憶

與擴充單字量！ 　　當我們在學習一個英文單字時，不應該只是單一學習這個字彙本身，而應該從這個單字去聯想更多單字，聯想的方式除了字根的擴充之外，當然就是「同義、近義、反義」等的聯想。當然，前面提過，英文字彙浩瀚無邊，光是一個單字的「同義」及「近（似）義」就可能讓你花費很多不必要的時間去記一些冷僻艱深、日常用不到、考試不會考的單字，同時可能影響到原本應該牢記的基本單字，這會讓你在學習上受到很大的挫折，因此本書歸納整理的「同義、近義、反義」聯想字彙，絕對不會讓你在培養英語單字力的過程中繞遠路而事倍功半。 　　◆ 掌握字根衍生架構的「多義單字」，以及「形似異義」的易混淆單字 　　當我們字彙累積到一個

程度的量時，一定會發現一些多義單字（一個字有多重意義且都是常見常用的）無法單就字源結構去理解記憶，但本書最後篇透過歸納整理的方式，讓您在最短的時間內快速理解與記憶，進而提升自己的字彙能力。另外，也整理一些常見的「形似異義」字彙，例如 efficient 和 effective、numeral和 numerous、principle 和 principal 等，讓您不會在和朋友聊天或閱讀、寫作上不小心搞錯字，或造成雞同鴨講的尷尬！ 本書特色 　　透過「字根拆解」+「圖像化輔助記憶」，以簡短一句話讓您對於這個考試必學、生活必備的單字永生難忘！ 　　1. 字源圖像化理解，從此告別學了字根還是理

解不出單字意義的窘境 　　以1,800個中高階單字為核心，透過將字首、字根、字尾圖像化去理解字義，讓你擁有傲視群雄的生活與職場的 Word Power！ 　　2. 精選單字意義，拒絕沒有效率的瞎忙 　　本書收錄的字彙，整理自英檢中級與中高級、TOEIC、SAT、TOEFL、公務員考試高頻率出題字彙，且根據日常生活與考場實務經驗，精選真正用得到的單字解釋，另外例句中每個單字都是比較簡單的字彙，不會出現還有其他生字出現的情況。 　　3. 系統化的「字首、字根、字尾」分類講解與分析，學習最扎實！ 　　雖然英文單字數量龐大，但字根（含字首、字尾）的數量有限，因此透過系統化分類來掌握它們，可以讓字根

的學習更有效率。本書編排上不採用按字母順序編排的慣例，而以「意義分類」的編排方式，將屬於同一意義範疇的字根歸類在一起。有效幫助學習者在一開始時，有個宏觀的視野來記憶字根。 　　4. 透過單字與字根的「同義、近義、反義」聯想，讓你更輕鬆記憶與擴充單字量！ 　　學會一個中高程度英文單字的同時，立即透過「同義、近義、反義」的聯想，從這個單字去擴充記憶更多單字。另外，特別歸納與整理「一字多義」、「形似異義」的字彙，讓您在最短的時間內快速理解與記憶，進而提升自己的字彙能力，同時讓您不會在和朋友聊天或閱讀、寫作上不小心搞錯字，或造成雞同鴨講的尷尬！ 　　5. 打造屬於個人的學習計畫！ 　　當您完成當天

的學習時，可以在那天標記★號，而若您經過多次複習，也可以標記更多★號。本書在編排上提供一天約 30 個字的學習計畫，然後配合每天一回完整的學習評量（workbook），確實達到有效的學習成果。 　　6. 隨身帶單字小手冊 + 智慧 QR 碼音檔設計，隨時隨地用耳朵記憶效果更棒！ 　　單字小手冊與智慧 QR 碼音檔設計，隨時隨地用耳朵記憶效果更棒！由母語人士清楚地念出每一個單字與例句，讓您也能用耳朵來記住這些實用單字，邊聽邊跟唸著書中的例句，讓您輕易地改善發音並增進口語能力。可以透過手機掃瞄 QR 碼，讓你站著能背、坐著也能背，愛怎麼背就怎麼背！亦提供可一次下載全書 MP3的 QR 碼，不需註

冊會員，或額外安裝自己不熟悉的播放 APP，省去每次聽音檔都要掃描的麻煩！（註：打包下載檔案為ZIP壓縮檔，請先安裝解壓縮程式或APP再行下載，由於iOS系統對檔案下載的限制，iPhone用戶需升級至iOS 13以上，方可使用全書完整打包下載連結。）  

