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超薄氮化鈦薄膜之非線性光學特性及光導電性研究

為了解決鈦赫茲的問題，作者郭庭睿 這樣論述：

在本研究中，我們介紹了零介電常數波長範圍內的超薄氮化鈦(TiN)薄膜的非線性光學特性和介電特性。TiN具有優異的光學和電學性質，可以與傳統的貴金屬媲美，並且具有高熔化溫度和低消光損耗的難熔特性，因此它成為最有潛力能夠替代金的電漿材料。TiN的ENZ頻率落在可見光範圍中近短波長的邊界，並且在ENZ特性下有望可以大大的增強非線性光學過程。在本次研究中，我們使用Z-scan測量技術和太赫茲時域頻譜分析技術，來研究透過電漿輔助分子束磊晶(PA-MBE)方法生長的超薄TiN薄膜的非線性光學特性和基本導電與介電性質。我們觀察到波長大約470 nm處，非線性吸收係數會出現增強的現象，這個波長對應於氮化鈦的

ENZ波長。而與較厚的薄膜相比，超薄膜(

不同偏壓對 Ti6Al4V 合金經陰極電弧沉積 TiNiN 陶瓷硬膜特性之影響

為了解決鈦赫茲的問題，作者林俊穎 這樣論述：

本研究利用陰極電弧沉積(Cathodic arc deposition ,CAD)系統，沉積 TiNiN 陶瓷薄膜於 Ti6Al4V，配合使用不同偏壓參數(-60V、-120V、-180V)來控制鎳(Ni)元素於膜層中的含量，並分析鍍膜組成結構以及特性，例如:磨耗試驗、硬度試驗、附著性測試、腐蝕磨耗試驗、極化試驗、浸泡試驗等，期望藉此得到同時具有耐磨耗、耐腐蝕以及抗菌的三抗薄膜。 實驗結果顯示，偏壓的降低，會使 TiNiN 陶瓷薄膜中的鎳(Ni)含量增加，隨著鎳(Ni)含量的增加，TiNiN 陶瓷薄膜的硬度及在奈米壓痕上所得到的 H/E 值皆隨之增加，故在磨耗試驗中偏壓參數為-60V之試片

有最低的摩擦係數以及最小的重量損失；附著性試驗中三組偏壓之試片之附著性皆優於 HF4，於規範中皆可以被定義為優良的附著性；腐蝕磨耗試驗之結果顯示偏壓為-60V 的依舊擁有最小的摩擦係數以及重量損失，可見增加鎳含量是能同時增進耐磨耗以及耐腐蝕的能力的；極化試驗也驗證了偏壓-60V 的耐腐蝕能力，偏壓-60V 之試片有最高的極化阻抗值；而浸泡試驗中雖無法比較各鍍膜參數的優異性，但也透過浸泡證明了 TiNiN 膜層良好的耐腐蝕能力，以及與非鍍膜材的差異。