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另外網站3D Periodic Table - Arts & Culture Experiments - Google也說明：W. Re. Os. Ir. Pt. Au. Hg. Tl. Pb. Bi. Po. At. Rn. Fr. Ra. Ac. Th. Pa. U. Np. Pu. Am. Cm. Bk. Cf. Es. Fm. Md. No. Lr. Rf. Db. Sg. Bh. Hs. Mt. Ds. Rg. Cn. Nh.
國立屏東大學 應用物理系光電暨材料碩士班 曾耀霆、李英杰所指導 吳承翰的 TaN薄膜摻雜X元素之特性研究(X = W、Cr、Nb) （2020），提出w元素關鍵因素是什麼，來自於TaN、W-TaN、Cr-TaN、Nb-TaN、電阻溫度係數、電阻率。
而第二篇論文明志科技大學 材料工程系碩士班 張奇隆所指導 羅國峻的 高功率脈衝磁控濺鍍輔助陰極電弧 沉積氮化鈦薄膜之特性研究 （2020），提出因為有 高功率脈衝磁控濺鍍、陰極電弧沉積、奈米微晶、佔空比、調整功率、調整工作壓力、氮化鈦的重點而找出了 w元素的解答。
最後網站w是什么元素則補充：w 是元素钨，一种金属元素。原子序数74，原子量183.84。钢灰色或银白色，硬度高，熔点高，常温下不受空气侵蚀；主要用途为制造灯丝和高速切削合金钢、超硬模具...
IFDM室內傢具設計：工程與酒店 2019秋/冬（珍藏版）
為了解決w元素 的問題，作者義大利IFDM雜誌社 這樣論述：
將室內設計和建築學之間完美結合，IFDM精心挑選的作品在不同的風格之間流露著和諧感，能代表目前的工程設計領域和放眼于未來的發展，這些奇妙的設計（獨特的照片將唯美風格展露無遺）將展示於總共有200頁的內文之間，它們是一個設計工具，亦是一份擁有具備獨特風格的作品的完美清單。
w元素進入發燒排行的影片
好的就目前的援救情況來看
的確是咱要負責單獨行動整個跑透透的節奏了(抹臉((也不是第一次了對吧w
後續那個跳舞元素幾乎等於沒有 咱是說真的(正色
而且這次的BOSS明顯比上一位簡單太多 這樣咱很擔心後續的BOSS啊wwww
『關鍵字』
風珀 動作 冒險
Shantae and the Seven Sirens 2D
#風珀 #Shantae
TaN薄膜摻雜X元素之特性研究(X = W、Cr、Nb)
為了解決w元素 的問題，作者吳承翰 這樣論述：
本研究利用反應式直流磁控與射頻磁控以共濺鍍的方式分別製備W-TaN、Cr-TaN、Nb-TaN薄膜，藉由改變射頻濺鍍功率，控制摻雜元素添加量，探討摻雜元素與退火溫度對於TaN薄膜相結構、顯微結構與電性之影響。 在W-TaN薄膜部分，由XRD分析得知，添加不同含量的W於TaN薄膜，皆形成fcc-TaN單一固溶相，而薄膜電阻率會隨著W的添加量上升隨之下降，由添加W:3.39 at.%時為971 μΩ-cm下降至W:8.50 at.%時為675 μΩ-cm。在真空退火500℃時，由TEM分析發現，相較於未退火時試片，薄膜表面氧化層厚度沒有明顯的變化，經XPS分析發現，W添加於TaN薄膜可減少