實戰低代碼

為了解決power bi試用的問題，作者韋青 這樣論述：

●什麼是低代碼平臺？ ●為什麼需要低代碼平臺？ ●低代碼平臺對數位化轉型有什麼作用？ ●零程式設計經驗者能否使用低代碼平臺？ ●如何從0到1完成低代碼開發？ ●如何在日常工作中使用低代碼平臺？ ●低代碼平臺能解決行業應用場景中的哪些問題？ ●學習低代碼平臺對我的未來有哪些影響？ 以上所有問題都能在本書中找到答案！   本書系統講解了低代碼平臺的能力、價值、應用場景和實操方案，旨在幫助行業、企業及每一位元數字公民快速理解低代碼平臺的核心價值，並實現數位化轉型。   本書的5位作者均來自微軟，具有豐富的技術架構經驗和賦能企業數位化轉型的實戰經驗。他們結合自身對低代碼平臺的理解和

與企業共同創新的經驗，系統介紹了低代碼平臺的實操方法和行業應用落地心得。本書得到了多位行業專家的高度評價和推薦。   全書共12章，分為三篇。 第①篇 刷新認知（第1~4章） 從低代碼平臺的基礎講起，重點解析其概念與價值、市場定位與主流平臺、典型應用場景，並剖析低代碼平臺對數位化轉型的重要影響。 第②篇 實踐出真知（第5~10章） 以低代碼平臺 Power Platform 的具體實踐為例，從低代碼應用開發、流程自動化、資料分析與展現、AI 賦能低代碼等維度，結合實際案例，詳細講述低代碼應用的開發過程。 第③篇 已知和未知（第11~12章） 圍繞已知的行業應用案例和未知的變革展望展開。行業應用

案例部分以零售、教育、金融、製造、專業服務等真實場景為例，從面臨的挑戰、基於低代碼平臺的解決方案、方案收益等角度層層遞進；變革展望部分以開放的視角展望未來變革的新常態，探索數位化能力和創新的邊界。  

朝向技術驗證之氮化鎵功率元件可靠度評估

為了解決power bi試用的問題，作者吉德洛 這樣論述：

這項研究主要探討的目標為利用Silvaco TCAD (Technology Computer Aided Design) 對氮化鋁鎵/氮化鎵元件的電性進行模擬，進而做這種可靠度評估。其目的是在高功率元件應用上使氮化鋁鎵/氮化鎵元件成功地得到技術認證，並通過對其可靠度物理的深入了解，為其在商業應用上，做到更完善的準備。這項研究中，探討的方向依序是從肖特基柵極高電子遷移率電晶體 (HEMT)、金屬絕緣體半導體高電子遷移率電晶體 (MISHEMT)、p型氮化鎵柵極高電子遷移率電晶體(p-GaN Gate HEMTs)，最後是整合氮化鋁鎵/氮化鎵肖特基勢壘二極管 (SBD) 與氮化鎵柵極高電子遷移

率電晶體後，做為氮化鎵單石積體電路的一部分。根據元件失效模式效應分析 (FMEA) 的框架計劃進行探討，證實了隨著科技的複雜性增加，需要更多的可靠度分析。第 2 章討論了截止狀態下的高汲極電壓應力可靠性和在高汲極電壓截止狀態到低汲極電壓導通狀態切換條件下發生的動態導通電阻 (Ron) 增加或電流崩潰 (CC) ，討論對象為氮化鎵柵極高電子遷移率電晶體、肖特基柵極高電子遷移率電晶體。這些是基於現場操作中預期條件的壓力測試，用於電力電子設備（例如轉換器）。此次所使用的最先進的肖特基柵極高電子遷移率電晶體在其預期電壓額定值內顯示出最小的電流衰減和最小的動態導通電阻增加。這表明通過工藝優化最大限度地減

少缺陷並因此減少電荷俘獲位置，可以實現具有簡單結構的可靠 AlGaN/GaN HEMT。 Silvaco TCAD 模擬證實局部高電場僅在高斷態汲極電壓下存在，解釋了高斷態汲極擊穿電壓和整體穩定性。然後將這些穩定的器件用作黃金樣本，用於比較最常用的脈衝 IDVD 的動態導通電阻特性與從關閉狀態切換到導通狀態的瞬態電流。從結果發現脈衝 IDVD 方法顯示較低的動態導通電阻，因為在長時間導通狀態期間，由於電荷去俘獲引起的快速電流恢復，導致測量沒有捕捉到一些電阻增加。因此，研究的其餘部分採用了瞬態電流方法的動態導通電阻表徵，因為它提供了更可靠的開關導通電阻增加。第 3 章討論了在金屬-絕緣體-半導體

