grain翻譯的問題，透過圖書和論文來找解法和答案更準確安心。 我們找到下列線上看、影評和彩蛋懶人包

英文閱讀特訓班：中高級篇【2022年全新修訂版】【書+朗讀MP3(可掃描QR-CODE聆聽或線上下載)+別冊】

為了解決grain翻譯的問題，作者LiveABC編輯群 這樣論述：

　　級~中高級程度適用 　　✓準備統測、學測、全民英檢中高級考試的你 　　✓提升閱讀能力、增加字彙量的進階學習者 　　✓適合各種英文檢定考試之補充教材   　　掌握閱讀技巧，讓你輕鬆看懂各種類型的英文文章！ 　　『閱讀測驗』是測驗語文能力的重要指標之一，不論是學測、指考、統測、全民英檢、多益、托福，閱讀測驗都是必考題型，也是一般考生最常遇到瓶頸的考試題型，因此提升英文閱讀能力及掌握閱讀技巧是很重要的學習重點。   　　本書共分為兩個部份，第一個部分主要在訓練閱讀技巧，第二個部分是提供大量的閱讀練習。閱讀測驗題目採混合題型，包括選擇、表格填空或簡答等兩種以上的作答方式，除了測驗讀者能否理解文

意脈絡、擷取文本重要訊息和進行分析推理等閱讀理解能力外，還要訓練讀者系統思考、解決問題、溝通表達與符號運用的能力，以期能符合108課綱所重視之素養教育的精神。   　　第一部分Acquiring Reading Skills  　　包含八個單元，主要目的在於訓練閱讀能力，透過全英文的學習方式，加上每單元都有一個搭配課文的閱讀技巧，幫助讀者無論是訓練閱讀原文書或參加各項考試，都能得心應手。   　　第二部分Putting the Skills into Practice 　　共四十二個單元，包括各種知識性、趣味性、生活化的多元主題，每篇文章搭配四題混合題，目的是要幫助讀者瞭解自己對文章的掌握度，

同時提升應考力。文章中文翻譯及混合題解答收錄於別冊中，建議讀者盡量先閱讀英文，再以中文翻譯作為輔助參考。   　　免下載、線上聽，聆聽朗讀MP3音檔超方便！ 　　本書附由專業外籍老師所錄製的朗讀MP3音檔，可利用智慧型手機掃描書封的QR-code，便可立即上網聆聽所有課程的朗讀MP，也能上官網下載完整的朗讀MP3音檔，隨時隨地都能立即聆聽，學習不受地點與時間的限制。

grain翻譯進入發燒排行的影片

無鉛壓電陶瓷材料和MEMS結構之模擬與開發

為了解決grain翻譯的問題，作者李耕維 這樣論述：

本研究透過密度泛函理論（Density Functional Theory, DFT）之模擬程序來計算出無鉛壓電陶瓷Ba0.92Ca0.08Ti1-xSnxO3 （BCTS）之材料特性，並探討Sn4+含量之影響。再依據DFT最佳的BCTS模擬結果並使用有限元素法（Finite Element Analysis, FEA）來開發出一個壓電微機電系統（Microelectromechanical Systems, MEMS），其中除了底電極和黏著層厚度之外，最適當的Si基板蝕刻深度也都將會模擬與探討。本文可分為以下兩大部分: Sn4+ 含量對BCTS壓電薄膜之影響利用特殊隨機結構模型（Spec

ial Quasirandom Structures, SQS）設計一個BCTS無序摻雜壓電晶體結構以及仿真BCTS無鉛壓電陶瓷薄膜（x = 0 ~ 0.15），再以X光繞射儀量測實際的BCTS無鉛壓電材料晶相及晶格常數，並與模擬出之數值相互比較。最後則通過有限差分法、密度泛涵微擾理論等方式來計算無鉛壓電薄模之壓電特性、機械性質數值。 BCTS / Pt / Ti / SiO2 / Si無鉛壓電MEMS結構之開發透過Nano-indenter儀器來量測壓電MEMS金屬薄膜（黏著層與底電極層）之機械性質。再導入DFT模擬的最佳壓電薄膜之機械性質，透過有限元素法（FEA）來逐一探討最佳的BCTS

壓電薄膜之厚度、Ti黏著層之厚度與Si基板蝕刻深度。由研究結果數據可得出最佳壓電MEMS結構參數為:黏著層（Ti ＝50 nm）、底電極層（Pt ＝ 100 nm、Si-Wafer蝕刻深度（30 m）、壓電薄膜層（BCTS ＝ 750 nm ），且最佳無鉛壓電薄模參數為:組成為Ba0.92Ca0.08Ti0.95Sn0.05O3，其中煆燒條件為1200C /4hr。並模擬計算出BCTS薄膜材料為四方晶相且晶格常數a、c各為7.97 Å、12.113 Å，且與實作出壓電陶瓷材料所量得之晶格常數誤差僅6%，模擬之d33為56 pC/N，且 K_33^2 為56%。而在機械性質方面，以VRH近似

獲得各向同性多晶材料之數值，楊氏模數為182.27 GPa、維氏硬度為9.43 GPa。 根據計算數據中，發現添加少量的Sn4+能夠提升壓電特性與介電張量，更增加晶體延展性與有效地降低煆燒溫度；但卻會降低其機電耦合係數與維氏硬度，由於C33彈性模量之數值降低，進而導致機電耦合係數與維氏硬度之數值下降。最後研究出最佳壓電MEMS在未來應用於半導體製程中的探針卡檢測器與壓電式指紋傳感器。

