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國立虎尾科技大學 光電工程系光電與材料科技碩士在職專班 陳文瑞所指導 李鼎凱的 Mini LED背光模組的光學優化 （2020），提出tcl65吋關鍵因素是什麼，來自於高亮度、微型化、透鏡、背光模組。

而第二篇論文國立中興大學 精密工程學系所 洪瑞華所指導 陳冠丞的 使用不同高散熱基板研製薄膜型氮化鎵紫外光發光二極體 （2014），提出因為有 紫外光發光二極體、鋁矽基板、金屬貼合、雷射剝離技術的重點而找出了 tcl65吋的解答。

最後網站前10款高人氣tcl電視報你知 - 推薦王則補充：到了現在的智慧時代，電視也出現了許許多多不同的規格與名稱，尺寸也從最小的20吋一直到超大的85吋都有，面板也分成OLED/QLED/LCD等等。這一堆的選擇讓許多人在購買 ...

接下來讓我們看這些論文和書籍都說些什麼吧：

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TCL 最新推出了全新 QLED 電視 C71 系列，提供有 50”, 55” 和 65” 版本。TCL C71 系列為一款 QLED 量子點電視，支援 HDR 10+，並擁有 4K 解像度和 95%+ DCI P3 廣色域顯示。此外，TCL C71 支援杜比視界 Dolby Vision 和杜比全景聲 Dolby Atmos，加上 IPQ 引擎令畫面動態範圍，光暗對比和細節質感的到進一步提升！

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Mini LED背光模組的光學優化

為了解決tcl65吋的問題，作者李鼎凱 這樣論述：

隨著液晶平面顯示器產業的成熟，至關重要的背光源，也與時俱進，朝向節能、環保、安全、低功耗、高亮度(HDR)、薄型化及微型化發展…等趨勢邁進，然而Mini LED 的研究及應用，剛好可滿足3C型態的消費性電子、軍事工業、醫療照護、大型廣告傳媒及戶外顯示器….等，中、高階市場需求，隨之在顯示器相關領域，對傳統LED也逐漸取而代之。研究Mini LED的過程中發現，Mini LED在蘋果公司的力拱之下，已展開一場寧靜革命，消費性電子及顯示器行業，在國際一線品牌大廠，相續投入研發Mini LED後，已開始推出Mini LED相關產品搶佔市場先機。本論文研究，分2部分，首先是Lighttools光學模

擬，建立 Mini LED模組模型，與搭配3D繪圖軟體Solidworks的修改一次光學封裝膠外形，使用邊界曲面的功能，建立曲面，把Mini LED頂面改成凸起的曲面，達到一次光學透鏡的效果。透過Lighttools模擬結果，調整Mini LED曲面曲率，修正Mini LED交界之間的照度值，使畫面中的顆粒感、棋盤格現像淡化，達到最佳化均勻度為80%。第二部分；依模擬結果設定的LED規格、透鏡曲面，透過國內的專業LED廠商，工廠規模化的小批量生產，製作成Mini LED燈板；實際安裝使用於65吋顯示器，從中實現模擬到工廠規模化、量產性的可行性評估，同步使用專業的光學量測儀器，SR-3A進行所有

的光學特性量測，確認成品是否達到市售要求規格，經由實測65吋的Mini LED TFT-LCD模組的81點輝度均勻性達到93.91%、中心輝度:778.5Nits，LCD模組的25點輝度均勻性達到94.87%、中心輝度:777.12Nits，LCD模組的9點輝度均勻性達到93.97%、中心輝度:778Nits，符合輝度均勻性的Min規格 75%及中心輝度620Nits的市售規格要求。透過Lighttools模擬並且實際開發到可量產的Mini LED顯示器，空間厚度設定5mm，已經比市場上大部分的電視還要薄，電視的發展趨勢是薄形化，未來LED的空間厚度可能會再縮小，空間縮小會使畫面更容易看到LE