HEMTs (MISHEMTs) 之間添加了 SiN 絕緣體的 AlGaN/GaN HEMTs 的負偏壓溫度不穩定性 (NBTI)。 添加 SiN 絕緣體目的為降低柵極電流洩漏，但會使在 SiN/AlGaN 界面處引入缺陷點，而這些缺陷點尤其會在柵極區域作為電荷陷阱點，導致臨界電壓 (Vth) 偏移而導致 NBTI。MISHEMTs具有相對較厚 30nm 和 60nm 的SiN，顯示出雙向 NBTI 臨界電壓偏移。 臨界電壓由正到負的轉變需要更高的柵極電壓應力，有更高的絕緣體厚度並且隨著溫度的升高而提升。 因此提出隨著費米能階增加而產生一種類受體陷阱電離，其次是類供體陷阱電離。第 4 章討論

p-GaN 閘極 HEMT 的可靠度。閘極金屬下方元件的 p-GaN 空乏了閘極區域下方的 2DEG，將常開/增強模式 AlGaN/GaN 蕭特基閘極 HEMT 轉換為常關/增強模式元件是較為優秀的選項，因為它具有更多的故障自趨安全操作（即關閉施加閘極電壓截止）。然而，鎂摻雜形成 p-GaN 以及碳摻雜 GaN 緩衝層會導致更複雜的電荷載流子機制以及電荷捕捉和釋放。緩衝層是以襯底偏置背柵掃描（substrate bias back-gating sweep）來取得緩衝區陷阱相關的電流塌陷(Current Collapse )/動態導通電阻，其中通過比較 p-GaN 閘極 HEMT 與參考的蕭

特基ＨＥＭＴ，發現依賴於閘極偏置（bias）的電洞注入可以抑制其影響同一基板上的閘極 HEMT。這些結果以 Silvaco TCAD 模擬，證實了閘極電洞注入沿著路徑提供了更少的緩衝陷阱電荷，以在閘極下方進行緩衝。截止態汲極電壓擊穿、高汲極電壓斷態應力導通電阻特性在具有場板（field plate）配置的 p-GaN HEMT 上完成。發現較長場板傾向於調低接入區的電場峰值，從而通過在硬開關(hard switch)期間最大限度地減少半導通狀態期間的熱電子效應來降低動態導通電阻的增加。然而，長場板也使電場峰值更靠近汲極，從而降低了高汲極電壓截止態的擊穿和穩定性。 Silvaco TCAD 模擬

被用來證明這個困境。發現優化場板配置對於管理這種權衡是必要的。第5章討論了AlGaN/GaN蕭特基能障二極體(SBD)和p態GaN閘極HEMTs常見的可靠度評估。當SBD的AlGaN能障和鎂（Mg)摻雜形成的p態GaN 閘極HEMTs共享時，一連串整合的製程使AlGaN能障中出現向外擴散的鎂原子。將集成SBD的順向與逆向性質、逆向偏壓、和脈衝I-V分散模擬場操作開關條件特徵和作為參考的離散AlGaN/GaN SBD性質相互比較後，可發現和離散SBD相比，集成SBD具有更高的導通電阻、更好的可靠性和穩定性，這是因為在離散SBD中，將不會發生鎂原子向外擴散而導致的空孔傳輸。這個現象可以通過順向偏壓

AlGaN/GaN的接面電流、低逆向偏壓二維電子氣（2DEG)電流、和因為陽極電流導致的較低的蕭特基能障高度來證實。由深層能階暫態頻譜（DLTS)分析的暫態電流測量結果證實了在AlGaN能障中的鎂原子置換，脫離陷阱的電洞證明了，因為和第四章所討論到的p態GaN閘極HEMTs中的電洞注入導致的電流崩潰/動態導通電阻抑制現象相似的電洞相關抑制現象，而可能產生的分散抑制現象。第 6 章討論如何利用 Python 及擴充包，例如 Matplotlib、Pandas 和 SciPy，進行可靠度的數據分析。本章節實驗是在定電壓下，觀察HEMT的柵極隨時間發生擊穿的故障概率和壽命預測。建議在進行可靠度研究時

，可以廣泛使用數據分析。第 7 章中，再次透過表徵技術和 Silvaco TCAD 模擬對各種AlGaN/GaN 的元件，進行成功的可靠度評估以驗證故障分析，以作為本實驗的結尾。考慮到失效模式與影響分析(FMEA) 結構的調查確保明確，即使隨著技術複雜性的增加，仍然可以充分理解對可靠度的物理知識。在未來的工作中，將需要使用更複雜的模擬條件，包括時間相關/瞬態模擬，以及更多關於真實設備條件匹配的細節。這數位對映等級的細節層次有助於可靠度設計，以加速 GaN 技術的成熟度。