內部氧含量，可提升薄膜抗氧化性，可有效抑制TCR往負方向移動。 在Cr-TaN薄膜部分，由XRD分析發現，添加不同含量的Cr於TaN薄膜，皆可保持fcc-TaN單一固溶相。在真空退火300°C時。Cr-TaN薄膜擁有較佳結晶性，由TEM分析發現，Cr-TaN薄膜表面氧化層厚度為3 nm，隨著退火溫度上升，表面氧化層厚度上升至為5 nm。電阻率會隨著薄膜內Cr含量增加而些微下降，而隨著退火溫度上升電阻率隨之增加，TCR往負值方向增加。 在Nb-TaN薄膜部分，由XRD、TEM分析得知，添加不同含量的Nb於TaN薄膜，以fcc-TaN單一固溶相存在，且Nb原子易聚集在晶粒邊界處，進而抑制晶粒成
長，薄膜表面氧化層厚度為3 nm，隨著退火溫度上升，表面氧化層厚度沒有明顯的變化。在電性分析方面，隨著薄膜內Nb含量的增加，從而細化晶粒，薄膜電阻率隨之上升。
高功率脈衝磁控濺鍍輔助陰極電弧 沉積氮化鈦薄膜之特性研究
為了解決w元素 的問題，作者羅國峻 這樣論述：
本研究利用高功率脈衝磁控濺鍍(High Power Impulse Magnetron Sputtering, HiPIMS)輔助陰極電弧沉積(cathode arc evaporation)系統搭配Ti靶沉積氮化鈦 (TiN) 薄膜於碳化鎢鋼 (WC) 和矽晶片(100)及304不銹鋼 (SUS304)。並依序探討調控HiPIMS系統電源的功率、佔空比及改變腔體內的工作壓力對TiN薄膜微結構與機械性質的影響。I.不同HiPIMS電源功率下的影響改變HiPIMS功率，從0 kW到4 kW，透過場發射掃描式電子顯微鏡觀察到薄膜上的微粒數量及大小會隨著HiPIMS功率的上升而下降。TEM分析指出
TiN薄膜在高HiPIMS功率時 (4 kW) 能有效的降低薄膜的晶粒尺寸可以達到42.9 nm，且由於細晶強化效果導致硬度提高，並在TiN主膜層也觀察到奈米微晶結構可以增加細小的晶界，使差排較難移動，進一步的提升薄膜的硬度。在HiPIMS功率提升至4 kW時可以達到最少的表面微粒及最高硬度32.1 GPa，附著性可以達到137 N，磨耗率為2.1×10-6 mm3N-1m-1。II.不同HiPIMS佔空比下的影響改變HiPIMS不同佔空比從3 % 到DC，透過場發射掃描式電子顯微鏡分析結果顯示降低HiPIMS的佔空比後，表面微粒數量與大小會跟著下降，從TEM的分析觀察到TiN薄膜在低佔空比時
(3%)能有效的降低薄膜的晶粒尺寸，並達到最小的晶粒尺寸41.6 nm，且由於細晶強化效果導致硬度提高，最高可以達到33.6 GPa，附著性可以達到120 N，磨耗率為3.3×10-6 mm3N-1m-1。III.不同工作壓力下的影響第三階段是利用上面兩階段的最佳參數HiPIMS功率4 kW、佔空比3%，改變腔體內的工作壓力從15 mTorr到30 mTorr，希望能透過降低工作壓力來加強HiPIMS的效果，降低表面的微粒數量與大小。場發射掃描式電子顯微鏡結果顯示降低工作壓力後，表面微粒數量與大小會跟著下降，TEM的分析指出TiN薄膜在低工作壓力時(15 mTorr)薄膜的晶粒尺寸有顯著的下降
可以達到34.9 nm，在TiN主膜層也觀察到奈米微晶結構，可進一步的提升薄膜的硬度，在降低工作壓力至15 mTorr時可以得到最高硬度34.1 GPa，附著性可以達到123 N，磨耗率為2.3×10-6 mm3N-1m-1。本研究鍍製TiN薄膜最佳製程參數為HiPIMS功率4 kW、佔空比3%及工作壓力15 mTorr時可得到最佳薄膜機械性質，其硬度值為34.1 GPa及附著力可達123 N，磨耗率為2.3×10-6 mm3N-1m-1。