D顆顆分明的現象，並且更難以設計出畫面均勻的LED一次光學透鏡；希望進一步的研究，能夠再完成更薄的電視的LED一次光學透鏡設計，以符合未來市場對於產品的需求，也期許能夠在未來的Mini LED應用開發上，有效達到縮短開發初期的投入，節省開發初期所耗損的人力、物力及金錢上的損失。

使用不同高散熱基板研製薄膜型氮化鎵紫外光發光二極體

為了解決tcl65吋的問題，作者陳冠丞 這樣論述：

本論文主要是比較不同基板的散熱對於發光波長為390 nm的紫外光發光二極體(UV-LED)發光效率的影響。討論的四種基板分別為氮化鋁基板、鋁矽基板、矽基板以及傳統的藍寶石基板；其熱傳導係數依序為170、110、150、35 W/mK。為了製作出高效能的LED故在本論文中從晶圓貼合技術進行改善探討，並配合高反射鏡面、粗化技術與雷射剝離技術，以製備具高效率、高亮度之UV-LED。此些元件分別為垂直結構矽基板LED (V-LED-Si)、垂直結構鋁矽基板LED(V-LED-AlSi)、水平結構氮化鋁基板LED(L-LED-AlN)和水平結構藍寶石基板LED (L-LED-Sapphire)。當以上

元件在被通入高電流2 A時，所得之順向導通電壓分別為4.6、4.39、5、4.81 V。可以發現V-LED-AlSi順向導通電壓較低，這是因為鋁矽基板具有相當低的電阻率(115 ?Ω-cm)；在以上電流注入下，V-LED-Si、V-LED-AlSi、L-LED-AlN輸出功率分別為2.465、2.499、2.370 W，與L-LED-Sapphire的1.458 W相比，分別增加約69%、71.3%和62 %。在熱阻部分，對於V-LED-Si、V-LED-AlSi、L-LED-AlN、L-LED-Sapphire元件其在350 mA時之熱阻分別為 4.16、4.28、3.21、5.92 K/W

；表面溫度(@1A)量測結果在元件表面平均溫度分別為50.5、52、46.3、54.1 ?C。由拉曼量測的結果得知V-LED-Si、V-LED-AlSi、L-LED-AlN磊晶膜受到的壓應力，分別為0.28、0.12、0.28 GPa，L-LED-Sapphire 磊晶膜受到張應力為0.16 GPa，故可知V-LED-AlSi相對於V-LED-Si與L-LED-AlN更可以緩和磊晶膜所承受之應力，這是由於鋁矽基板的熱膨脹係數(6.2)與藍寶石基板(5.8)較接近所導致。從電流對元件波長偏移可發現基板型L-LED-Sapphire的發光波長由396 nm(@ 20 mA)至393 nm(@ 60

0 mA)，推測是由於史塔克效應所造成嚴重的藍移現象；此外L-LED-Sapphire在600到2000 mA因壓電場效應造成發光波長紅移1.5 nm。相較於V-LED-Si、V-LED-AlSi、L-LED-AlN從20至150 mA分別藍移0.7、0.6、0.9 nm，且這三種元件在150至2000 mA分別紅移0.6、0.7、1 nm。值得一提的是薄膜型之LED其發生開始紅移之電流為150 mA，而基板型之LED遲至600 mA才發生紅移現象。又此些薄膜型LEDs與L-LED-Sapphire元件相比，上述三種元件的發光波長紅移現象較不明顯，這是因為薄膜型元件釋放磊晶膜應力(導致史塔克效

應減緩)與轉移至高散熱基板所導致。本論文成功研發出高散熱且具高效率之UV-LED；此外，由於鋁矽基板擁有相當低的電阻率與其熱膨脹係數接近藍寶石基板的熱膨脹係數，使得薄膜型V-LED-AlSi元件具有更高的UV-LEDs應用潛力。關鍵字：紫外光發光二極體、鋁矽基板、金屬貼合、雷射剝離技術

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