一個人的懶人高纖低脂餐：一碗滿足全穀類＋蔬菜＋蛋白質，好吃又好拍的豐盛美味

為了解決grain翻譯的問題，作者安娜．席玲羅．漢普頓 這樣論述：

一個人的懶人高纖低脂餐 「Grain Bowl」一碗網羅全穀類+蔬菜+蛋白質 輕鬆煮出營養均衡的打卡美食 ✔最少的烹飪器具：全書料理只需平底鍋、湯鍋、沙拉缽、料理刀、湯匙 ✔不需烹飪基礎：10種風味醬汁自由調整口味，可清淡可濃郁 ✔73道超簡單葷素料理：從沙拉輕食到豐盛拌飯，都能在幾分鐘內輕鬆搞定 　　 　　●適合各種懶人： 　　．很想好好為自己做頓飯，但一想到煮完還要收拾亂七八糟的廚房，就提不起勁？ 　　．明知外食不健康，下班卻總累到沒力氣為自己準備營養美味的餐點？ 　　．想要試著管理健康和體重，卻不太會料理？ 　　．坊間的食譜看起來都好難，份量又好多？   　　席捲全球健康食尚、高纖低

脂的「Grain Bowl」一碗料理，  　　同時滿足了全穀類＋蔬菜＋蛋白質的均衡營養， 　　只要調整豆穀和蔬菜的比例，就能從沙拉輕食變身超豐盛拌飯！  　　各式醬汁更增添畫龍點睛的美味，口味亦可隨喜好調整，可清淡可濃郁， 　　並且教你輕鬆端出媲美主廚等級的時尚擺盤，好吃又好拍， 　　絕對能滿足你的各種需求！   　　◆讓營養完整的「Grain Bowl」料理，由內而外為你打造健康體質 　　在西方國家流行多年的Grain Bowl料理，是以沒有去除麩皮及胚芽、營養更為完整的全穀物為基礎（如：藜麥、大麥、蕎麥、糙米、黑米），搭配各種高纖清甜的蔬菜或水果，再加上豆類、蛋、起司、海鮮與肉類等蛋白質，

並淋上澆料或醬汁來賦予不同風味。   　　將上述材料兼顧料理色澤搭配與視覺美感，盛放在同一碗中，無論是沙拉或正餐，都能一次攝取到最完整均衡的營養，這便是Grain Bowl料理的設計概念。   　　本書特別以適合1～2人的份量來設計，搭配組合出可吃巧也可吃飽、健康又均衡的營養全餐，只需要短短幾分鐘的烹飪時間，當日的晚餐甚至隔天便當都有著落了！   　　◎綜合沙拉 　　將清脆健康的蔬菜和具有堅果風味的全穀物搭配組合。從輕爽的蔬食沙拉，到以海鮮與雞肉等動物性蛋白質為基礎的豐盛沙拉，提供滿足各種口味和胃口的無窮可能性。   　　◎蛋奶素料理（含VEGAN純素食譜） 　　以全穀物為基礎，利用可口的醬汁

和澆料，將所有食材的風味融合為一體，提供素食者豐富的營養，又可做為飽足感滿分的正餐。   　　◎肉類與海鮮料理 　　由動物性蛋白質、蔬菜和穀物組合而成，胃口再大都能吃得心滿意足。只需再搭配一個湯鍋，就能做出結合更多食材和調味方式的菜色。   　　◎醬汁與澆料 　　能使穀物料理中的所有食材風味完美融合的靈魂，同時賦予菜餚口感與滋味，並可隨心所欲與其他的料理搭配。   本書特色   　　˙白米飯OUT！除了糙米，提供更多種類的健康穀物選擇。 　　˙滿桌碗盤OUT！使用最少的烹飪器具和料理時間，讓你餐前餐後都優雅輕鬆。 　　˙剩菜人生BYE！幾分鐘內搞定，每天都能享用當日現做、口感豐盛的營養正餐。

　　˙饑餓感BYE！從滿足小餓的吃巧，到解決大餓的吃飽，都能簡單搞定！   　　［原書名：極簡，豐盛！一碗即全餐的健康新時尚］

氟化鋰摻雜對B位置前驅反應非當量鈣鈦礦無鉛壓電陶瓷性能改善之研究

為了解決grain翻譯的問題，作者黃睿佑 這樣論述：

以B位置前驅反應法製備出非當量Li0.058(K0.48Na0.535)0.966(Nb0.9Ta0.1)O3無鉛壓電陶瓷，再將低熔點之少量液相燒結促進劑LiF加入其中來降低其燒結溫度並改善其壓電與介電特性。接著使用X光繞射儀(XRD)與掃描式電子顯微鏡(SEM)分析晶相及觀察表面微結構特性，並探討其晶格常數以及理論密度，經過電極塗佈與極化後使用阻抗分析儀進行量測，計算出介電常數、介電損耗、機電耦合因數等，並使用d33量測儀來量測壓電常數。B位置前驅反應LKNNT試片在未添加LiF且燒結溫度為1060℃時，擁有最佳特性：介電常數為724.1；介電損耗為10.7%；機電耦合常數為30.3%；壓

電常數為345 pC/N，而在添加1wt%的LiF且燒結溫度為1000℃時擁有最佳特性：介電常數為2222；介電損耗為9.9%；機電耦合常數為24.1%；壓電常數為275 pC/N，且所有的Kp、d33值之變化趨勢都是隨著燒結溫度的增加而逐漸增至一最大值，然後再逐漸減少。因此可知添加LiF可以有效降低最佳燒結溫度，且由XRD可看出不論是B位置前驅反應製程或B位置前驅反應液相燒結製程皆擁有與傳統製程相似之完整LKNNT鈣鈦礦晶相，由SEM也可看出當燒結溫度1000℃且摻雜1 wt% LiF時，可以得到較佳的晶粒成長且晶粒緻密又均勻。最後，其居禮溫度也因為B位置前驅反應法與LIF的摻雜製程而從45

0~500℃提升至550~650℃左右。