黃光製程波長的問題，透過圖書和論文來找解法和答案更準確安心。 我們找到下列線上看、影評和彩蛋懶人包

以液相沉積法製作米圖形化藍寶石基板成長氮化鎵磊晶層之研究

為了解決黃光製程波長的問題，作者卓昕如 這樣論述：

目前圖形化&;#63779;寶石基板(PSS)的製作多以標準黃光製程在基板製作出光罩後，再蝕刻出所需的圖案。然而這種製作方式會受到黃光製程波長的限制而較難將圖形縮小至微米以下的等級，故本研究提出&;#63965;用成本低&;#63906;、製程簡單之化學液相沉積法(LPD)製作出&;#63756;米圖形化&;#63779;寶石基板，並探討其對於GaN &;#63815;晶品質的影響。 在&;#63756;米圖形化&;#63779;寶石基板(NPSS)的研究中，本實驗成功地以化學液相沉積的方法配合濕式蝕刻製作出&;#63847;同尺寸及種&;#63952;之NPSS 基板。相較於

傳統平面拋光之c-plane sapphire，XRD 及EPD 等&;#63849;據顯示在NPSS 上成長之GaN &;#63815;晶層具有較好的結晶品質。&;#63860;比較&;#63847;同蝕刻時間製作出的&;#63756;米圖形基板之&;#63815;晶品質則以 NPSS-60 較佳，其原因&;#63789;自於NPSS-60 可在&;#64009;低c-plane 面積的情況下同時提供適當的圖形間距。保&;#63949; NPSS-60 上 c-plane 的 LPD-SiO2 所製作出之 modifiedNPSS-60 可以&;#63745;進一步地提昇GaN &;#638

15;晶層品質，且根據XRD 及SEM等&;#63849;據，顯示圖形上方之SiO2 對於GaN &;#63815;晶成核成長&;#63847;具有明顯負面影響。 在&;#63756;米圖形化矽氧化層(NPOS)的研究中是以LPD-SiO2 為&;#63842;質圖形直接進&;#64008;&;#63815;晶，在此 NPOS 基板上成長之 GaN &;#63815;晶層較在 planarsapphire 上成長者具有&;#63745;加優&;#63868;的&;#63815;晶品質，此部分的提升可由XRD及EPD 的&;#63849;據得到驗證。藉由TEM 分析可觀察到差排彎曲的現象

，顯示此提升應&;#63789;自於側向&;#63815;晶成長面積上升所致。