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國立聯合大學 電機工程學系碩士班 林明毅所指導 陳奕旻的 量子點發光二極體及微發光二極體之光學特性理論計算 （2020），提出samsung電視43吋關鍵因素是什麼，來自於QLED、微共振腔效應、DMD、Micro LED、出光效率。

而第二篇論文國立交通大學 電機學院電子與光電學程 劉柏村所指導 林鈺凱的 高像素密度主動式矩陣有機發光二極體顯示器於虛擬實境之像素補償電路 （2019），提出因為有 有機發光二極體顯示器、像素補償電路、高像素密度、虛擬實境的重點而找出了 samsung電視43吋的解答。

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量子點發光二極體及微發光二極體之光學特性理論計算

為了解決samsung電視43吋的問題，作者陳奕旻 這樣論述：

本研究將分為QLED及Micro LED兩個部分，分別透過微共振腔效應優化QLED之光學效率以及不同的出光模式和結構模擬Micro LED之出光效率。其中，QLED採用DMD多層膜結構、IZO結構、Ag結構三種微共振腔結構來進行穿透率及視角之比較，以及優化Yb:MoO3結構之光學效率；Micro LED則是採用加入GaN三角結構與未加入結構之Micro LED，以及CW和Pulse兩種出光模式進行研究。QLED方面，本研究透過摻雜Yb元素在MoO3/Ag/MoO3之DMD多層膜結構、IZO結構及Ag結構分別作為綠色上發光結構QLED之陰極透明電極。在Yb:MoO3方面，Yb的摻雜比例分別為0

，0.2，0.6及1。此外，在模擬軟體中也運用Linear、Bruggeman、Maxwell-Garnett三種計算方式分別計算模擬結果。在IZO結構方面，透過厚度160nm及厚度185nm之IZO結構進行模擬，Ag結構方面，則是透過厚度20nm及厚度30nm之Ag結構進行模擬。研究結果顯示，Yb:MoO3結構在400-700nm之可見光波段，可達到最大穿透率75.6％以及平均穿透率68.3％；此外，也得到了38.1 cd/A之高電流效率及9.6％之高外部量子效率。Micro LED方面，本研究透過CW及Pulse兩種光源分別在加入GaN三角結構與未加入結構之Micro LED上進行研究，探

討其出光效率。研究結果顯示，加入GaN三角結構的Micro LED擁有最高之出光效率約16％，未加入三角結構之GaN Micro LED可得9.6％，提升67.8％之出光效率。

高像素密度主動式矩陣有機發光二極體顯示器於虛擬實境之像素補償電路

為了解決samsung電視43吋的問題，作者林鈺凱 這樣論述：

近年來，有機發光二極體(Organic Light-Emitting Diodes，OLEDs)顯示器越來越廣泛的運用在各種產品上，從小型攜帶式裝置：手錶、手機；中型電子產品：筆記型電腦、桌上型電腦螢幕；到大型娛樂產品：電視、看板等等，都因為OLED顯示器的優秀顯示品質而廣泛被使用。除此之外，虛擬實境顯示器也期望能運用OLED的高對比與反應速度，帶給人們更身歷其境的體驗。在虛擬實境顯示器中，因觀看距離加上有透鏡的裝置結構，原有的像素會被放大檢視，因此對顯示面板來說，高像素密度是最重要的需求也是最難的挑戰，像素密度越高代表解析度越高，代表著每一個像素的空間將更小，每一列的掃描時間也將縮短。OL

ED是由驅動電流進行發光，流經OLED的電流變異也將直接影響顯示器畫面的均勻度，OLED多使用低溫多晶矽(Low Temperature Poly Silicon，LTPS)的玻璃基板進行製作，而其中電晶體臨界電壓(Threshold Voltage，VTH)的變異就是電流變異的關鍵。現今普及且進行量產的OLED像素補償電路約為6至7個薄膜電晶體 (Thin Film Transistor，TFT) ，搭配電容與驅動訊號，利用電容充放電的方式進行臨界電壓的補償。但在高像素密度的像素空間裡已無法容納這麼多的元件，也由於極短的掃描時間，以電容充放電的補償方式將導致補償不完全而使效果打折。本論文提出

一個使用低溫多晶矽玻璃基板的新式補償電路，僅使用4個薄膜電晶體與一個電容，搭配兩個驅動訊號，使用電容耦合方式進行補償，不受掃描時間不足而影響補償效果。在有限空間裡利用少數元件與訊號組成的補償電路，能達成高像素密度的需求。且以高解析度、且須使用多工器 (Multiplexer，MUX) 情況下進行模擬，分別模擬在不使用MUX、MUX 1對2及MUX1對3 (掃描時間分別約為7.5us/3.7us/2.5us)時之補償效果。模擬結果顯示某些灰階有著不輸量產補償電路的效果，並使用此畫素補償電路實際設計一3.3吋806ppi之高解析面版，成功點亮且有良好的畫面均勻度，說明提案之補償電路可適用高像素密度

之顯示面板。

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